БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    TSM038N04LCP ROG

    TSM038N04LCP ROG

    MOSFET N-CHANNEL 40V 135A TO252

    Taiwan Semiconductor Corporation

    460
    TSM038N04LCP ROG

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 135A (Tc) 4.5V, 10V 3.8mOhm @ 19A, 10V 2.5V @ 250µA 104 nC @ 10 V ±20V 5509 pF @ 20 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    NVTFS5C658NLTAG

    NVTFS5C658NLTAG

    MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN

    onsemi

    225
    NVTFS5C658NLTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 109A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 50A, 10V 2.2V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V ±20V 1935 pF @ 25 V - 114W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    PJD80N06SA-AU_L2_006A1

    PJD80N06SA-AU_L2_006A1

    60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    3,000
    PJD80N06SA-AU_L2_006A1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PJD65N10SA-AU_L2_006A1

    PJD65N10SA-AU_L2_006A1

    100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

    Panjit International Inc.

    2,990
    PJD65N10SA-AU_L2_006A1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PJQ5562A-AU_R2_002A1

    PJQ5562A-AU_R2_002A1

    60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    1,990
    PJQ5562A-AU_R2_002A1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    ZXMN3A04KTC

    ZXMN3A04KTC

    MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

    Diodes Incorporated

    2,490
    ZXMN3A04KTC

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 12A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 12A, 10V 1V @ 250mA 36.8 nC @ 10 V ±20V 1890 pF @ 15 V - 2.15W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252-3
    DI070P04PQ-AQ

    DI070P04PQ-AQ

    MOSFET, POWERQFN 5X6, -40V, -70A

    Diotec Semiconductor

    3,230
    DI070P04PQ-AQ

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 125 nC @ 10 V ±20V 7560 pF @ 20 V - 46W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-QFN (5x6)
    DI100N04D1-AQ

    DI100N04D1-AQ

    MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W

    Diotec Semiconductor

    2,494
    DI100N04D1-AQ

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel - - 100A - - - - - - - 69W - - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    BUK7Y8R7-60EX

    BUK7Y8R7-60EX

    MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    1,341
    BUK7Y8R7-60EX

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 87A (Tc) 10V 8.7mOhm @ 20A, 10V 4V @ 1mA 46 nC @ 10 V ±20V 3159 pF @ 25 V - 147W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    TPH3R008QM,LQ

    TPH3R008QM,LQ

    80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 3MOHM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    10,863
    TPH3R008QM,LQ

    Техническая документация

    U-MOSX-H 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 100A (Tc) 6V, 10V 3mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 900µA 71 nC @ 10 V ±20V 7200 pF @ 40 V - 3W (Ta), 180W (Tc) 175°C - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
    XPH1R104PS,L1XHQ

    XPH1R104PS,L1XHQ

    40V UMOS9-H SOP ADVANCE

    Toshiba Semiconductor and Storage

    5,000
    XPH1R104PS,L1XHQ

    Техническая документация

    U-MOSIX-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Ta) 6V, 10V 1.14mOhm @ 60A, 10V 3V @ 500µA 55 nC @ 10 V ±20V 4560 pF @ 10 V - 3W (Ta), 132W (Tc) 175°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
    IAUC120N06S5L022ATMA1

    IAUC120N06S5L022ATMA1

    MOSFET_)40V 60V)

    Infineon Technologies

    3,616
    IAUC120N06S5L022ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 170A (Tj) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 60A, 10V 2.2V @ 65µA 77 nC @ 10 V ±20V 5651 pF @ 30 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-34
    IXTP24N65X2M

    IXTP24N65X2M

    MOSFET N-CH 650V 24A TO220

    IXYS

    295
    IXTP24N65X2M

    Техническая документация

    Ultra X2 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 145mOhm @ 12A, 10V 5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 2060 pF @ 25 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Isolated Tab
    ISC110N12NM6ATMA1

    ISC110N12NM6ATMA1

    TRENCH >=100V

    Infineon Technologies

    4,746
    ISC110N12NM6ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 6 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 11A (Ta), 62A (Tc) 8V, 10V 11mOhm @ 26A, 10V 3.6V @ 35µA 19.3 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 60 V - 3W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount SuperSO8
    XP6NA6R5H

    XP6NA6R5H

    MOSFET N-CH 60V 66A TO252

    YAGEO XSEMI

    990
    XP6NA6R5H

    Техническая документация

    XP6NA6R5 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 66A (Tc) 6V, 10V 6.5mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V 2976 pF @ 50 V - 2W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    BUK9637-100E,118

    BUK9637-100E,118

    MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    739
    BUK9637-100E,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 31A (Tc) 5V, 10V 36mOhm @ 10A, 10V 2.1V @ 1mA 22.8 nC @ 5 V ±10V 2681 pF @ 25 V - 96W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    IPB80N06S407ATMA2

    IPB80N06S407ATMA2

    MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

    Infineon Technologies

    707
    IPB80N06S407ATMA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 10V - 4V @ 40µA 56 nC @ 10 V ±20V 4500 pF @ 25 V - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-3-2
    SIRA90DP-T1-GE3

    SIRA90DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    6,357
    SIRA90DP-T1-GE3

    Техническая документация

    - PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 0.8mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 153 nC @ 10 V +20V, -16V 10180 pF @ 15 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    PSMQC078N10LS2_R2_00201

    PSMQC078N10LS2_R2_00201

    100V/ 7.8M/ EXCELLECT LOW FOM MO

    Panjit International Inc.

    5,840
    PSMQC078N10LS2_R2_00201

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount DFN5060-8
    IRFR5410TRRPBF

    IRFR5410TRRPBF

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK

    Infineon Technologies

    3,000
    IRFR5410TRRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 13A (Tc) 10V 205mOhm @ 7.8A, 10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V 760 pF @ 25 V - 66W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    Total 36322 Record«Prev1... 268269270271272273274275...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.