БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IPB120N04S4L02ATMA1

      IPB120N04S4L02ATMA1

      MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 455
      Запрос на предложение
      		IPB120N04S4L02ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 100A, 10V 2.2V @ 110µA 190 nC @ 10 V +20V, -16V 14560 pF @ 25 V - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3
      NTMJST1D4N06CLTXG

      NTMJST1D4N06CLTXG

      TRENCH 6 60V LFPAK 5X7

      onsemi

      		 3,000
      Запрос на предложение
      		NTMJST1D4N06CLTXG

      Техническая документация

             		- 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 42A (Ta), 198A (Tc) 10V 1.49mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 92.2 nC @ 10 V ±20V 6555 pF @ 25 V - 5.3W (Ta), 116W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 10-TCPAK
      AONS66407

      AONS66407

      N

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 2,650
      Запрос на предложение
      		AONS66407

      Техническая документация

             		AlphaSGT™ 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 69A (Ta), 310A (Tc) 4.5V, 10V 0.85mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 162 nC @ 10 V ±20V 9030 pF @ 20 V - 7.3W (Ta), 215W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
      IAUCN10S7N040ATMA1

      IAUCN10S7N040ATMA1

      IAUCN10S7N040ATMA1

      Infineon Technologies

      		 4,975
      Запрос на предложение
      		IAUCN10S7N040ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 7 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 130A (Tj) 7V, 10V 4mOhm @ 60A, 10V 3.2V @ 66µA 51.1 nC @ 10 V ±20V 3660 pF @ 50 V - 142W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-34
      STL16N60M2

      STL16N60M2

      MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV

      STMicroelectronics

      		 3,000
      Запрос на предложение
      		STL16N60M2

      Техническая документация

             		MDmesh™ M2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8A (Tc) 10V 355mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±25V 704 pF @ 100 V - 52W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
      IPB160N04S4LH1ATMA1

      IPB160N04S4LH1ATMA1

      MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

      Infineon Technologies

      		 1,895
      Запрос на предложение
      		IPB160N04S4LH1ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 4.5V, 10V 1.5mOhm @ 100A, 10V 2.2V @ 110µA 190 nC @ 10 V +20V, -16V 14950 pF @ 25 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7-3
      NVTFS002N04CTAG

      NVTFS002N04CTAG

      MOSFET N-CH 40V 27A/136A 8WDFN

      onsemi

      		 1,459
      Запрос на предложение
      		NVTFS002N04CTAG

      Техническая документация

             		- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 27A (Ta), 136A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 90µA 34 nC @ 10 V ±20V 2250 pF @ 25 V - 3.2W (Ta), 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
      IQE004NE1LM7SCATMA1

      IQE004NE1LM7SCATMA1

      TRENCH <= 40V

      Infineon Technologies

      		 10,803
      Запрос на предложение
      		IQE004NE1LM7SCATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 7 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 4.5V, 7V 0.45mOhm @ 30A, 7V 2V @ 432µA 55 nC @ 7 V ±7V 6240 pF @ 7.5 V - 2.1W (Ta), 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-WHSON-8
      IQE004NE1LM7CGSCATMA1

      IQE004NE1LM7CGSCATMA1

      TRENCH <= 40V

      Infineon Technologies

      		 10,806
      Запрос на предложение
      		IQE004NE1LM7CGSCATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 7 9-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 4.5V, 7V 0.45mOhm @ 30A, 7V 2V @ 432µA 55 nC @ 7 V ±7V 6240 pF @ 7.5 V - 2.1W (Ta), 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-WHTFN-9
      IQE022N06LM5ATMA1

      IQE022N06LM5ATMA1

      TRENCH 40<-<100V

      Infineon Technologies

      		 4,927
      Запрос на предложение
      		IQE022N06LM5ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 24A (Ta), 151A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 48µA 53 nC @ 10 V ±20V 4420 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSON-8-5
      IQE022N06LM5CGATMA1

