БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IPP020N06NAKSA1

      IPP020N06NAKSA1

      MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3

      Infineon Technologies

      		 662
      Запрос на предложение
      		IPP020N06NAKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 29A (Ta), 120A (Tc) 6V, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 2.8V @ 143µA 106 nC @ 10 V ±20V 7800 pF @ 30 V - 3W (Ta), 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
      GS-065-004-6-L-MR

      GS-065-004-6-L-MR

      GS-065-004-6-L-MR

      Infineon Technologies Canada Inc.

      		 357
      Запрос на предложение
      		GS-065-004-6-L-MR

      Техническая документация

             		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 700 V 4.6A (Tc) 6V 455mOhm @ 1.2A, 6V 2.6V @ 1mA 0.8 nC @ 6 V +7V, -10V 26 pF @ 400 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (5x6)
      IPDQ65R099CFD7XTMA1

      IPDQ65R099CFD7XTMA1

      HIGH POWER_NEW

      Infineon Technologies

      		 750
      Запрос на предложение
      		IPDQ65R099CFD7XTMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 29A (Tc) 10V 99mOhm @ 9.7A, 10V 4.5V @ 480µA 39 nC @ 10 V ±20V 1942 pF @ 400 V - 186W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
      DMTH10H2M5STLW-13

      DMTH10H2M5STLW-13

      MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

      Diodes Incorporated

      		 1,257
      Запрос на предложение
      		DMTH10H2M5STLW-13

      Техническая документация

             		- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 215A (Tc) 10V 2.5mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 124.4 nC @ 10 V ±20V 8450 pF @ 50 V - 5.8W (Ta), 230.8W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount POWERDI1012-8
      SIHP17N80E-GE3

      SIHP17N80E-GE3

      MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB

      Vishay Siliconix

      		 1,000
      Запрос на предложение
      		SIHP17N80E-GE3

      Техническая документация

             		E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V 2408 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      SPI21N50C3XKSA1

      SPI21N50C3XKSA1

      MOSFET N-CH 560V 21A TO262-3

      Infineon Technologies

      		 940
      Запрос на предложение
      		SPI21N50C3XKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 560 V 21A (Tc) 10V 190mOhm @ 13.1A, 10V 3.9V @ 1mA 95 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
      IPA65R150CFDXKSA2

      IPA65R150CFDXKSA2

      MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220

      Infineon Technologies

      		 494
      Запрос на предложение
      		IPA65R150CFDXKSA2

      Техническая документация

             		CoolMOS™ CFD2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22.4A (Tc) 10V 150mOhm @ 9.3A, 10V 4.5V @ 900µA 86 nC @ 10 V ±20V 2340 pF @ 100 V - 34.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
      SIHA150N60E-GE3

      SIHA150N60E-GE3

      E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD

      Vishay Siliconix

      		 2,000
      Запрос на предложение
      		SIHA150N60E-GE3

      Техническая документация

             		E TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 10V 155mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 1514 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
      S1M1000170D

      S1M1000170D

      MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V

      SMC Diode Solutions

      		 290
      Запрос на предложение
      		S1M1000170D

      Техническая документация

             		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1700 V 5.2A (Tc) 20V 1.3Ohm @ 2A, 20V 4V @ 500µA 10 nC @ 20 V +25V, -10V 160 pF @ 1000 V - 81W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
      SIHA22N60AE-GE3

      SIHA22N60AE-GE3

      N-CHANNEL 600V

      Vishay Siliconix

      		 979
      Запрос на предложение
      		SIHA22N60AE-GE3

      Техническая документация

             		E TO-220-3 Full Pack Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 96 nC @ 10 V ±30V 1451 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
      IRFIBF30GPBF

      IRFIBF30GPBF

      MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3

      Vishay Siliconix

      		 888
      Запрос на предложение
      		IRFIBF30GPBF

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 1.9A (Tc) 10V 3.7Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
      IPP023N08N5AKSA1

      IPP023N08N5AKSA1

      MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

      Infineon Technologies

      		 352
      Запрос на предложение
      		IPP023N08N5AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 6V, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 208µA 166 nC @ 10 V ±20V 12100 pF @ 40 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
      IQDH35N03LM5ATMA1

      IQDH35N03LM5ATMA1

      TRENCH <= 40V

      Infineon Technologies

      		 4,823
      Запрос на предложение
      		IQDH35N03LM5ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 66A (Ta), 700A (Tc) 4.5V, 10V 0.35mOhm @ 50A, 10V 2V @ 1.46mA 262 nC @ 10 V ±20V 18000 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 278W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSON-8-9
      DMTH4M70SPGWQ-13

      DMTH4M70SPGWQ-13

      MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808

      Diodes Incorporated

      		 4,692
      Запрос на предложение
      		DMTH4M70SPGWQ-13

      Техническая документация

             		- SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 460A (Tc) 10V 0.7mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 117.1 nC @ 10 V ±20V 10053 pF @ 20 V - 5.6W (Ta), 428W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerDI8080-5
      AONS66916

      AONS66916

      N

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 2,756
      Запрос на предложение
      		AONS66916

      Техническая документация

             		AlphaSGT™ 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 6V, 10V 3.6mOhm @ 20A, 10V 3.6V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 5325 pF @ 50 V - 215W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
      TSM60NC196CM2 RNG

      TSM60NC196CM2 RNG

      600V, 28A, SINGLE N-CHANNEL POWE

      Taiwan Semiconductor Corporation

      		 2,394
      Запрос на предложение
      		TSM60NC196CM2 RNG

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 28A (Tc) 10V 196mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 1mA 39 nC @ 10 V ±20V 1566 pF @ 300 V - 152W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
      SIHA155N60EF-GE3

      SIHA155N60EF-GE3

      E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD

      Vishay Siliconix

      		 1,842
      Запрос на предложение
      		SIHA155N60EF-GE3

      Техническая документация

             		EF TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 10V 89mOhm @ 3.7A, 10V 5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 1465 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
      PSMN2R9-100SSEJ

      PSMN2R9-100SSEJ

      POWERMOS ASFETS

      Nexperia USA Inc.

      		 2,000
      Запрос на предложение
      		PSMN2R9-100SSEJ

      Техническая документация

             		- SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 210A (Ta) 10V 2.9mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 188 nC @ 10 V ±20V 13280 pF @ 50 V - 341W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
      PSMN2R5-80SSEJ

      PSMN2R5-80SSEJ

      POWERMOS ASFETS

      Nexperia USA Inc.

      		 1,995
      Запрос на предложение
      		PSMN2R5-80SSEJ

      Техническая документация

             		- SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 190A (Ta) 10V 2.5mOhm @ 25A, 10V 3.6V @ 1mA 174 nC @ 10 V ±20V 13485 pF @ 40 V - 341W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
      FCMT360N65S3

      FCMT360N65S3

      MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN

      onsemi

      		 9,699
      Запрос на предложение
      		FCMT360N65S3

      Техническая документация

             		SuperFET® III 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 360mOhm @ 5A, 10V 4.5V @ 200µA 18 nC @ 10 V ±30V 730 pF @ 400 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-PQFN (8x8)
      Total 36322 Record«Prev1... 295296297298299300301302...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]