БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IPB65R310CFDAATMA1

      IPB65R310CFDAATMA1

      MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 2,403
      Запрос на предложение
      		IPB65R310CFDAATMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11.4A (Tc) 10V 310mOhm @ 4.4A, 10V 4.5V @ 440µA 41 nC @ 10 V ±20V 1110 pF @ 100 V - 104.2W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3
      TSM60NE285CIT C0G

      TSM60NE285CIT C0G

      MOSFET

      Taiwan Semiconductor Corporation

      		 2,000
      Запрос на предложение
      		TSM60NE285CIT C0G

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.5A (Tc) 10V, 12V 274mOhm @ 3.2A, 12V 6V @ 1.4mA 22 nC @ 10 V ±30V 894 pF @ 300 V - 56W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220TL
      SIHG20N50E-GE3

      SIHG20N50E-GE3

      MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC

      Vishay Siliconix

      		 485
      Запрос на предложение
      		SIHG20N50E-GE3

      Техническая документация

             		- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 19A (Tc) 10V 184mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±30V 1640 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
      PJD65N04S-AU_L2_002A1

      PJD65N04S-AU_L2_002A1

      40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

      Panjit International Inc.

      		 3,000
      Запрос на предложение
      		PJD65N04S-AU_L2_002A1

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 26A (Ta), 167A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 50µA 50 nC @ 10 V ±20V 3148 pF @ 25 V - 3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
      NVMJS0D9N04CLTWG

      NVMJS0D9N04CLTWG

      MOSFET N-CH 40V 50A/330A 8LFPAK

      onsemi

      		 2,987
      Запрос на предложение
      		NVMJS0D9N04CLTWG

      Техническая документация

             		- SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Ta), 330A (Tc) 4.5V, 10V 0.82mOhm @ 50A, 10V 2V @ 190µA 143 nC @ 10 V ±20V 8862 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
      DMT30M9LPS-13

      DMT30M9LPS-13

      MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506

      Diodes Incorporated

      		 2,490
      Запрос на предложение
      		DMT30M9LPS-13

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 1mOhm @ 25A, 10V 3V @ 250µA 160.5 nC @ 10 V ±20V 12121 pF @ 20 V - 2.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)
      NVMFWS0D7N04XMT1G

      NVMFWS0D7N04XMT1G

      40V T10M IN S08FL PACKAGE

      onsemi

      		 1,255
      Запрос на предложение
      		NVMFWS0D7N04XMT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 331A (Tc) 10V 0.7mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 180µA 74.5 nC @ 10 V ±20V 4657 pF @ 25 V - 134W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
      CDMSJ22013.8-650 SL

      CDMSJ22013.8-650 SL

      SUPER JUNCTION MOSFETS

      Central Semiconductor Corp

      		 493
      Запрос на предложение
      		CDMSJ22013.8-650 SL

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 13.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 4.4A, 10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V 30V 1040 pF @ 400 V - 35.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
      IPW65R420CFDFKSA2

      IPW65R420CFDFKSA2

      MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247-3

      Infineon Technologies

      		 120
      Запрос на предложение
      		IPW65R420CFDFKSA2

      Техническая документация

             		CoolMOS™ CFD2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8.7A (Tc) 10V 420mOhm @ 3.4A, 10V 4.5V @ 300µA 31.5 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 100 V - 83.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-41
      IXFP30N25X3M

      IXFP30N25X3M

      MOSFET N-CH 250V 30A TO220

      IXYS

      		 262
      Запрос на предложение
      		IXFP30N25X3M

      Техническая документация

             		HiPerFET™, Ultra X3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 30A (Tc) 10V 60mOhm @ 15A, 10V 4.5V @ 500µA 21 nC @ 10 V ±20V 1450 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Isolated Tab
      TSM60NC165CI C0G

      TSM60NC165CI C0G

      600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE

      Taiwan Semiconductor Corporation

      		 3,989
      Запрос на предложение
      		TSM60NC165CI C0G

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 165mOhm @ 11.3A, 10V 5V @ 1mA 44 nC @ 10 V ±30V 1857 pF @ 300 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
      SUM40012EL-GE3

      SUM40012EL-GE3

      MOSFET N-CH 40V 150A TO263

      Vishay Siliconix

      		 2,434
      Запрос на предложение
      		SUM40012EL-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 150A (Tc) 4.5V, 10V 1.67mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 195 nC @ 10 V ±20V 10930 pF @ 20 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      R6010YNX3C16

      R6010YNX3C16

      600V 10A TO-220AB, HIGH-SPEED SW

      Rohm Semiconductor

      		 1,000
      Запрос на предложение
      		R6010YNX3C16

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V, 12V 390mOhm @ 4.2A, 12V 6V @ 1.2mA 15 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 100 V - 92W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      IPB60R210CFD7ATMA1

      IPB60R210CFD7ATMA1

      MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3

      Infineon Technologies

      		 990
      Запрос на предложение
      		IPB60R210CFD7ATMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ CFD7 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 210mOhm @ 4.9A, 10V 4.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V 1015 pF @ 400 V - 64W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
      TK9R7A15Q5,S4X

      TK9R7A15Q5,S4X

      150V UMOS10-HSD TO-220SIS 9.7MOH

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 388
      Запрос на предложение
      		TK9R7A15Q5,S4X

      Техническая документация

             		U-MOSX-H TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 49A (Tc) 8V, 10V 9.7mOhm @ 24.5A, 10V 4.5V @ 1.1mA 50 nC @ 10 V ±20V 3690 pF @ 75 V - 45W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-220SIS
      IQE022N06LM5SCATMA1

      IQE022N06LM5SCATMA1

      OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V

      Infineon Technologies

      		 5,868
      Запрос на предложение
      		IQE022N06LM5SCATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 5 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 24A (Ta), 151A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 48µA 53 nC @ 10 V ±20V 4420 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-WHSON-8-1
      IQE022N06LM5CGSCATMA1

      IQE022N06LM5CGSCATMA1

      OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V

      Infineon Technologies

      		 4,651
      Запрос на предложение
      		IQE022N06LM5CGSCATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 5 9-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 24A (Ta), 151A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 48µA 53 nC @ 10 V ±20V 4420 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-WHTFN-9
      PJQ5590-AU_R2_002A1

      PJQ5590-AU_R2_002A1

      150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

      Panjit International Inc.

      		 3,000
      Запрос на предложение
      		PJQ5590-AU_R2_002A1

      Техническая документация

             		- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
      IPP034N08N5AKSA1

      IPP034N08N5AKSA1

      MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

      Infineon Technologies

      		 914
      Запрос на предложение
      		IPP034N08N5AKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 6V, 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 108µA 87 nC @ 10 V ±20V 6240 pF @ 40 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
      MCAC160N06Y-TP

      MCAC160N06Y-TP

      MOSFET N-CH 60 160A DFN5060

      Micro Commercial Co

      		 5,000
      Запрос на предложение
      		MCAC160N06Y-TP

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 160A (Tc) 6V, 10V 2.5mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 3586 pF @ 20 V - 150W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DFN5060
      Total 36322 Record«Prev1... 286287288289290291292293...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]