      IQE022N06LM5CGATMA1

      TRENCH 40<-<100V

      Infineon Technologies

      		 3,420
      Запрос на предложение
      		IQE022N06LM5CGATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 5 9-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 24A (Ta), 151A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 48µA 53 nC @ 10 V ±20V 4420 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TTFN-9-3
      NTMYS3D3N06CLTWG

      NTMYS3D3N06CLTWG

      MOSFET N-CH 60V 26A/133A LFPAK4

      onsemi

      		 1,485
      Запрос на предложение
      		NTMYS3D3N06CLTWG

      Техническая документация

             		- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 26A (Ta), 133A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 40.7 nC @ 10 V ±20V 2880 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK4 (5x6)
      IRFBF20STRLPBF

      IRFBF20STRLPBF

      MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

      Vishay Siliconix

      		 1,366
      Запрос на предложение
      		IRFBF20STRLPBF

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 1.7A (Tc) 10V 8Ohm @ 1A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 490 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      R6022YNXC7G

      R6022YNXC7G

      NCH 600V 13A, TO-220FM, POWER MO

      Rohm Semiconductor

      		 1,000
      Запрос на предложение
      		R6022YNXC7G

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V, 12V 165mOhm @ 6.5A, 12V 6V @ 1.8mA 33 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 100 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
      KFK9B0463ZLE

      KFK9B0463ZLE

      SINGLE NCH MOSFET 40V, 7.5A, 1MO

      Nuvoton Technology Corporation

      		 1,000
      Запрос на предложение
      		KFK9B0463ZLE

      Техническая документация

             		- 9-ULGA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 7.5A (Ta) 4.5V, 10V 15mOhm @ 2A, 10V 3V @ 990µA 70 nC @ 10 V +20V, -10V 5000 pF @ 20 V - 860mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 9-LGA (3.05x3.05)
      IPB65R310CFDATMA2

      IPB65R310CFDATMA2

      MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263-3

      Infineon Technologies

      		 933
      Запрос на предложение
      		IPB65R310CFDATMA2

      Техническая документация

             		CoolMOS™ CFD2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11.4A (Tc) 10V 310mOhm @ 4.4A, 10V 4.5V @ 400µA 41 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 100 V - 104.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
      BUK9Y1R3-40HX

      BUK9Y1R3-40HX

      BUK9Y1R3-40H/SOT669/LFPAK

      Nexperia USA Inc.

      		 1,500
      Запрос на предложение
      		BUK9Y1R3-40HX

      Техническая документация

             		- - Tape & Reel (TR) Active - - - 190A (Tc) - - - - +16V, -10V - - 395W (Tc) - Automotive AEC-Q101 - -
      NVMFS5C430NLWFAFT1G

      NVMFS5C430NLWFAFT1G

      MOSFET N-CH 40V 38A/200A 5DFN

      onsemi

      		 1,500
      Запрос на предложение
      		NVMFS5C430NLWFAFT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 38A (Ta), 200A (Tc) 4.5V, 10V 1.4mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 4300 pF @ 20 V - 3.8W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
      DI200N10D2

      DI200N10D2

      MOSFET D2PAK N 100V 200A

      Diotec Semiconductor

      		 247
      Запрос на предложение
      		DI200N10D2

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 200A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 120A, 10V 4V @ 250µA 262 nC @ 10 V ±20V 16800 pF @ 50 V - 340W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
      TPW1500CNH,L1Q

      TPW1500CNH,L1Q

      PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 6,746
      Запрос на предложение
      		TPW1500CNH,L1Q

      Техническая документация

             		U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 38A (Tc) 10V 15.4mOhm @ 19A, 10V 4V @ 1mA 22 nC @ 10 V ±20V 2200 pF @ 75 V - 800mW (Ta), 142W (Tc) 150°C - - Surface Mount 8-DSOP Advance
      Total 36322 Record«Prev1... 283284285286287288289290...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]