БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      TK20G60W,RVQ

      TK20G60W,RVQ

      MOSFET N CH 600V 20A D2PAK

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 1,960
      Запрос на предложение
      		TK20G60W,RVQ

      Техническая документация

             		DTMOSIV TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Ta) 10V 155mOhm @ 10A, 10V 3.7V @ 1mA 48 nC @ 10 V ±30V 1680 pF @ 300 V - 165W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
      NVMFS6H824NLWFT1G

      NVMFS6H824NLWFT1G

      MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN

      onsemi

      		 1,490
      Запрос на предложение
      		NVMFS6H824NLWFT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 20A (Ta), 110A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 2V @ 140µA 52 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 116W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
      FDP047N08-F102

      FDP047N08-F102

      MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3

      onsemi

      		 3,179
      Запрос на предложение
      		FDP047N08-F102

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 164A (Tc) 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 250µA 152 nC @ 10 V ±20V 9415 pF @ 25 V - 268W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
      NTMJST2D6N08HTXG

      NTMJST2D6N08HTXG

      TRENCH 8 80V LFPAK 5X7

      onsemi

      		 2,900
      Запрос на предложение
      		NTMJST2D6N08HTXG

      Техническая документация

             		- 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 28A (Ta), 131.5A (Tc) 10V 2.8mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±20V 4405 pF @ 40 V - 5.3W (Ta), 116W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 10-TCPAK
      IPP030N10N5XKSA1

      IPP030N10N5XKSA1

      TRENCH >=100V

      Infineon Technologies

      		 500
      Запрос на предложение
      		IPP030N10N5XKSA1

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 120A (Tc) 6V, 10V 3mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 184µA 139 nC @ 10 V ±20V 10300 pF @ 50 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
      SIDR220DP-T1-GE3

      SIDR220DP-T1-GE3

      MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK

      Vishay Siliconix

      		 5,973
      Запрос на предложение
      		SIDR220DP-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 87.7A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 5.8mOhm @ 20A, 10V 2.1V @ 250µA 200 nC @ 10 V +16V, -12V 1085 pF @ 10 V - 6.25W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
      XPQ1R004PB,LXHQ

      XPQ1R004PB,LXHQ

      40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 4,500
      Запрос на предложение
      		XPQ1R004PB,LXHQ

      Техническая документация

             		U-MOSIX-H 8-PowerBSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 200A (Ta) 6V, 10V 1mOhm @ 100A, 10V 3V @ 500µA 84 nC @ 10 V ±20V 6890 pF @ 10 V - 230W (Tc) 175°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount L-TOGL™
      NVMFWS3D0P04M8LT1G

      NVMFWS3D0P04M8LT1G

      MV8 P INITIAL PROGRAM

      onsemi

      		 1,435
      Запрос на предложение
      		NVMFWS3D0P04M8LT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 28A (Ta), 183A (Tc) 4.5V, 10V 2.7mOhm @ 30A,10V 2.4V @ 2mA 124 nC @ 10 V ±20V 5827 pF @ 20 V - 3.9W (Ta), 171W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
      FDI150N10

      FDI150N10

      MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK

      onsemi

      		 3,026
      Запрос на предложение
      		FDI150N10

      Техническая документация

             		PowerTrench® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 57A (Tc) 10V 16mOhm @ 49A, 10V 4.5V @ 250µA 69 nC @ 10 V ±20V 4760 pF @ 25 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262 (I2PAK)
      XP10NA011H

      XP10NA011H

      MOSFET N-CH 100V 48.5A TO252

      YAGEO XSEMI

      		 1,000
      Запрос на предложение
      		XP10NA011H

      Техническая документация

             		XS10NA011 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 48.5A (Tc) 6V, 10V 11mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V 2288 pF @ 80 V - 2W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
      PSMQC042N10LS2_R2_00201

      PSMQC042N10LS2_R2_00201

      100V/ 4.2M/ EXCELLECT LOW FOM MO

      Panjit International Inc.

