БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    AOK060V65X2

    AOK060V65X2

    650V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    240
    AOK060V65X2

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 29A (Tc) 15V 80mOhm @ 6A, 15V 3.5V @ 6mA 39.4 nC @ 15 V +15V, -5V 1165 pF @ 400 V - 103W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    AOM060V65X2

    AOM060V65X2

    650V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    240
    AOM060V65X2

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 29A (Tc) 15V 80mOhm @ 6A, 15V 3.5V @ 6mA 39.4 nC @ 15 V +15V, -5V 1165 pF @ 400 V - 103W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    SIHF074N65E-GE3

    SIHF074N65E-GE3

    E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL

    Vishay Siliconix

    988
    SIHF074N65E-GE3

    Техническая документация

    E TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 14A (Tc) 10V 79mOhm @ 15A, 10V 5V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±30V 2904 pF @ 100 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
    FCMT080N65S3

    FCMT080N65S3

    MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN

    onsemi

    3,000
    FCMT080N65S3

    Техническая документация

    SuperFET® III 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 38A (Tc) 10V 80mOhm @ 19A, 10V 4.5V @ 880µA 71 nC @ 10 V ±30V 2765 pF @ 400 V - 260W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-TDFN (8x8)
    SICW400N170A-BP

    SICW400N170A-BP

    MOSFET N-CH 1700V 6A TO247AB

    Micro Commercial Co

    1,795
    SICW400N170A-BP

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 6A (Tc) 16V, 20V 500mOhm @ 3A, 20V 4.5V @ 5mA 31 nC @ 20 V +25V, -5V 333 pF @ 1000 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AB
    NTBG032N065M3S

    NTBG032N065M3S

    SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S

    onsemi

    615
    NTBG032N065M3S

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 52A (Tc) 15V, 18V 44mOhm @ 15A, 18V 4V @ 7.5mA 55 nC @ 18 V +22V, -8V 1409 pF @ 400 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
    PSMN015N10NS2_R2_00201

    PSMN015N10NS2_R2_00201

    100V/ 1.5M / TOLL FOR ESS/ BBU/

    Panjit International Inc.

    1,484
    PSMN015N10NS2_R2_00201

    Техническая документация

    - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 395A 4.5V, 10V - - 128 nC @ 10 V ±20V - - - - - - Surface Mount TOLL
    IMT40R025M2HXTMA1

    IMT40R025M2HXTMA1

    SIC-MOS

    Infineon Technologies

    1,988
    IMT40R025M2HXTMA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 400 V 9A (Ta), 68A (Tc) 15V, 18V 32.1mOhm @ 15.7A, 18V 5.6V @ 5.6mA 36 nC @ 18 V +23V, -7V 1690 pF @ 200 V - 3.8W (Ta), 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
    IMZA75R060M1HXKSA1

    IMZA75R060M1HXKSA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    238
    IMZA75R060M1HXKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 32A (Tc) 15V, 20V 55mOhm @ 11.1A, 20V 5.6V @ 4mA 23 nC @ 18 V +23V, -5V 779 pF @ 500 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
    AOK150V120X2Q

    AOK150V120X2Q

    1200V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    240
    AOK150V120X2Q

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 20A (Tc) 15V 195mOhm @ 3.9A, 15V 3.6V @ 3.9mA 28.3 nC @ 15 V +18V, -8V 664 pF @ 800 V - 115W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247
    PJMP099N60EC_T0_00601

    PJMP099N60EC_T0_00601

    600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER

    Panjit International Inc.

    2,000
    PJMP099N60EC_T0_00601

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 39A (Tc) 10V 99mOhm @ 19.5A, 10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±30V 2568 pF @ 400 V - 308W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB-L
    IPTG020N13NM6ATMA1

    IPTG020N13NM6ATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    1,488
    IPTG020N13NM6ATMA1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SIHP074N65E-GE3

    SIHP074N65E-GE3

    E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,

    Vishay Siliconix

    1,000
    SIHP074N65E-GE3

    Техническая документация

    E TO-220-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 35A (Tc) 10V 79mOhm @ 15A, 10V 5V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±30V 2904 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    NVMTS001N06CLTXG

    NVMTS001N06CLTXG

    T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSI

    onsemi

    5,433
    NVMTS001N06CLTXG

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active - - - 56.9A (Ta), 398.2A (Tc) - - - - - - - - - Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
    IPQC60R040S7AXTMA1

    IPQC60R040S7AXTMA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    730
    IPQC60R040S7AXTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14A (Tc) 12V 40mOhm @ 13A, 12V 4.5V @ 790µA 83 nC @ 12 V ±20V - - 272W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HDSOP-22
    IPDQ60R040S7AXTMA1

    IPDQ60R040S7AXTMA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    720
    IPDQ60R040S7AXTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14A (Tc) 12V 40mOhm @ 13A, 12V 4.5V @ 790µA 83 nC @ 12 V ±20V - - 272W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    SCT3160KW7HRTL

    SCT3160KW7HRTL

    1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    1,990
    SCT3160KW7HRTL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17A (Tc) 18V 208mOhm @ 5A, 18V 5.6V @ 2.5mA 42 nC @ 18 V +22V, -4V 398 pF @ 800 V - - 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7L
    TK068N65Z5,S1F

    TK068N65Z5,S1F

    650V DTMOS6-HSD TO-247 68MOHM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    235
    TK068N65Z5,S1F

    Техническая документация

    DTMOSVI TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 37A (Ta) 10V 68mOhm @ 18.5A, 10V 4.5V @ 1.69mA 68 nC @ 10 V ±30V 3765 pF @ 300 V - 270W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-247
    SIHG47N65E-GE3

    SIHG47N65E-GE3

    MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC

    Vishay Siliconix

    486
    SIHG47N65E-GE3

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 47A (Tc) 10V 72mOhm @ 24A, 10V 4V @ 250µA 273 nC @ 10 V ±30V 5682 pF @ 100 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    SCT3160KWATL

    SCT3160KWATL

    1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    1,000
    SCT3160KWATL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17A (Tj) 18V 208mOhm @ 5A, 18V 5.6V @ 2.5mA 42 nC @ 18 V +22V, -4V 398 pF @ 800 V - - 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7LA
    Total 36322 Record«Prev1... 313314315316317318319320...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.