БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPF129N20NM6ATMA1

    IPF129N20NM6ATMA1

    IPF129N20NM6ATMA1

    Infineon Technologies

    864
    IPF129N20NM6ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 6 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 11A (Ta), 87A (Tc) 10V, 15V 12mOhm @ 65A, 15V 4.5V @ 129µA 56 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 100 V - 3.8W (Ta), 234W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
    AIMDQ75R090M1HXUMA1

    AIMDQ75R090M1HXUMA1

    AIMDQ75R090M1HXUMA1

    Infineon Technologies

    750
    AIMDQ75R090M1HXUMA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 24A (Tj) 15V, 20V 83mOhm @ 7.4A, 20V 5.6V @ 2.6mA 15 nC @ 18 V +23V, -5V 542 pF @ 500 V - 128W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HDSOP-22
    GS-065-011-1-L-MR

    GS-065-011-1-L-MR

    GS-065-011-1-L-MR

    Infineon Technologies Canada Inc.

    136
    GS-065-011-1-L-MR

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 6V 190mOhm @ 3.2A, 6V 2.6V @ 2.4mA 2.2 nC @ 6 V +7V, -10V 70 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (5x6)
    IPDQ65R060CFD7AXTMA1

    IPDQ65R060CFD7AXTMA1

    AUTOMOTIVE_COOLMOS

    Infineon Technologies

    390
    IPDQ65R060CFD7AXTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 45A (Tc) 10V 60mOhm @ 16.4A, 10V 4.5V @ 820µA 65 nC @ 10 V ±20V 3288 pF @ 400 V - 272W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    NTBL075N065SC1

    NTBL075N065SC1

    M2 650V SIC MOSFET 75MOHM WITH T

    onsemi

    1,979
    NTBL075N065SC1

    Техническая документация

    - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 37A (Tj) 15V, 18V 85mOhm @ 15A, 18V 4.3V @ 5mA 59 nC @ 18 V +22V, -8V 1191 pF @ 325 V - 139W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
    NVB095N65S3F

    NVB095N65S3F

    SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3

    onsemi

    1,533
    NVB095N65S3F

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 36A (Tc) 10V 95mOhm @ 18A, 10V 5V @ 860µA 66 nC @ 10 V ±30V 3020 pF @ 400 V - 272W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IPZ60R099P6FKSA1

    IPZ60R099P6FKSA1

    MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4

    Infineon Technologies

    188
    IPZ60R099P6FKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P6 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 37.9A (Tc) 10V 99mOhm @ 14.5A, 10V 4.5V @ 1.21mA 70 nC @ 10 V ±20V 3330 pF @ 100 V - 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
    PJMH099N60EC_T0_00601

    PJMH099N60EC_T0_00601

    600V/ 99M / 39A/ EASY TO DRIVER

    Panjit International Inc.

    1,500
    PJMH099N60EC_T0_00601

    Техническая документация

    - - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NVBLS1D7N10MCTXG

    NVBLS1D7N10MCTXG

    PTNG 100V STD TOLL

    onsemi

    1,855
    NVBLS1D7N10MCTXG

    Техническая документация

    - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 32.4A (Ta), 265A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 80A, 10V 4V @ 698µA 115 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 50 V - 4.5W (Ta), 303W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-HPSOF
    SIHG085N60EF-GE3

    SIHG085N60EF-GE3

    EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

    Vishay Siliconix

    942
    SIHG085N60EF-GE3

    Техническая документация

    EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 34A (Tc) 10V 84mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2733 pF @ 100 V - 184W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    R6038YNX3C16

    R6038YNX3C16

    600V 38A TO-220AB, HIGH-SPEED SW

    Rohm Semiconductor

    1,000
    R6038YNX3C16

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 38A (Tc) 10V, 12V 96mOhm @ 9A, 12V 6V @ 2.5mA 50 nC @ 10 V ±30V 2350 pF @ 100 V - 348W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SIHG28N60EF-GE3

    SIHG28N60EF-GE3

    MOSFET N-CH 600V 28A TO247AC

    Vishay Siliconix

    500
    SIHG28N60EF-GE3

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 28A (Tc) 10V 123mOhm @ 14A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±30V 2714 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IRFP4768PBFXKMA1

    IRFP4768PBFXKMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    388
    IRFP4768PBFXKMA1

    Техническая документация

    HEXFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 93A (Tc) 10V 17.5mOhm @ 56A, 10V 5V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V 10880 pF @ 50 V - 520W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-901
    AOTL66810Q

    AOTL66810Q

    LINEAR IC

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    1,813
    AOTL66810Q

    Техническая документация

    AlphaSGT2™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 63A (Ta), 445A (Tc) 8V, 10V 1.25mOhm @ 100A, 10V 3.6V @ 250µA 245 nC @ 10 V ±20V 13000 pF @ 40 V - 10W (Ta), 500W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TOLLA
    IMBG40R036M2HXTMA1

    IMBG40R036M2HXTMA1

    SIC-MOS

    Infineon Technologies

    984
    IMBG40R036M2HXTMA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 400 V 7.6A (Ta), 50A (Tc) 15V, 18V 45.7mOhm @ 11.1A, 18V 5.6V @ 4mA 26 nC @ 18 V +23V, -7V 1170 pF @ 200 V - 3.8W (Ta), 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-11
    S2M0120120J

    S2M0120120J

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    327
    S2M0120120J

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 21A (Tc) 20V 150mOhm @ 13.3A, 20V 4V @ 3.3mA 29.6 nC @ 20 V +20V, -5V 652 pF @ 1000 V - 153W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    FDMT800152DC

    FDMT800152DC

    MOSFET N-CH 150V 8 DUAL COOL88

    onsemi

    2,694
    FDMT800152DC

    Техническая документация

    Dual Cool™, PowerTrench® 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 13A (Ta), 72A (Tc) 6V, 10V 9mOhm @ 13A, 10V 4V @ 250µA 83 nC @ 10 V ±20V 5875 pF @ 75 V - 3.2W (Ta), 113W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-Dual Cool™88
    IPTG029N13NM6ATMA1

    IPTG029N13NM6ATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    1,800
    IPTG029N13NM6ATMA1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    R6049YNXC7G

    R6049YNXC7G

    NCH 600V 22A, TO-220FM, POWER MO

    Rohm Semiconductor

    975
    R6049YNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V, 12V 82mOhm @ 11A, 12V 6V @ 2.9mA 65 nC @ 10 V ±30V 2940 pF @ 100 V - 90W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    NVHL082N65S3HF

    NVHL082N65S3HF

    SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH

    onsemi

    420
    NVHL082N65S3HF

    Техническая документация

    SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 40A (Tc) 10V 82mOhm @ 20A, 10V 5V @ 1mA 78 nC @ 10 V ±30V 3627 pF @ 400 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    Total 36322 Record«Prev1... 308309310311312313314315...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.