БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      STF16N65M2

      STF16N65M2

      MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP

      STMicroelectronics

      		 998
      Запрос на предложение
      		STF16N65M2

      Техническая документация

             		MDmesh™ M2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 19.5 nC @ 10 V ±25V 718 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
      STD16N60M6

      STD16N60M6

      MOSFET N-CH 600V 12A DPAK

      STMicroelectronics

      		 2,347
      Запрос на предложение
      		STD16N60M6

      Техническая документация

             		MDmesh™ M6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 320mOhm @ 6A, 10V 4.75V @ 250µA 16.7 nC @ 10 V ±25V 575 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
      NVMFS5C670NWFT1G

      NVMFS5C670NWFT1G

      MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN

      onsemi

      		 5,135
      Запрос на предложение
      		NVMFS5C670NWFT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Ta), 71A (Tc) 10V 7mOhm @ 11A, 10V 4V @ 53µA 14.4 nC @ 10 V ±20V 1035 pF @ 30 V - 3.6W (Ta), 61W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
      DMTH84M1SPSQ-13

      DMTH84M1SPSQ-13

      MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

      Diodes Incorporated

      		 2,500
      Запрос на предложение
      		DMTH84M1SPSQ-13

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 100A (Tc) 6V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 4209 pF @ 40 V - 1.6W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerDI5060-8
      RD3G08CBKHRBTL

      RD3G08CBKHRBTL

      NCH 40V 80A, TO-252 (DPAK), POWE

      Rohm Semiconductor

      		 2,500
      Запрос на предложение
      		RD3G08CBKHRBTL

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 80A, 10V 2.5V @ 924µA 41 nC @ 10 V ±20V 2570 pF @ 20 V - 96W (Tc) 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
      DMTH10H4M5LPSWQ-13

      DMTH10H4M5LPSWQ-13

      MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

      Diodes Incorporated

      		 2,170
      Запрос на предложение
      		DMTH10H4M5LPSWQ-13

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Ta), 107A (Tc) 4.5V, 10V 4.9mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 4843 pF @ 50 V - 4.7W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
      SIHP4N80E-BE3

      SIHP4N80E-BE3

      N-CHANNEL 600V

      Vishay Siliconix

      		 990
      Запрос на предложение
      		SIHP4N80E-BE3

      Техническая документация

             		E TO-220-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.3A (Tc) 10V 1.27Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±30V 622 pF @ 100 V - 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      SIHF640S-GE3

      SIHF640S-GE3

      MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

      Vishay Siliconix

      		 940
      Запрос на предложение
      		SIHF640S-GE3

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      IRFI9610GPBF

      IRFI9610GPBF

      MOSFET P-CH 200V 2A TO220-3

      Vishay Siliconix

      		 918
      Запрос на предложение
      		IRFI9610GPBF

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 2A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.2A, 10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 180 pF @ 25 V - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
      IPB80N06S2L11ATMA2

      IPB80N06S2L11ATMA2

      MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

      Infineon Technologies

      		 863
      Запрос на предложение
      		IPB80N06S2L11ATMA2

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 10.7mOhm @ 40A, 10V 2V @ 93µA 80 nC @ 10 V ±20V 2075 pF @ 25 V - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
      DI080N06PQ-AQ

      DI080N06PQ-AQ

      MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0

      Diotec Semiconductor

      		 4,820
      Запрос на предложение
      		DI080N06PQ-AQ

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 65 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 30A, 10V 3V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V 4128 pF @ 30 V - 80W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-QFN (5x6)
      PJD55P03E-AU_L2_006A1

      PJD55P03E-AU_L2_006A1

      30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

      Panjit International Inc.

      		 3,000
      Запрос на предложение
      		PJD55P03E-AU_L2_006A1

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12.4A (Ta), 48A (Tc) 4.5V, 10V 12.1mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±25V 1610 pF @ 25 V - 3W (Ta), 44W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
      IPD65R420CFDAATMA1

      IPD65R420CFDAATMA1

      MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 2,178
      Запрос на предложение
      		IPD65R420CFDAATMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8.7A (Tc) 10V 420mOhm @ 3.4A, 10V 4.5V @ 345µA 32 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 100 V - 83.3W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO252-3
      R6010YND3TL1

      R6010YND3TL1

      600V 10A TO-252, HIGH-SPEED SWIT

      Rohm Semiconductor

      		 2,500
      Запрос на предложение
      		R6010YND3TL1

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Tc) 10V, 12V 390mOhm @ 4.2A, 12V 6V @ 1.2mA 15 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 100 V - 92W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
      IPA040N06NXKSA1

      IPA040N06NXKSA1

      MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP

      Infineon Technologies

      		 420
      Запрос на предложение
      		IPA040N06NXKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 69A (Tc) 6V, 10V 4mOhm @ 69A, 10V 3.3V @ 50µA 44 nC @ 10 V ±20V 3375 pF @ 30 V - 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
      IPD033N06NATMA1

      IPD033N06NATMA1

      MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 2,063
      Запрос на предложение
      		IPD033N06NATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 90A (Tc) 6V, 10V 3.3mOhm @ 90A, 10V 3.3V @ 50µA 44 nC @ 10 V ±20V 3400 pF @ 30 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
      NTMYS3D5N04CTWG

      NTMYS3D5N04CTWG

      MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4

      onsemi

      		 3,000
      Запрос на предложение
      		NTMYS3D5N04CTWG

      Техническая документация

             		- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 24A (Ta), 102A (Tc) 10V 3.3mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 60µA 23 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK4 (5x6)
      NTMYS2D9N04CLTWG

      NTMYS2D9N04CLTWG

      MOSFET N-CH 40V 27A/110A 4LFPAK

      onsemi

      		 2,306
      Запрос на предложение
      		NTMYS2D9N04CLTWG

      Техническая документация

             		- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 27A (Ta), 110A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 40A, 10V 2V @ 11µA 35 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 20 V - 3.7W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK4 (5x6)
      NVMYS1D2N04CLTWG

      NVMYS1D2N04CLTWG

      MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4

      onsemi

      		 2,990
      Запрос на предложение
      		NVMYS1D2N04CLTWG

      Техническая документация

             		- SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 44A (Ta), 258A (Tc) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V 2V @ 180µA 109 nC @ 10 V ±20V 6330 pF @ 20 V - 3.9W (Ta), 134W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
      NVMFS6H858NT1G

      NVMFS6H858NT1G

      MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN

      onsemi

      		 1,500
      Запрос на предложение
      		NVMFS6H858NT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 8.4A (Ta), 29A (Tc) 10V 20.7mOhm @ 5A, 10V 4V @ 30µA 8.9 nC @ 10 V ±20V 510 pF @ 40 V - 3.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
      Total 36322 Record«Prev1... 278279280281282283284285...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]