БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    BUK7Y12-100EX

    BUK7Y12-100EX

    MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    3,677
    BUK7Y12-100EX

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 85A (Tc) 10V 12mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 68 nC @ 10 V ±20V 5067 pF @ 25 V - 238W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    NTMFS3D0N08XT1G

    NTMFS3D0N08XT1G

    T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

    onsemi

    2,790
    NTMFS3D0N08XT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 154A (Tc) 6V, 10V 2.6mOhm @ 37A, 10V 3.6V @ 184µA 45 nC @ 10 V ±20V 3200 pF @ 40 V - 133W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    TK6P60W,RVQ

    TK6P60W,RVQ

    MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    645
    TK6P60W,RVQ

    Техническая документация

    DTMOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Ta) 10V 820mOhm @ 3.1A, 10V 3.7V @ 310µA 12 nC @ 10 V ±30V 390 pF @ 300 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    TK11P65W,RQ

    TK11P65W,RQ

    MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    462
    TK11P65W,RQ

    Техническая документация

    DTMOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11.1A (Ta) 10V 440mOhm @ 5.5A, 10V 3.5V @ 450µA 25 nC @ 10 V ±30V 890 pF @ 300 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRFR9024PBF-BE3

    IRFR9024PBF-BE3

    P-CHANNEL 60V

    Vishay Siliconix

    3,000
    IRFR9024PBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 8.8A (Tc) 10V 280mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±20V 570 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    NVMFS5C423NLWFAFT1G

    NVMFS5C423NLWFAFT1G

    MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN

    onsemi

    2,890
    NVMFS5C423NLWFAFT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 31A (Ta), 150A (Tc) 4.5V, 10V 2mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 20 V - 3.7W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    NVTFWS002N04CTAG

    NVTFWS002N04CTAG

    MOSFET N-CH 40V 27A/136A 8WDFN

    onsemi

    1,290
    NVTFWS002N04CTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 27A (Ta), 136A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 90µA 34 nC @ 10 V ±20V 2250 pF @ 25 V - 3.2W (Ta), 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    BUK7Y3R1-80MX

    BUK7Y3R1-80MX

    BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK

    Nexperia USA Inc.

    268
    BUK7Y3R1-80MX

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 160A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 108 nC @ 10 V ±20V 6986 pF @ 40 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    TSM089N08LCR RLG

    TSM089N08LCR RLG

    MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN

    Taiwan Semiconductor Corporation

    8,736
    TSM089N08LCR RLG

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 67A (Tc) 4.5V, 10V 8.9mOhm @ 12A, 10V 2.5V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V 6119 pF @ 40 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (5x6)
    DMTH10H4M5LPSW

    DMTH10H4M5LPSW

    MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

    Diodes Incorporated

    2,411
    DMTH10H4M5LPSW

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 20A (Ta), 107A (Tc) 4.5V, 10V 4.9mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V 4843 pF @ 50 V - 4.7W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
    PJD75P04E-AU_L2_006A1

    PJD75P04E-AU_L2_006A1

    40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    3,000
    PJD75P04E-AU_L2_006A1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 13.3A (Ta), 67A (Tc) 4.5V, 10V 9.4mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 59 nC @ 10 V ±25V 3477 pF @ 25 V - 3W (Ta), 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    STB10N60M2

    STB10N60M2

    MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK

    STMicroelectronics

    700
    STB10N60M2

    Техническая документация

    MDmesh™ II Plus TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.5A (Tc) 10V 600mOhm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 13.5 nC @ 10 V ±25V 400 pF @ 100 V - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    PJP125N06SA-AU_T0_006A1

    PJP125N06SA-AU_T0_006A1

    60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    600
    PJP125N06SA-AU_T0_006A1

    Техническая документация

    - - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPI120N04S402AKSA1

    IPI120N04S402AKSA1

    MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3

    Infineon Technologies

    500
    IPI120N04S402AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 2.1mOhm @ 100A, 10V 4V @ 110µA 134 nC @ 10 V ±20V 10740 pF @ 25 V - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    PSMQC040N08NS2_R2_00201

    PSMQC040N08NS2_R2_00201

    80V/ 4.4M/ BEST-IN-GLASS FOM MOS

    Panjit International Inc.

    6,000
    PSMQC040N08NS2_R2_00201

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NTMYS4D5N04CTWG

    NTMYS4D5N04CTWG

    MOSFET N-CH 40V 20A/80A 4LFPAK

    onsemi

    3,000
    NTMYS4D5N04CTWG

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 20A (Ta), 80A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 35A, 10V 3.5V @ 50µA 18 nC @ 10 V 20V 1150 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    NTMYS3D8N04CLTWG

    NTMYS3D8N04CLTWG

    MOSFET N-CH 40V 22A/87A 4LFPAK

    onsemi

    3,000
    NTMYS3D8N04CLTWG

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 22A (Ta), 87A (Tc) 4.5V, 10V 3.7mOhm @ 20A, 10V 2V @ 50µA 18 nC @ 10 V 20V 1600 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    NVMFS5C442NWFET1G

    NVMFS5C442NWFET1G

    T6-40V N 2.3 MOHMS SL

    onsemi

    1,468
    NVMFS5C442NWFET1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 29A (Ta), 140A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 50A, 10V 4V @ 90µA 32 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    MCAC1D1N03YL-TP

    MCAC1D1N03YL-TP

    MOSFET N-CH 30 240A DFN5060

    Micro Commercial Co

    10,000
    MCAC1D1N03YL-TP

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 240A (Tc) 4.5V, 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V 2.5V @ 250µA 114 nC @ 10 V ±20V 6315 pF @ 15 V - 104W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DFN5060
    ISZ113N10NM5LF2ATMA1

    ISZ113N10NM5LF2ATMA1

    ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET

    Infineon Technologies

    4,970
    ISZ113N10NM5LF2ATMA1

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    Total 36322 Record«Prev1... 276277278279280281282283...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.