БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NVMFS5C604NT1G

    NVMFS5C604NT1G

    NFET SO8FL 60V 287A 1.2MO

    onsemi

    1,445
    NVMFS5C604NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10 V 40A (Ta), 287A (Tc) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 6400 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    G3F135MT12J-TR

    G3F135MT12J-TR

    1200V 135M TO-263-7 G3F SIC MOSF

    GeneSiC Semiconductor

    800
    G3F135MT12J-TR

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 18A (Tc) 18V 180mOhm @ 8A, 18V 4.3V @ 5mA 27 nC @ 18 V +22V, -10V 575 pF @ 800 V - 87W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
    PJMF099N60EC_T0_00601

    PJMF099N60EC_T0_00601

    600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER

    Panjit International Inc.

    2,000
    PJMF099N60EC_T0_00601

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 39A (Tc) 10V 99mOhm @ 19.5A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±30V 2568 pF @ 400 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
    RX3R10BBHC16

    RX3R10BBHC16

    NCH 150V 105A, TO-220AB, POWER M

    Rohm Semiconductor

    988
    RX3R10BBHC16

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 105A (Tc) 6V, 10V 8.8mOhm @ 50A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±20V 7550 pF @ 75 V - 181W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    NVHL065N65S3F

    NVHL065N65S3F

    SUPERFET3 650V TO247

    onsemi

    398
    NVHL065N65S3F

    Техническая документация

    SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 46A (Tc) 10V 65mOhm @ 23A, 10V 5V @ 1.3mA 98 nC @ 10 V ±30V 4075 pF @ 400 V - 337W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IMZA65R060M2HXKSA1

    IMZA65R060M2HXKSA1

    IMZA65R060M2HXKSA1

    Infineon Technologies

    400
    IMZA65R060M2HXKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 32.8A (Tc) 15V, 20V 55mOhm @ 15.4A, 20V 5.6V @ 3.1mA 19 nC @ 18 V +23V, -7V 669 pF @ 400 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-8
    R6086YNZC17

    R6086YNZC17

    NCH 600V 33A, TO-3PF, POWER MOSF

    Rohm Semiconductor

    300
    R6086YNZC17

    Техническая документация

    - TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 33A (Tc) 10V, 12V 44mOhm @ 17A, 12V 6V @ 4.6mA 110 nC @ 10 V ±30V 5100 pF @ 100 V - 114W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    NTBLS002N08MC

    NTBLS002N08MC

    MOSFET N-CH 80V 28A/238A 8HPSOF

    onsemi

    2,000
    NTBLS002N08MC

    Техническая документация

    - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 28A (Ta), 238A (Tc) 6V, 10V 2mOhm @ 80A, 10V 4V @ 530µA 92 nC @ 10 V ±20V 6580 pF @ 40 V - 2.9W (Ta), 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
    PSMNR90-80ASEJ

    PSMNR90-80ASEJ

    PSMNR90-80ASE/SOT8000A/CCPAK12

    Nexperia USA Inc.

    250
    PSMNR90-80ASEJ

    Техническая документация

    - 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 495A (Tc) 10V 0.9mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 504 nC @ 10 V ±20V 36802 pF @ 40 V - 1.55kW (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount CCPAK1212
    AIMZA75R090M1HXKSA1

    AIMZA75R090M1HXKSA1

    AUTOMOTIVE_SICMOS

    Infineon Technologies

    229
    AIMZA75R090M1HXKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 23A (Tj) 15V, 20V 83mOhm @ 7.4A, 20V 5.6V @ 2.6mA 15 nC @ 18 V +23V, -5V 542 pF @ 500 V - 113W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-4
    NTH4L023N065M3S

    NTH4L023N065M3S

    SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S

    onsemi

    458
    NTH4L023N065M3S

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 40A (Tc) 15V, 18V 33mOhm @ 20A, 18V 4V @ 10mA 69 nC @ 18 V +22V, -8V 1952 pF @ 400 V - 245W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    SCT3160KWAHRTL

    SCT3160KWAHRTL

    1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    1,000
    SCT3160KWAHRTL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17A (Tc) 18V 208mOhm @ 5A, 18V 5.6V @ 2.5mA 42 nC @ 18 V +22V, -4V 398 pF @ 800 V - - 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7LA
    IMBG40R025M2HXTMA1

    IMBG40R025M2HXTMA1

    SIC-MOS

    Infineon Technologies

    900
    IMBG40R025M2HXTMA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 400 V 9A (Ta), 68A (Tc) 15V, 18V 32.1mOhm @ 15.7A, 18V 5.6V @ 5.6mA 36 nC @ 18 V +23V, -7V 1690 pF @ 200 V - 3.8W (Ta), 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-11
    SCT3105KRC15

    SCT3105KRC15

    1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    370
    SCT3105KRC15

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 24A (Tj) 18V 137mOhm @ 7.6A, 18V 5.6V @ 3.81mA 51 nC @ 18 V +22V, -4V 574 pF @ 800 V - 134W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    AIMCQ120R080M1TXTMA1

    AIMCQ120R080M1TXTMA1

    SIC_DISCRETE

    Infineon Technologies

    770
    AIMCQ120R080M1TXTMA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 34A (Tc) 18V, 20V 100mOhm @ 10A, 20V 5.1V @ 3.3mA 24 nC @ 20 V +25V, -10V 671 pF @ 800 V - 211W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HDSOP-22
    STB28NM60ND

    STB28NM60ND

    MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

    STMicroelectronics

    1,427
    STB28NM60ND

    Техническая документация

    FDmesh™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23A (Tc) 10V 150mOhm @ 11.5A, 10V 5V @ 250µA 62.5 nC @ 10 V ±25V 2090 pF @ 100 V - 190W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    G3F60MT06J-TR

    G3F60MT06J-TR

    650V 55M TO-263-7 G3F SIC MOSFET

    GeneSiC Semiconductor

    800
    G3F60MT06J-TR

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 44A (Tc) 15V, 18V 75mOhm @ 15A, 18V 4.3V @ 7mA 45 nC @ 18 V +22V, -10V 1322 pF @ 400 V - 155W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
    PJMH074N60FRCH_T0_00601

    PJMH074N60FRCH_T0_00601

    600V/ 74M / 53A/ FAST RECOVERY Q

    Panjit International Inc.

    1,491
    PJMH074N60FRCH_T0_00601

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 53A 10V - - 84 nC @ 10 V ±30V - - - - - - Through Hole TO-247AD
    SIHP054N65E-GE3

    SIHP054N65E-GE3

    E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,

    Vishay Siliconix

    1,037
    SIHP054N65E-GE3

    Техническая документация

    E TO-220-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 47A (Tc) 10V 58mOhm @ 20A, 10V 5V @ 250µA 108 nC @ 20 V ±30V 3769 pF @ 100 V - 312W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IPDQ60R035CFD7XTMA1

    IPDQ60R035CFD7XTMA1

    HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

    Infineon Technologies

    750
    IPDQ60R035CFD7XTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active - MOSFET (Metal Oxide) 600 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    Total 36322 Record«Prev1... 314315316317318319320321...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.