БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    DMNH10H028SK3Q-13

    DMNH10H028SK3Q-13

    MOSFET N-CH 100V 55A TO252

    Diodes Incorporated

    2,069
    DMNH10H028SK3Q-13

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 55A (Tc) 10V 28mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 2245 pF @ 50 V - 2W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252-3
    NTMFS0D7N04XMT1G

    NTMFS0D7N04XMT1G

    40V T10M IN S08FL PACKAGE

    onsemi

    1,458
    NTMFS0D7N04XMT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 9.18A (Ta), 323A (Tc) 10V 0.7mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 180µA 71.6 nC @ 10 V ±20V 4595 pF @ 25 V - 134W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    CSD18511KTT

    CSD18511KTT

    MOSFET N-CH 40V 194A DDPAK

    Texas Instruments

    174
    CSD18511KTT

    Техническая документация

    NexFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 194A (Ta) 4.5V, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V 2.4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 5940 pF @ 20 V - 188W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
    TQM032NH04LCR RLG

    TQM032NH04LCR RLG

    40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER

    Taiwan Semiconductor Corporation

    7,932
    TQM032NH04LCR RLG

    Техническая документация

    PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 23A (Ta), 81A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 40A, 10V 2.2V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±16V - - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-PDFN (5x6)
    SIJ4106DP-T1-GE3

    SIJ4106DP-T1-GE3

    N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

    Vishay Siliconix

    6,000
    SIJ4106DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 15.8A (Ta), 59A (Tc) 7.5V, 10V 8.3mOhm @ 15A, 10V 3.8V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 3610 pF @ 50 V - 5W (Ta), 69.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    TQM032NH04CR RLG

    TQM032NH04CR RLG

    40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER

    Taiwan Semiconductor Corporation

    5,000
    TQM032NH04CR RLG

    Техническая документация

    PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 23A (Ta), 81A (Tc) 7V, 10V 3.2mOhm @ 40A, 10V 3.6V @ 250µA 67.5 nC @ 10 V ±20V 4344 pF @ 25 V - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 8-PDFNU (4.9x5.75)
    DMP6018LPS-13

    DMP6018LPS-13

    MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

    Diodes Incorporated

    2,373
    DMP6018LPS-13

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 18mOhm @ 17A, 10V 2.5V @ 250µA 13.7 nC @ 10 V ±20V 3505 pF @ 30 V - 2.6W (Ta), 113W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI5060-8
    R6009RND3TL1

    R6009RND3TL1

    600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I

    Rohm Semiconductor

    2,286
    R6009RND3TL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 15V 665mOhm @ 4.5A, 15V 7V @ 5.5mA 22 nC @ 15 V ±30V 640 pF @ 100 V - 125W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    IRF9Z14STRLPBF

    IRF9Z14STRLPBF

    MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

    Vishay Siliconix

    766
    IRF9Z14STRLPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6.7A (Tc) 10V 500mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STU2N105K5

    STU2N105K5

    MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK

    STMicroelectronics

    7,717
    STU2N105K5

    Техническая документация

    MDmesh™ K5 TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1050 V 1.5A (Tc) 10V 8Ohm @ 750mA, 10V 5V @ 100µA 10 nC @ 10 V ±30V 115 pF @ 100 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
    IRFR9120PBF-BE3

    IRFR9120PBF-BE3

    P-CHANNEL 100V

    Vishay Siliconix

    3,000
    IRFR9120PBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 5.6A (Tc) 10V 600mOhm @ 3.4A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    PJQ5520-AU_R2_002A1

    PJQ5520-AU_R2_002A1

    30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

    Panjit International Inc.

    3,000
    PJQ5520-AU_R2_002A1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    STP3NK60ZFP

    STP3NK60ZFP

    MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP

    STMicroelectronics

    1,453
    STP3NK60ZFP

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2.4A (Tc) 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V 4.5V @ 50µA 11.8 nC @ 10 V ±30V 311 pF @ 25 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    NTMFS0D9N04XLT1G

    NTMFS0D9N04XLT1G

    40V T10S IN S08FL PACKAGE

    onsemi

    798
    NTMFS0D9N04XLT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 278A (Tc) 4.5V, 10V 0.9mOhm @ 35A, 10V 2.2V @ 180µA 70 nC @ 10 V ±20V 5160 pF @ 20 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    IRFR320TRPBF-BE3

    IRFR320TRPBF-BE3

    N-CHANNEL 400V

    Vishay Siliconix

    1,918
    IRFR320TRPBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 3.1A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 1.9A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    IRFB3306PBFXKMA1

    IRFB3306PBFXKMA1

    TRENCH 40<-<100V

    Infineon Technologies

    988
    IRFB3306PBFXKMA1

    Техническая документация

    - - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    STF8NM50N

    STF8NM50N

    MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP

    STMicroelectronics

    950
    STF8NM50N

    Техническая документация

    MDmesh™ II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 790mOhm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±25V 364 pF @ 50 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IPB80N06S405ATMA2

    IPB80N06S405ATMA2

    MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

    Infineon Technologies

    231
    IPB80N06S405ATMA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 10V 5.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 60µA 81 nC @ 10 V ±20V 6500 pF @ 25 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3-2
    DI200N04PQ

    DI200N04PQ

    MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0013OHM

    Diotec Semiconductor

    5,000
    DI200N04PQ

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 200A (Tc) 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±20V 5768 pF @ 20 V - 180W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-QFN (5x6)
    IPI80N06S407AKSA2

    IPI80N06S407AKSA2

    MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

    Infineon Technologies

    675
    IPI80N06S407AKSA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 10V 7.4mOhm @ 80A, 10V 4V @ 40µA 56 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO262-3-1
    Total 36322 Record«Prev1... 273274275276277278279280...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.