БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IXFH16N50P3

    IXFH16N50P3

    MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD

    Littelfuse Inc.

    290
    IXFH16N50P3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar3™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 16A (Tc) 10V 360mOhm @ 8A, 10V 5V @ 2.5mA 29 nC @ 10 V ±30V 1515 pF @ 25 V - 330W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD (IXFH)
    TK16G60W,RVQ

    TK16G60W,RVQ

    MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    984
    TK16G60W,RVQ

    Техническая документация

    DTMOSIV TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15.8A (Ta) 10V 190mOhm @ 7.9A, 10V 3.7V @ 790µA 38 nC @ 10 V ±30V 1350 pF @ 300 V - 130W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    STW35N65DM2

    STW35N65DM2

    MOSFET N-CH 650V 32A TO247

    STMicroelectronics

    816
    STW35N65DM2

    Техническая документация

    MDmesh™ DM2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 32A (Tc) 10V 110mOhm @ 16A, 10V 5V @ 250µA 56.3 nC @ 10 V ±25V 2540 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    NVHL095N65S3F

    NVHL095N65S3F

    SF3 FRFET AUTO 95MOHM TO-247

    onsemi

    418
    NVHL095N65S3F

    Техническая документация

    SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 36A (Tc) 10V 95mOhm @ 18A, 10V 5V @ 860µA 66 nC @ 10 V ±30V 3020 pF @ 400 V - 272W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    SIHB24N65E-GE3

    SIHB24N65E-GE3

    MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

    Vishay Siliconix

    1,868
    SIHB24N65E-GE3

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 145mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V 2740 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IPTG018N10NM5ATMA1

    IPTG018N10NM5ATMA1

    TRENCH >=100V PG-HSOG-8

    Infineon Technologies

    1,700
    IPTG018N10NM5ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 32A (Ta), 273A Tc) 6V, 10V 1.8mOhm @ 150A, 10V 3.8V @ 202µA 152 nC @ 10 V ±20V 11000 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 273W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOG-8-1
    NVHL095N65S3HF

    NVHL095N65S3HF

    SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 95MOH

    onsemi

    450
    NVHL095N65S3HF

    Техническая документация

    SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 36A (Tc) 10V 95mOhm @ 18A, 10V 5V @ 860µA 66 nC @ 10 V ±30V 3105 pF @ 400 V - 272W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IPB65R110CFDATMA2

    IPB65R110CFDATMA2

    MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3

    Infineon Technologies

    1,960
    IPB65R110CFDATMA2

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 31.2A (Tc) 10V 110mOhm @ 12.7A, 10V 4.5V @ 1.3mA 118 nC @ 10 V ±20V 3240 pF @ 100 V - 277.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    SIHP085N60EF-GE3

    SIHP085N60EF-GE3

    EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

    Vishay Siliconix

    1,995
    SIHP085N60EF-GE3

    Техническая документация

    EF TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 34A (Tc) 10V 84mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2733 pF @ 100 V - 184W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IMWH170R450M1XKSA1

    IMWH170R450M1XKSA1

    IMWH170R450M1XKSA1

    Infineon Technologies

    252
    IMWH170R450M1XKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-247-3 Tray Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 10A (Tj) 12V, 15V 390mOhm @ 2A, 15V 5.7V @ 2.6mA 11.7 nC @ 12 V 15V, 12V 506 pF @ 1000 V - 111W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-U04
    SIHF30N60E-GE3

    SIHF30N60E-GE3

    MOSFET N-CH 600V 29A TO220

    Vishay Siliconix

    2,975
    SIHF30N60E-GE3

    Техническая документация

    E TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 29A (Tc) 10V 125mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V 2600 pF @ 100 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
    MCBS260N10Y-TP

    MCBS260N10Y-TP

    N-CHANNEL MOSFET,TO-263-7

    Micro Commercial Co

    1,508
    MCBS260N10Y-TP

    Техническая документация

    - TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 260A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 161 nC @ 10 V ±20V 10589 pF @ 25 V - 375W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    SIHG24N65E-GE3

    SIHG24N65E-GE3

    MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

    Vishay Siliconix

    610
    SIHG24N65E-GE3

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 145mOhm @ 12A, 10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V 2740 pF @ 100 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    CDF56G7032N TR13 PBFREE

    CDF56G7032N TR13 PBFREE

    SURFACE MOUNT MOSFET

    Central Semiconductor Corp

    2,500
    CDF56G7032N TR13 PBFREE

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 18A (Tc) 6V 140mOhm @ 5A, 6V 2.5V @ 17.2mA 3.5 nC @ 6 V +7V, -6V 125 pF @ 400 V - 1.1W (Ta), 113W (Tc) -55°C ~ 155°C (TJ) - - Surface Mount, Wettable Flank 8-DFN (5x6)
    TK095N65Z5,S1F(S

    TK095N65Z5,S1F(S

    650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE

    Toshiba Semiconductor and Storage

    195
    TK095N65Z5,S1F(S

    Техническая документация

    DTMOSVI TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 29A (Ta) 10V 95mOhm @ 14.5A, 10V 4.5V @ 1.27mA 50 nC @ 10 V ±30V 2880 pF @ 300 V - 230W (Tc) 150°C - - Through Hole TO-247
    XP10NA1R5TL

    XP10NA1R5TL

    MOSFET N-CH 100V 300A TOLL

    YAGEO XSEMI

    987
    XP10NA1R5TL

    Техническая документация

    XP10NA1R5 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 300A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 304 nC @ 10 V ±20V 16960 pF @ 80 V - 3.75W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TOLL
    MSC180SMA120SDT/R

    MSC180SMA120SDT/R

    MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26

    Microchip Technology

    773
    MSC180SMA120SDT/R

    Техническая документация

    mSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 21A (Tc) 18V, 20V 225mOhm @ 8A, 20V 5V @ 500µA 36 nC @ 20 V +23V, -10V 481 pF @ 1.2 kV - 146W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    SIHF085N60EF-GE3

    SIHF085N60EF-GE3

    EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU

    Vishay Siliconix

    1,000
    SIHF085N60EF-GE3

    Техническая документация

    EF TO-220-3 Full Pack Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 84mOhm @ 17A, 10V 5V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 2733 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
    IPW95R130PFD7XKSA1

    IPW95R130PFD7XKSA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    314
    IPW95R130PFD7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 36.5A 10V - - 141 nC @ 10 V ±20V - - 227W -55°C ~ 150°C - - Through Hole PG-TO247-3-41
    NTMTS002N08MC

    NTMTS002N08MC

    PTNG 80V IN CEBU PQFN88

    onsemi

    2,948
    NTMTS002N08MC

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 29A (Ta), 229A (Tc) 6V, 10V 2mOhm @ 90A, 10V 4V @ 540µA 125 nC @ 10 V ±20V 8900 pF @ 40 V - 3.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
    Total 36322 Record«Prev1... 306307308309310311312313...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.