БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPB022N12NM6ATMA1

    IPB022N12NM6ATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    945
    IPB022N12NM6ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 6 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 29A (Ta), 167A (Tc) 8V, 10V 2.2mOhm @ 100A, 10V 3.6V @ 275µA 141 nC @ 10 V ±20V 11000 pF @ 60 V - 3.8W (Ta), 395W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    AIMZA75R140M1HXKSA1

    AIMZA75R140M1HXKSA1

    IGBT

    Infineon Technologies

    230
    AIMZA75R140M1HXKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 16A (Tj) 15V, 20V 129mOhm @ 4.7A, 20V 5.6V @ 1.7mA 13 nC @ 18 V +23V, -5V 351 pF @ 500 V - 86W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-4
    R6077VNZC17

    R6077VNZC17

    600V 29A TO-3PF, PRESTOMOS WITH

    Rohm Semiconductor

    420
    R6077VNZC17

    Техническая документация

    - TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V, 15V 51mOhm @ 23A, 15V 6.5V @ 1.9mA 108 nC @ 10 V ±30V 5200 pF @ 100 V - 113W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    GAN111-650WSBQ

    GAN111-650WSBQ

    GAN111-650WSB/SOT429/TO-247

    Nexperia USA Inc.

    249
    GAN111-650WSBQ

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 21A (Ta) 10V 114mOhm @ 14A, 10V 4.8V @ 1mA 4.9 nC @ 10 V ±20V 336 pF @ 400 V - 107W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3L
    NTBLS001N06C

    NTBLS001N06C

    MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF

    onsemi

    1,764
    NTBLS001N06C

    Техническая документация

    - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 51A (Ta), 422A (Tc) 6V, 10V 0.9mOhm @ 80A, 10V 4V @ 562µA 143 nC @ 10 V ±20V 11575 pF @ 30 V - 4.2W (Ta), 284W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
    AOK150V120X2

    AOK150V120X2

    1200V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    220
    AOK150V120X2

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 20A (Tc) 15V 195mOhm @ 3.9A, 15V 3.6V @ 3.9mA 28.3 nC @ 15 V +15V, -5V 664 pF @ 800 V - 115W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    IPF021N13NM6ATMA1

    IPF021N13NM6ATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    820
    IPF021N13NM6ATMA1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPT129N20NM6ATMA1

    IPT129N20NM6ATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    1,895
    IPT129N20NM6ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 6 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 11A (Ta), 87A (Tc) 10V, 15V 12mOhm @ 65A, 15V 4.5V @ 129µA 56 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 100 V - 3.8W (Ta), 234W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-1
    R6049YNZ4C13

    R6049YNZ4C13

    NCH 600V 49A, TO-247G, POWER MOS

    Rohm Semiconductor

    590
    R6049YNZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 49A (Tc) 10V, 12V 82mOhm @ 11A, 12V 6V @ 2.9mA 65 nC @ 10 V ±30V 2940 pF @ 100 V - 448W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    MCTL300N10YHE3-TP

    MCTL300N10YHE3-TP

    N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L

    Micro Commercial Co

    3,900
    MCTL300N10YHE3-TP

    Техническая документация

    - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 300A (Tc) 10V 1.55mOhm @ 30A, 10V 3.9V @ 250µA 166 nC @ 10 V ±20V 10051 pF @ 50 V - 375W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TOLL-8L
    RJ1R10BBHTL1

    RJ1R10BBHTL1

    NCH 150V 105A, TO-263AB, POWER M

    Rohm Semiconductor

    790
    RJ1R10BBHTL1

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 105A (Tc) 6V, 10V 8.2mOhm @ 50A, 10V 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V ±20V 7750 pF @ 75 V - 181W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
    R6038YNZ4C13

    R6038YNZ4C13

    600V 38A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

    Rohm Semiconductor

    569
    R6038YNZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 38A (Tj) 10V, 12V 96mOhm @ 9A, 12V 6V @ 2.5mA 50 nC @ 10 V ±30V 2350 pF @ 100 V - 348W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    NTPF095N65S3H

    NTPF095N65S3H

    POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

    onsemi

    715
    NTPF095N65S3H

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tj) 10V 95mOhm @ 15A, 10V 4V @ 2.8mA 58 nC @ 10 V ±30V 2833 pF @ 400 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IPI60R099CPXKSA1

    IPI60R099CPXKSA1

    MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3

    Infineon Technologies

    493
    IPI60R099CPXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 31A (Tc) 10V 99mOhm @ 18A, 10V 3.5V @ 1.2mA 80 nC @ 10 V ±20V 2800 pF @ 100 V - 255W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    NVHL1000N170M1

    NVHL1000N170M1

    SIC 1700V MOS 1O IN TO247-3L

    onsemi

    397
    NVHL1000N170M1

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 4.2A (Tc) 20V 1.43Ohm @ 2A, 20V 4.3V @ 640µA 14 nC @ 20 V +25V, -15V 150 pF @ 1000 V - 48W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    IMTA65R050M2HXTMA1

    IMTA65R050M2HXTMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    254
    IMTA65R050M2HXTMA1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPA65R065C7XKSA1

    IPA65R065C7XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP

    Infineon Technologies

    230
    IPA65R065C7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ C7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Tc) 10V 65mOhm @ 17.1A, 10V 4V @ 850µA 64 nC @ 10 V ±20V 3020 pF @ 400 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    IPT60T040S7XTMA1

    IPT60T040S7XTMA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    1,998
    IPT60T040S7XTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tj) 12V 40mOhm @ 13A, 12V 4.5V @ 780µA 83 nC @ 12 V ±20V 3128 pF @ 300 V - 245W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
    NTHL023N065M3S

    NTHL023N065M3S

    SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S

    onsemi

    315
    NTHL023N065M3S

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 67.9A (Tc) 15V, 18V 23mOhm @ 20A, 18V 2.62V @ 10mA 70.1 nC @ 18 V +22V, -8V 1782 pF @ 400 V - 245W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3LD
    NTMTS1D5N08MC

    NTMTS1D5N08MC

    PTNG 80V IN CEBU PQFN88

    onsemi

    3,000
    NTMTS1D5N08MC

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 33A (Ta), 287A (Tc) 6V, 10V 1.56mOhm @ 80A, 10V 4V @ 650µA 140 nC @ 10 V ±20V 10400 pF @ 40 V - 3.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
    Total 36322 Record«Prev1... 310311312313314315316317...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.