БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPT009N06NM5ATMA1

    IPT009N06NM5ATMA1

    TRENCH 40<-<100V

    Infineon Technologies

    1,990
    IPT009N06NM5ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 48A (Ta), 427A (Tc) 6V, 10V 0.9mOhm @ 150A, 10V 3.3V @ 220µA 257 nC @ 10 V ±20V 16000 pF @ 30 V - 3.8W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8
    IMLT65R060M2HXTMA1

    IMLT65R060M2HXTMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    364
    IMLT65R060M2HXTMA1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    GS-065-011-2-L-MR

    GS-065-011-2-L-MR

    GS-065-011-2-L-MR

    Infineon Technologies Canada Inc.

    180
    GS-065-011-2-L-MR

    Техническая документация

    - 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 6V 195mOhm @ 3.2A, 6V 2.6V @ 2.4mA 2.2 nC @ 6 V +7V, -10V 70 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (8x8)
    IPB65R075CFD7AATMA1

    IPB65R075CFD7AATMA1

    AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3

    Infineon Technologies

    826
    IPB65R075CFD7AATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 32A (Tc) 10V 75mOhm @ 16.4A, 10V 4.5V @ 820µA 68 nC @ 10 V ±20V 3288 pF @ 400 V - 171W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    MCBS260N10YHE3-TP

    MCBS260N10YHE3-TP

    N-CHANNEL MOSFET,TO-263-7

    Micro Commercial Co

    1,600
    MCBS260N10YHE3-TP

    Техническая документация

    - TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 260A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 161 nC @ 10 V ±20V 10589 pF @ 30 V - 375W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
    IPT026N12NM6ATMA1

    IPT026N12NM6ATMA1

    IPT026N12NM6ATMA1

    Infineon Technologies

    1,910
    IPT026N12NM6ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 6 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 23A (Ta), 224A (Tc) 8V, 10V 2.6mOhm @ 115A, 10V 3.6V @ 169µA 88 nC @ 10 V ±20V 6500 pF @ 60 V - 3W (Ta), 283W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-1
    IMZA75R090M1HXKSA1

    IMZA75R090M1HXKSA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    218
    IMZA75R090M1HXKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 23A (Tj) 15V, 20V 83mOhm @ 7.4A, 20V 5.6V @ 2.6mA 15 nC @ 18 V +23V, -5V 542 pF @ 500 V - 113W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
    IPT65R060CFD7XTMA1

    IPT65R060CFD7XTMA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    1,988
    IPT65R060CFD7XTMA1

    Техническая документация

    - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active - - 650 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount PG-HSOF-8-3
    NVHL110N65S3HF

    NVHL110N65S3HF

    SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 110MO

    onsemi

    430
    NVHL110N65S3HF

    Техническая документация

    SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 110mOhm @ 15A, 10V 5V @ 740µA 58 nC @ 10 V ±30V 2753 pF @ 400 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    GANE3R9-150QBAZ

    GANE3R9-150QBAZ

    GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7

    Nexperia USA Inc.

    2,430
    GANE3R9-150QBAZ

    Техническая документация

    - 25-PowerVFQFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 150 V 100A (Ta) 5V 3.9mOhm @ 30A, 5V 2.1V @ 12mA 20 nC @ 5 V +6V, -4V 2200 pF @ 75 V - 65W (Ta) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 25-VQFN (4x6)
    NVH082N65S3F

    NVH082N65S3F

    SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 82MOH

    onsemi

    438
    NVH082N65S3F

    Техническая документация

    SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 40A (Tc) 10V 82mOhm @ 20A, 10V 5V @ 1mA 81 nC @ 10 V ±30V 3410 pF @ 400 V - 313W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    TSM60NE069CIT C0G

    TSM60NE069CIT C0G

    600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL HIGH

    Taiwan Semiconductor Corporation

    2,000
    TSM60NE069CIT C0G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V, 12V 60mOhm @ 8A, 12V 6V @ 3.5mA 89 nC @ 10 V ±30V 3551 pF @ 300 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220TL
    NTBLS1D7N10MCTXG

    NTBLS1D7N10MCTXG

    MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,

    onsemi

    1,930
    NTBLS1D7N10MCTXG

    Техническая документация

    - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 29A (Ta), 272A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 80A, 10V 4V @ 698µA 115 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 50 V - 3.4W (Ta), 295W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-HPSOF
    IPDQ60R045CFD7XTMA1

    IPDQ60R045CFD7XTMA1

    HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22

    Infineon Technologies

    750
    IPDQ60R045CFD7XTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active - MOSFET (Metal Oxide) 600 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    IXFH46N30T

    IXFH46N30T

    MOSFET N-CH 300V 46A TO247

    Littelfuse Inc.

    300
    IXFH46N30T

    Техническая документация

    HiPerFET™, Trench TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 46A (Tc) 10V 80mOhm @ 23A, 10V 5V @ 4mA 86 nC @ 10 V ±20V 4770 pF @ 25 V - 460W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 (IXTH)
    IPA60R060C7XKSA1

    IPA60R060C7XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 16A TO220

    Infineon Technologies

    286
    IPA60R060C7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ C7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 60mOhm @ 15.9A, 10V 4V @ 800µA 68 nC @ 10 V ±20V 2850 pF @ 400 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    SIHR080N60E-T1-GE3

    SIHR080N60E-T1-GE3

    E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8

    Vishay Siliconix

    1,990
    SIHR080N60E-T1-GE3

    Техническая документация

    E 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 51A (Tc) 10V 84mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2557 pF @ 100 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
    NVBG095N65S3F

    NVBG095N65S3F

    SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L

    onsemi

    603
    NVBG095N65S3F

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 36A (Tc) 10V 95mOhm @ 18A, 10V 5V @ 860µA 66 nC @ 10 V ±30V 3020 pF @ 400 V - 272W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
    NVBG1000N170M1

    NVBG1000N170M1

    SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L

    onsemi

    1,280
    NVBG1000N170M1

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 4.3A (Tc) 20V 1.43Ohm @ 2A, 20V 4.3V @ 640µA 14 nC @ 20 V +25V, -15V 150 pF @ 1000 V - 51W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
    RJ1P10BBHTL1

    RJ1P10BBHTL1

    NCH 100V 105A, TO-263AB, POWER M

    Rohm Semiconductor

    730
    RJ1P10BBHTL1

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 105A (Tc) 6V, 10V 3mOhm @ 90A, 10V 4V @ 1mA 135 nC @ 10 V ±20V 8600 pF @ 50 V - 189W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB
    Total 36322 Record«Prev1... 309310311312313314315316...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.