      		 5,980
      Запрос на предложение
      		PSMQC042N10LS2_R2_00201

      Техническая документация

             		- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
      TK9R6E15Q5,S1X

      TK9R6E15Q5,S1X

      150V UMOS10-HSD TO-220 9.6MOHM

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 380
      Запрос на предложение
      		TK9R6E15Q5,S1X

      Техническая документация

             		U-MOSX-H TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 104A (Ta), 52A (Tc) 8V, 10V 9.6mOhm @ 26A, 10V 4.5V @ 1.1mA 50 nC @ 10 V ±20V 3690 pF @ 75 V - 200W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-220
      IPL60R210P6AUMA1

      IPL60R210P6AUMA1

      MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON

      Infineon Technologies

      		 3,000
      Запрос на предложение
      		IPL60R210P6AUMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ P6 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 19.2A (Tc) 10V 210mOhm @ 7.6A, 10V 4.5V @ 630µA 37 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 100 V - 151W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
      RD3G08BBJHRBTL

      RD3G08BBJHRBTL

      PCH -40V -80A, TO-252 (DPAK), PO

      Rohm Semiconductor

      		 2,396
      Запрос на предложение
      		RD3G08BBJHRBTL

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Ta) 4.5V, 10V 4.9mOhm @ 80A, 10V 2.5V @ 1mA 145 nC @ 10 V +5V, -20V 7350 pF @ 20 V - 142W (Tc) 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
      IAUA180N08S5N026AUMA1

      IAUA180N08S5N026AUMA1

      MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5

      Infineon Technologies

      		 1,468
      Запрос на предложение
      		IAUA180N08S5N026AUMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 5-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 180A (Tj) 6V, 10V 2.6mOhm @ 90A, 10V 3.8V @ 100µA 87 nC @ 10 V ±20V 5980 pF @ 40 V - 179W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-5-4
      NTMFS5C612NT1G

      NTMFS5C612NT1G

      NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

      onsemi

      		 430
      Запрос на предложение
      		NTMFS5C612NT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 35A (Ta), 230A (Tc) 10V 1.6mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 60.2 nC @ 10 V ±20V 4830 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
      IQE046N08LM5SCATMA1

      IQE046N08LM5SCATMA1

      OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V

      Infineon Technologies

      		 5,670
      Запрос на предложение
      		IQE046N08LM5SCATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 5 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 15.6A (Ta), 99A (Tc) 4.5V, 10V 4.6mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 47µA 38 nC @ 10 V ±20V 3250 pF @ 40 V - 2.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-WHSON-8-1
      TPW5200FNH,L1Q

      TPW5200FNH,L1Q

      PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 4,655
      Запрос на предложение
      		TPW5200FNH,L1Q

      Техническая документация

             		U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 26A (Tc) 10V 52mOhm @ 13A, 10V 4V @ 1mA 22 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 100 V - 800mW (Ta), 142W (Tc) 150°C - - Surface Mount 8-DSOP Advance
      PJD60N04V-AU_L2_002A1

      PJD60N04V-AU_L2_002A1

      40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

      Panjit International Inc.

      		 3,000
      Запрос на предложение
      		PJD60N04V-AU_L2_002A1

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 25A (Ta), 154A (Tc) 7V, 10V 2.7mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 50µA 43 nC @ 10 V ±20V 3054 pF @ 25 V - 3W (Ta), 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
      NTMFS5C406NLT1G

      NTMFS5C406NLT1G

      MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN

      onsemi

      		 1,469
      Запрос на предложение
      		NTMFS5C406NLT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 53A (Ta), 362A (Tc) 4.5V, 10V 0.7mOhm @ 50A, 10V 2V @ 280µA 149 nC @ 10 V ±20V 9400 pF @ 20 V - 3.9W (Ta), 179W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
      Total 36322 Record«Prev1... 287288289290291292293294...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]