БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IQE004NE1LM7CGATMA1

    IQE004NE1LM7CGATMA1

    TRENCH <= 40V

    Infineon Technologies

    9,900
    IQE004NE1LM7CGATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 7 9-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 4.5V, 7V 0.45mOhm @ 30A, 7V 2V @ 432µA 55 nC @ 7 V ±7V 6240 pF @ 7.5 V - 2.1W (Ta), 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TTFN-9-3
    ISC078N12NM6ATMA1

    ISC078N12NM6ATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    4,885
    ISC078N12NM6ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 6 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 13.2A (Ta), 85A (Tc) 8V, 10V 7.8mOhm @ 37A, 10V 3.6V @ 49.6µA 26 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 60 V - 3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount SuperSO8
    IQE004NE1LM7ATMA1

    IQE004NE1LM7ATMA1

    TRENCH <= 40V

    Infineon Technologies

    4,360
    IQE004NE1LM7ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 7 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 4.5V, 7V 0.45mOhm @ 30A, 7V 2V @ 432µA 55 nC @ 7 V ±7V 6240 pF @ 7.5 V - 2.1W (Ta), 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSON-8-5
    NTMYS2D1N04CLTWG

    NTMYS2D1N04CLTWG

    MOSFET N-CH 40V 258A

    onsemi

    3,000
    NTMYS2D1N04CLTWG

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active - - - 29A (Ta), 132A (Tc) - - - - - - - - - - - Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    PJQ5540V-AU_R2_002A1

    PJQ5540V-AU_R2_002A1

    40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    2,730
    PJQ5540V-AU_R2_002A1

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 29.7A (Ta), 174A (Tc) 7V, 10V 2.1mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 50µA 63 nC @ 10 V ±20V 4690 pF @ 25 V - 3.3W (Ta), 115.4W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN5060X-8L
    DMTH10H003SPSW-13

    DMTH10H003SPSW-13

    MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

    Diodes Incorporated

    2,150
    DMTH10H003SPSW-13

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 166A (Tc) 6V, 10V 3mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 85 nC @ 10 V ±20V 5542 pF @ 50 V - 2.6W (Ta), 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)
    BUK766R0-60E,118

    BUK766R0-60E,118

    MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    1,534
    BUK766R0-60E,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 75A (Tc) 10V 6mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 62 nC @ 10 V ±20V 4520 pF @ 25 V - 182W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    CDMSJ22010-650 SL

    CDMSJ22010-650 SL

    SUPER JUNCTION MOSFETS

    Central Semiconductor Corp

    500
    CDMSJ22010-650 SL

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 390mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V 30V 726 pF @ 400 V - 29.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    SIJ4819DP-T1-GE3

    SIJ4819DP-T1-GE3

    P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE

    Vishay Siliconix

    5,996
    SIJ4819DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 11.5A (Ta), 44.4A (Tc) 4.5V, 10V 20.7mOhm @ 10A, 10V 2.6V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 3420 pF @ 40 V - 5W (Ta), 73.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    PJQ5592-AU_R2_002A1

    PJQ5592-AU_R2_002A1

    150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

    Panjit International Inc.

    3,000
    PJQ5592-AU_R2_002A1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    R6010YNXC7G

    R6010YNXC7G

    600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

    Rohm Semiconductor

    983
    R6010YNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V, 12V 390mOhm @ 4.2A, 12V 6V @ 1.2mA 15 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 100 V - 47W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    R6027YNX3C16

    R6027YNX3C16

    NCH 600V 27A, TO-220AB, POWER MO

    Rohm Semiconductor

    980
    R6027YNX3C16

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 27A (Tc) 10V, 12V 135mOhm @ 7A, 12V 6V @ 2mA 40 nC @ 10 V ±30V 1670 pF @ 100 V - 245W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    TSM60NC196CI C0G

    TSM60NC196CI C0G

    600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE

    Taiwan Semiconductor Corporation

    3,840
    TSM60NC196CI C0G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 196mOhm @ 9.5A, 10V 5V @ 1mA 39 nC @ 10 V ±30V 1535 pF @ 300 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
    IRFSL5615PBF

    IRFSL5615PBF

    MOSFET N-CH 150V 33A TO262

    Infineon Technologies

    964
    IRFSL5615PBF

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 33A (Tc) 10V 42mOhm @ 21A, 10V 5V @ 100µA 40 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IQE220N15NM5CGATMA1

    IQE220N15NM5CGATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    4,970
    IQE220N15NM5CGATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 9-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 44A (Tc) 10V 22mOhm @ 16A, 10V 4.6V @ 46µA 18.3 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 75 V - 2.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TTFN-9-3
    IQE220N15NM5ATMA1

    IQE220N15NM5ATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    5,000
    IQE220N15NM5ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 7A (Ta), 44A (Tc) 8V, 10V 22mOhm @ 16A, 10V 4.6V @ 46µA 18 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 75 V - 2.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSON-8-5
    XPJ1R004PB,LXHQ

    XPJ1R004PB,LXHQ

    40V; UMOS9; MOSFET 1MOHM; L-TOGL

    Toshiba Semiconductor and Storage

    2,975
    XPJ1R004PB,LXHQ

    Техническая документация

    - 5-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Ta) 6V, 10V 1mOhm @ 80A, 10V 3V @ 500µA 84 nC @ 10 V ±20V 6890 pF @ 10 V - 223W (Tc) 175°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount S-TOGL™
    XP10N3R8IT

    XP10N3R8IT

    FET N-CH 100V 67.7A TO220CFM

    YAGEO XSEMI

    1,000
    XP10N3R8IT

    Техническая документация

    XP10N3R8 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 67.7A (Ta) 10V 3.88mOhm @ 35A, 10V 4V @ 250µA 131 nC @ 10 V ±20V 6560 pF @ 80 V - 1.92W (Ta), 32.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220CFM
    SIHP14N60E-BE3

    SIHP14N60E-BE3

    N-CHANNEL 600V

    Vishay Siliconix

    972
    SIHP14N60E-BE3

    Техническая документация

    E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 309mOhm @ 7A, 10V 4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±30V 1205 pF @ 100 V - 147W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    TPW2R508NH,L1Q

    TPW2R508NH,L1Q

    PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DOS

    Toshiba Semiconductor and Storage

    10,902
    TPW2R508NH,L1Q

    Техническая документация

    U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 150A (Ta) 10V 2.5mOhm @ 50A, 10V 4V @ 1mA 72 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 37.5 V - 800mW (Ta), 142W (Tc) 150°C - - Surface Mount 8-DSOP Advance
    Total 36322 Record«Prev1... 281282283284285286287288...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.