БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      GAN140-650EBEZ

      GAN140-650EBEZ

      650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE

      Nexperia USA Inc.

      		 2,429
      Запрос на предложение
      		GAN140-650EBEZ

      Техническая документация

             		- 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 17A (Tc) 6V 140mOhm @ 5A, 6V 2.5V @ 17.2mA 3.5 nC @ 6 V +7V, -1.4V 125 pF @ 400 V - 113W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount, Wettable Flank DFN8080-8
      STFU23N80K5

      STFU23N80K5

      MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP

      STMicroelectronics

      		 619
      Запрос на предложение
      		STFU23N80K5

      Техническая документация

             		MDmesh™ K5 TO-220-3 Full Pack Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 16A (Tc) 10V 280mOhm @ 8A, 10V 5V @ 100µA 33 nC @ 10 V ±30V 1000 pF @ 100 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
      IMZA75R140M1HXKSA1

      IMZA75R140M1HXKSA1

      SILICON CARBIDE MOSFET

      Infineon Technologies

      		 235
      Запрос на предложение
      		IMZA75R140M1HXKSA1

      Техническая документация

             		CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 16A (Tj) 15V, 20V 129mOhm @ 4.7A, 20V 5.6V @ 1.7mA 13 nC @ 18 V +23V, -5V 351 pF @ 500 V - 86W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
      DMTH10H1M7STLW-13

      DMTH10H1M7STLW-13

      MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

      Diodes Incorporated

      		 1,422
      Запрос на предложение
      		DMTH10H1M7STLW-13

      Техническая документация

             		- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 250A (Tc) 10V 2mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 147 nC @ 10 V ±20V 9871 pF @ 50 V - 6W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount POWERDI1012-8
      MCTL160N15Y-TP

      MCTL160N15Y-TP

      N-CHANNEL MOSFET, TOLL-8L

      Micro Commercial Co

      		 3,975
      Запрос на предложение
      		MCTL160N15Y-TP

      Техническая документация

             		- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 160A (Tc) 6V, 10V 6.5mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 157 nC @ 10 V ±25V 9440 pF @ 75 V - 357W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TOLL-8L
      NVH4L110N65S3F

      NVH4L110N65S3F

      SUPERFET3 FRFET AUTOMOTIVE 110MO

      onsemi

      		 448
      Запрос на предложение
      		NVH4L110N65S3F

      Техническая документация

             		SuperFET® III, FRFET® TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 110mOhm @ 15A, 10V 5V @ 740µA 59 nC @ 10 V ±30V 2530 pF @ 400 V - 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
      STH60N099DM9-2AG

      STH60N099DM9-2AG

      MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

      STMicroelectronics

      		 3,248
      Запрос на предложение
      		STH60N099DM9-2AG

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 27A (Tc) 10V 99mOhm @ 13.5A, 10V 4.5V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±30V 2140 pF @ 400 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      SIJK140E-T1-GE3

      SIJK140E-T1-GE3

      N-CHANNEL 40 V (D-S) 175 C MOSFE

      Vishay Siliconix

      		 1,500
      Запрос на предложение
      		SIJK140E-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® Gen V 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 140A (Ta), 795A (Tc) 10V 0.47mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 470 nC @ 10 V ±20V 18510 pF @ 20 V - 17W (Ta), 536W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK®10 x 12
      R8019KNXC7G

      R8019KNXC7G

      800V 19A, TO-220FM, HIGH-SPEED S

      Rohm Semiconductor

      		 1,000
      Запрос на предложение
      		R8019KNXC7G

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 19A (Tc) 10V 265mOhm @ 9.5A, 10V 4.5V @ 7mA 65 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 100 V - 83W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
      IQFH36N04NM6ATMA1

      IQFH36N04NM6ATMA1

      IQFH36N04NM6ATMA1

      Infineon Technologies

      		 2,507
      Запрос на предложение
      		IQFH36N04NM6ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 6 12-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 66A (Ta), 656A (Tc) 6V, 10V 0.36mOhm @ 100A, 10V 2.8V @ 1.05mA 309 nC @ 10 V ±20V 18600 pF @ 20 V - 3W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSON-12-1
      S2M0120120D

