БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    PJQ5542V-AU_R2_002A1

    PJQ5542V-AU_R2_002A1

    40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    2,980
    PJQ5542V-AU_R2_002A1

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 24.8A (Ta), 136A (Tc) 7V, 10V 3mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 50µA 43 nC @ 10 V ±20V 3050 pF @ 25 V - 3.3W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN5060-8
    IPP50R250CPXKSA1

    IPP50R250CPXKSA1

    LOW POWER_LEGACY

    Infineon Technologies

    500
    IPP50R250CPXKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 13A (Tc) 10V 250mOhm @ 7.8A, 10V 3.5V @ 520µA 36 nC @ 10 V ±20V 1420 pF @ 100 V - 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    SISS4402DN-T1-GE3

    SISS4402DN-T1-GE3

    N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

    Vishay Siliconix

    11,900
    SISS4402DN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 35.5A (Ta), 128A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 70 nC @ 10 V +20V, -16V 3850 pF @ 20 V - 5W (Ta), 65.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
    TSM045NB06CR RLG

    TSM045NB06CR RLG

    MOSFET N-CH 60V 16A/104A 8PDFN

    Taiwan Semiconductor Corporation

    10,000
    TSM045NB06CR RLG

    Техническая документация

    - 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 16A (Ta), 104A (Tc) 10V 5mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 104 nC @ 10 V ±20V 6870 pF @ 30 V - 3.1W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)
    TSM018NB03CR RLG

    TSM018NB03CR RLG

    MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN

    Taiwan Semiconductor Corporation

    4,850
    TSM018NB03CR RLG

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 29A (Ta), 194A (Tc) 4.5V, 10V 1.8mOhm @ 29A, 10V 2.5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 7252 pF @ 15 V - 3.1W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFN (5x6)
    NVMYS1D7N04CTWG

    NVMYS1D7N04CTWG

    T6 40V SL AIZU SINGLE NCH LFPAK

    onsemi

    2,854
    NVMYS1D7N04CTWG

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 36.6A (Ta), 190A (Tc) 10V 1.7mOhm @ 50A, 10V 4V @ 210µA 50 nC @ 10 V ±20V 3125 pF @ 25 V - 3.9W (Ta), 107.1W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    TN2640LG-G

    TN2640LG-G

    MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC

    Microchip Technology

    2,593
    TN2640LG-G

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 260mA (Tj) 4.5V, 10V 5Ohm @ 500mA, 10V 2V @ 2mA - ±20V 225 pF @ 25 V - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    MCU019N15YH-TP

    MCU019N15YH-TP

    POWER MOSFET

    Micro Commercial Co

    2,430
    MCU019N15YH-TP

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 55A (Tc) 6V, 10V 19mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 2530 pF @ 75 V - 150W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    TK10P50W,RQ

    TK10P50W,RQ

    PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA

    Toshiba Semiconductor and Storage

    1,609
    TK10P50W,RQ

    Техническая документация

    DTMOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 9.7A (Ta) 10V 430mOhm @ 4.9A, 10V 3.7V @ 500µA 20 nC @ 10 V ±30V 700 pF @ 300 V - 80W (Tc) 150°C - - Surface Mount DPAK
    NVMYS1D6N04CLTWG

    NVMYS1D6N04CLTWG

    T6 40V LL AIZU SINGLE NCH LFPAK

    onsemi

    1,500
    NVMYS1D6N04CLTWG

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 35A (Ta), 185A (Tc) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 50A, 10V 3V @ 210µA 71 nC @ 10 V ±20V 4301 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 107.1W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    NVTFS5C460NLWFTAG

    NVTFS5C460NLWFTAG

    MOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN

    onsemi

    1,475
    NVTFS5C460NLWFTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 19A (Ta), 74A (Tc) 4.5V, 10V 4.8mOhm @ 35A, 10V 2V @ 40µA 11 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    IPA052N08NM5SXKSA1

    IPA052N08NM5SXKSA1

    MOSFET N-CH 80V 64A TO220

    Infineon Technologies

    360
    IPA052N08NM5SXKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 64A (Tc) 6V, 10V 5.2mOhm @ 32A, 10V 3.8V @ 65µA 56 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 40 V - 38W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220 Full Pack
    SISH116DN-T1-GE3

    SISH116DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK

    Vishay Siliconix

    6,000
    SISH116DN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® 1212-8SH Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 10.5A (Ta) 4.5V, 10V 7.8mOhm @ 16.4A, 10V 2.5V @ 250µA 23 nC @ 4.5 V ±20V - - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
    DI068P04D1-AQ

    DI068P04D1-AQ

    MOSFET, DPAK, -40V, -68A, 0, 54W

    Diotec Semiconductor

    4,590
    DI068P04D1-AQ

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel - - 68A - - - - - - - 54W - - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    R6007RND3TL1

    R6007RND3TL1

    600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I

    Rohm Semiconductor

    3,017
    R6007RND3TL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 15V 940mOhm @ 3.5A, 15V 7V @ 1mA 17.5 nC @ 15 V ±30V 460 pF @ 100 V - 96W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    PJD50N04V-AU_L2_002A1

    PJD50N04V-AU_L2_002A1

    40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    3,000
    PJD50N04V-AU_L2_002A1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 16.8A (Ta), 80A (Tc) 7V, 10V 5.9mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 50µA 23 nC @ 10 V ±20V 1287 pF @ 25 V - 3W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    RD3P06BBKHRBTL

    RD3P06BBKHRBTL

    NCH 100V 59A, TO-252 (DPAK), POW

    Rohm Semiconductor

    2,945
    RD3P06BBKHRBTL

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PSMN4R1-60YLX

    PSMN4R1-60YLX

    MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    2,713
    PSMN4R1-60YLX

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Tc) 5V, 10V 4.1mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 103 nC @ 10 V ±20V 7853 pF @ 25 V - 238W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    R6009KND3TL1

    R6009KND3TL1

    NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S

    Rohm Semiconductor

    2,500
    R6009KND3TL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 10V 535mOhm @ 2.8A, 10V 5V @ 1mA 16.5 nC @ 10 V ±20V 540 pF @ 25 V - 94W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    DI5A7N65D1K-AQ

    DI5A7N65D1K-AQ

    MOSFET, DPAK, 650V, 5.7A, 150C,

    Diotec Semiconductor

    2,480
    DI5A7N65D1K-AQ

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 5.7A (Tc) 10V 430mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 18.4 nC @ 10 V ±30V 722 pF @ 325 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    Total 36322 Record«Prev1... 271272273274275276277278...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.