БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    MCAC160N06YHE3-TP

    MCAC160N06YHE3-TP

    MOSFET N-CH 60 160A DFN5060

    Micro Commercial Co

    4,791
    MCAC160N06YHE3-TP

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 160A (Tc) 6V, 10V 2.5mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 3586 pF @ 20 V - 150W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN5060
    PJMF190N60E1_T0_00001

    PJMF190N60E1_T0_00001

    600V SUPER JUNCITON MOSFET

    Panjit International Inc.

    1,826
    PJMF190N60E1_T0_00001

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 9.5A, 10V 4V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V 1410 pF @ 400 V - 38W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
    IAUMN08S5N013GAUMA1

    IAUMN08S5N013GAUMA1

    MOSFET_(75V 120V(

    Infineon Technologies

    1,965
    IAUMN08S5N013GAUMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 4-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 250A (Tj) 6V, 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 214µA 179 nC @ 10 V ±20V 12496 pF @ 40 V - 307W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HSOG-4-1
    FCPF190N60E-F154

    FCPF190N60E-F154

    MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F-3

    onsemi

    1,000
    FCPF190N60E-F154

    Техническая документация

    SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20.6A (Tj) - 190mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V 3175 pF @ 25 V - 39W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    IPB65R190CFDATMA2

    IPB65R190CFDATMA2

    MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263-3

    Infineon Technologies

    893
    IPB65R190CFDATMA2

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17.5A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.3A, 10V 4.5V @ 700µA 68 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 100 V - 151W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    SIDR570EP-T1-RE3

    SIDR570EP-T1-RE3

    N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE

    Vishay Siliconix

    5,990
    SIDR570EP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen V PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 30.8A (Ta), 90.9A (Tc) 7.5V, 10V 7.9mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V 3740 pF @ 75 V - 7.5W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
    NVMFS5H600NLT1G

    NVMFS5H600NLT1G

    MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN

    onsemi

    1,500
    NVMFS5H600NLT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 35A (Ta), 250A (Tc) 4.5V, 10V 1.3mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 6680 pF @ 30 V - 3.3W (Ta), 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    IRF740LCPBF-BE3

    IRF740LCPBF-BE3

    MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

    Vishay Siliconix

    975
    IRF740LCPBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 10A (Tc) - 550mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IQD009N06NM5CGATMA1

    IQD009N06NM5CGATMA1

    OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

    Infineon Technologies

    4,872
    IQD009N06NM5CGATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 9-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 6V, 10V 0.9mOhm @ 50A, 10V 3.3V @ 163µA 150 nC @ 10 V ±20V 12000 pF @ 30 V - 3W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TTFN-9-U02
    TK7R4A15Q5,S4X

    TK7R4A15Q5,S4X

    150V UMOS10-HSD TO-220SIS 7.4MOH

    Toshiba Semiconductor and Storage

    400
    TK7R4A15Q5,S4X

    Техническая документация

    U-MOSX-H TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 57A (Tc) 8V, 10V 7.4mOhm @ 28.5A, 10V 4.5V @ 1.4mA 66 nC @ 10 V ±20V 4970 pF @ 75 V - 46W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-220SIS
    IPL60R180P6AUMA1

    IPL60R180P6AUMA1

    MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON

    Infineon Technologies

    4,990
    IPL60R180P6AUMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P6 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22.4A (Tc) 10V 180mOhm @ 9A, 10V 4.5V @ 750µA 44 nC @ 10 V ±20V 2080 pF @ 100 V - 176W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    IPB60R160P6ATMA1

    IPB60R160P6ATMA1

    MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK

    Infineon Technologies

    2,219
    IPB60R160P6ATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P6 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 23.8A (Tc) 10V 160mOhm @ 9A, 10V 4.5V @ 750µA 44 nC @ 10 V ±20V 2080 pF @ 100 V - 176W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    TSM60NE200CIT C0G

    TSM60NE200CIT C0G

    MOSFET

    Taiwan Semiconductor Corporation

    2,000
    TSM60NE200CIT C0G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V, 12V 185mOhm @ 4A, 12V 6V @ 1.65mA 30 nC @ 10 V ±30V 1238 pF @ 300 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220TL
    IAUA180N10S5N029AUMA1

    IAUA180N10S5N029AUMA1

    MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5

    Infineon Technologies

    1,926
    IAUA180N10S5N029AUMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 180A (Tj) 6V, 10V 2.9mOhm @ 90A, 10V 3.8V @ 130µA 105 nC @ 10 V ±20V 7673 pF @ 50 V - 221W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-5-4
    TK210V65Z,LQ

    TK210V65Z,LQ

    MOSFET N-CH 650V 15A 5DFN

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,630
    TK210V65Z,LQ

    Техническая документация

    DTMOSVI 4-VSFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 15A (Ta) 10V 210mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 610µA 25 nC @ 10 V ±30V 1370 pF @ 300 V - 130W (Tc) 150°C - - Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
    MCB2D8N04YHQ-TP

    MCB2D8N04YHQ-TP

    POWER MOSFET

    Micro Commercial Co

    1,600
    MCB2D8N04YHQ-TP

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 164A (Tc) 10V 2.8mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V 3540 pF @ 25 V - 136W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    RD3R05BBHTL1

    RD3R05BBHTL1

    NCH 150V 50A, TO-252, POWER MOSF

    Rohm Semiconductor

    2,370
    RD3R05BBHTL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 50A (Tc) 6V, 10V 29mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 37 nC @ 10 V ±20V 2150 pF @ 75 V - 89W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    TK7R2E15Q5,S1X

    TK7R2E15Q5,S1X

    150V UMOS10-HSD TO-220 7.2MOHM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    400
    TK7R2E15Q5,S1X

    Техническая документация

    U-MOSX-H TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 130A (Ta), 84A (Tc) 8V, 10V 7.2mOhm @ 42A, 10V 4.5V @ 1.4mA 66 nC @ 10 V ±20V 4970 pF @ 75 V - 230W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-220
    IPT65R155CFD7XTMA1

    IPT65R155CFD7XTMA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    2,000
    IPT65R155CFD7XTMA1

    Техническая документация

    - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active - - 650 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount PG-HSOF-8-3
    NVMFWS003N10MCT1G

    NVMFWS003N10MCT1G

    PTNG 100V STD SO8FL HE

    onsemi

    1,420
    NVMFWS003N10MCT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23.7A (Ta), 169A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 50A, 10V 4V @ 351µA 62 nC @ 10 V ±20V 4650 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 194W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
    Total 36322 Record«Prev1... 291292293294295296297298...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.