БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NVMFS5C410NLWFAFT1G

    NVMFS5C410NLWFAFT1G

    MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN

    onsemi

    966
    NVMFS5C410NLWFAFT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Ta), 330A (Tc) 4.5V, 10V 0.82mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 143 nC @ 10 V ±20V 8862 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    MCACL330N04YHE3-TP

    MCACL330N04YHE3-TP

    MOSFET N-CH 40 330A DFN5060-C

    Micro Commercial Co

    10,000
    MCACL330N04YHE3-TP

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 330A (Tc) 6V, 10V 1mOhm @ 75A, 10V 4V @ 250µA 133 nC @ 10 V ±20V 8098 pF @ 30 V - 187.5W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN5060-C
    STP14NK50Z

    STP14NK50Z

    MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB

    STMicroelectronics

    915
    STP14NK50Z

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 14A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 100µA 92 nC @ 10 V ±30V 2000 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    SIHG22N60EF-GE3

    SIHG22N60EF-GE3

    MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC

    Vishay Siliconix

    793
    SIHG22N60EF-GE3

    Техническая документация

    EF TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19A (Tc) 10V 182mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 96 nC @ 10 V ±30V 1423 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    IMWH170R650M1XKSA1

    IMWH170R650M1XKSA1

    IMWH170R650M1XKSA1

    Infineon Technologies

    425
    IMWH170R650M1XKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1700 V 7.5A (Tc) 12V, 15V 580mOhm @ 1.5A, 15V 5.7V @ 1.7mA 8.1 nC @ 12 V 15V, 12V 337 pF @ 1000 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-U04
    NVMFS6H800NWFT1G

    NVMFS6H800NWFT1G

    MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN

    onsemi

    1,500
    NVMFS6H800NWFT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 28A (Ta), 203A (Tc) 10V 2.1mOhm @ 50A, 10V 4V @ 330µA 85 nC @ 10 V ±20V 5530 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
    IQD009N06NM5ATMA1

    IQD009N06NM5ATMA1

    TRENCH 40<-<100V

    Infineon Technologies

    4,943
    IQD009N06NM5ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 6V, 10V 0.9mOhm @ 50A, 10V 3.3V @ 163µA 150 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 30 V - 3W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSON-8-9
    TK5R0A15Q5,S4X

    TK5R0A15Q5,S4X

    150V UMOS10-HSD TO-220SIS 5MOHM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    380
    TK5R0A15Q5,S4X

    Техническая документация

    U-MOSX-H TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 76A (Ta), 76A (Tc) 8V, 10V 5mOhm @ 38A, 10V 4.5V @ 2.2mA 96 nC @ 10 V ±20V 7820 pF @ 75 V - 53W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-220SIS
    SIHG150N60E-GE3

    SIHG150N60E-GE3

    E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,

    Vishay Siliconix

    900
    SIHG150N60E-GE3

    Техническая документация

    E TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V 155mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 1514 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    EPC2308

    EPC2308

    TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN

    EPC

    8,791
    EPC2308

    Техническая документация

    eGaN® 7-PowerWQFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 150 V 48A (Ta) 5V 6mOhm @ 15A, 5V 2.5V @ 5mA 13.8 nC @ 5 V +6V, -4V 2103 pF @ 75 V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 7-QFN (3x5)
    IPB60R105CFD7ATMA1

    IPB60R105CFD7ATMA1

    MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3

    Infineon Technologies

    848
    IPB60R105CFD7ATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V 105mOhm @ 9.3A, 10V 4.5V @ 470µA 42 nC @ 10 V ±20V 1752 pF @ 400 V - 106W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    MCACL320N04YQ-TP

    MCACL320N04YQ-TP

    MOSFET N-CH 40 320A DFN5060

    Micro Commercial Co

    9,981
    MCACL320N04YQ-TP

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 320A (Tc) 6V, 10V 1.1mOhm @ 75A, 10V 3V @ 1mA 88 nC @ 10 V ±20V 6914 pF @ 25 V - 230W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN5060
    NVMFS6H818NLWFT1G

    NVMFS6H818NLWFT1G

    MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN

    onsemi

    3,000
    NVMFS6H818NLWFT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 22A (Ta), 135A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V 2V @ 190µA 64 nC @ 10 V ±20V 3844 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
    NVMFS4C01NWFT1G

    NVMFS4C01NWFT1G

    MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN

    onsemi

    1,500
    NVMFS4C01NWFT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 49A (Ta), 319A (Tc) 4.5V, 10V 0.9mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 139 nC @ 10 V ±20V 10144 pF @ 15 V - 3.84W (Ta), 161W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    CDMSJ22029-650 SL

    CDMSJ22029-650 SL

    SUPER JUNCTION MOSFETS

    Central Semiconductor Corp

    497
    CDMSJ22029-650 SL

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 29A (Tc) 10V 130mOhm @ 10.8A, 10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V 30V 1920 pF @ 400 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IMT65R260M1HXUMA1

    IMT65R260M1HXUMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    1,870
    IMT65R260M1HXUMA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active - SiCFET (Silicon Carbide) 650 V - 18V - - - - - - - - - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
    R6020YNX3C16

    R6020YNX3C16

    NCH 600V 20A, TO-220AB, POWER MO

    Rohm Semiconductor

    973
    R6020YNX3C16

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V, 12V 185mOhm @ 6A, 12V 6V @ 1.65mA 28 nC @ 10 V ±30V 1200 pF @ 100 V - 182W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IPT65R099CFD7XTMA1

    IPT65R099CFD7XTMA1

    MOSFET N-CH 650V 8HSOF

    Infineon Technologies

    1,995
    IPT65R099CFD7XTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
    SIRS4400DP-T1-RE3

    SIRS4400DP-T1-RE3

    N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

    Vishay Siliconix

    5,998
    SIRS4400DP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 77A (Ta), 440A (Tc) 4.5V, 10V 0.69mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 295 nC @ 10 V ±20V 13730 pF @ 20 V - 7.4W (Ta), 240W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    ISC046N13NM6ATMA1

    ISC046N13NM6ATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    3,656
    ISC046N13NM6ATMA1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 36322 Record«Prev1... 299300301302303304305306...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.