      S2M0120120D

      MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

      SMC Diode Solutions

      		 264
      Запрос на предложение
      		S2M0120120D

      Техническая документация

             		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 21A (Tc) 20V 150mOhm @ 13.3A, 20V 4V @ 3.3mA 29.6 nC @ 20 V +20V, -5V 652 pF @ 1000 V - 156W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
      IMBG120R181M2HXTMA1

      IMBG120R181M2HXTMA1

      SIC DISCRETE

      Infineon Technologies

      		 128
      Запрос на предложение
      		IMBG120R181M2HXTMA1

      Техническая документация

             		CoolSiC™ Gen 2 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 14.9A (Tc) 15V, 18V 181.4mOhm @ 3.9A, 18V 5.1V @ 1.2mA 9.7 nC @ 18 V +23V, -10V 350 pF @ 800 V - 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-12
      SIHK155N60E-T1-GE3

      SIHK155N60E-T1-GE3

      E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1

      Vishay Siliconix

      		 4,000
      Запрос на предложение
      		SIHK155N60E-T1-GE3

      Техническая документация

             		E 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19A (Tc) 10V 155mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 1514 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK®10 x 12
      NVMTS1D0N04CLTXG

      NVMTS1D0N04CLTXG

      T6 40V LL AIZU SINGLE NCH PQFN 8

      onsemi

      		 3,000
      Запрос на предложение
      		NVMTS1D0N04CLTXG

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 51.3A (Ta), 291A (Tc) 4.5V, 10V 1mOhm @ 50A, 10V 3V @ 210µA 122 nC @ 10 V ±20V 7408 pF @ 25 V - 4.7W (Ta), 153W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
      MCTL80N20Y-TP

      MCTL80N20Y-TP

      N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L

      Micro Commercial Co

      		 3,964
      Запрос на предложение
      		MCTL80N20Y-TP

      Техническая документация

             		- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 80A (Tc) 10V 13mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 144 nC @ 10 V ±20V 10387 pF @ 25 V - 250W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TOLL-8L
      IPT60T065S7XTMA1

      IPT60T065S7XTMA1

      HIGH POWER_NEW

      Infineon Technologies

      		 1,930
      Запрос на предложение
      		IPT60T065S7XTMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8A (Tc) 12V 65mOhm @ 8A, 12V 4.5V @ 470µA 51 nC @ 12 V ±20V 1932 pF @ 300 V - 167W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
      IMBG40R045M2HXTMA1

      IMBG40R045M2HXTMA1

      SIC-MOS

      Infineon Technologies

      		 945
      Запрос на предложение
      		IMBG40R045M2HXTMA1

      Техническая документация

             		CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 400 V 6.8A (Ta), 43A (Tc) 15V, 18V 56.2mOhm @ 8.9A, 18V 5.6V @ 3.2mA 21 nC @ 18 V +23V, -7V 910 pF @ 200 V - 3.8W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-11
      NVMFS5C404NWFAFT1G

      NVMFS5C404NWFAFT1G

      MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN

      onsemi

      		 760
      Запрос на предложение
      		NVMFS5C404NWFAFT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 53A (Ta), 378A (Tc) 10V 0.7mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 128 nC @ 10 V ±20V 8400 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
      SIHH155N60EF-T1GE3

      SIHH155N60EF-T1GE3

      EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

      Vishay Siliconix

      		 6,000
      Запрос на предложение
      		SIHH155N60EF-T1GE3

      Техническая документация

             		EF 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 155mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±30V 1465 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
      SIHH150N60E-T1-GE3

      SIHH150N60E-T1-GE3

      E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8

      Vishay Siliconix

      		 6,000
      Запрос на предложение
      		SIHH150N60E-T1-GE3

      Техническая документация

             		E 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19A (Tc) 10V 155mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 1514 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
      Total 36322 Record«Prev1... 303304305306307308309310...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]