БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы TPS54560DDA CR2032 TPS54560DDAR 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 CR2016
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      IAUAN04S7N007AUMA1

      IAUAN04S7N007AUMA1

      IAUAN04S7N007AUMA1

      Infineon Technologies

      		 448
      Запрос на предложение
      		IAUAN04S7N007AUMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 7 5-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Ta), 330A (Tj) 7V, 10V 0.72mOhm @ 100A, 10V 3V @ 73µA 94 nC @ 10 V ±20V 6460 pF @ 20 V - 149W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HSOF-5-2
      PSMQC094N10NS2_R2_00201

      PSMQC094N10NS2_R2_00201

      100V/ 9.4M/ EXCELLECT LOW FOM MO

      Panjit International Inc.

      		 5,980
      Запрос на предложение
      		PSMQC094N10NS2_R2_00201

      Техническая документация

             		- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
      CDMSJ2204.7-650 SL

      CDMSJ2204.7-650 SL

      SUPER JUNCTION MOSFETS

      Central Semiconductor Corp

      		 500
      Запрос на предложение
      		CDMSJ2204.7-650 SL

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4.7A (Tc) 10V 990mOhm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 9.7 nC @ 10 V 30V 306 pF @ 400 V - 22.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
      SIHU4N80AE-GE3

      SIHU4N80AE-GE3

      MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK

      Vishay Siliconix

      		 2,994
      Запрос на предложение
      		SIHU4N80AE-GE3

      Техническая документация

             		E TO-251-3 Long Leads, IPAK, TO-251AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.3A (Tc) 10V 1.27Ohm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±30V 622 pF @ 100 V - 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK (TO-251)
      STD3NK80Z-1

      STD3NK80Z-1

      MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK

      STMicroelectronics

      		 2,395
      Запрос на предложение
      		STD3NK80Z-1

      Техническая документация

             		SuperMESH™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2.5A (Tc) 10V 4.5Ohm @ 1.25A, 10V 4.5V @ 50µA 19 nC @ 10 V ±30V 485 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
      IPD65R660CFDATMA2

      IPD65R660CFDATMA2

      MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313

      Infineon Technologies

      		 1,607
      Запрос на предложение
      		IPD65R660CFDATMA2

      Техническая документация

             		CoolMOS™ CFD2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 6A (Tc) 10V 660mOhm @ 2.1A, 10V 4.5V @ 200µA 22 nC @ 10 V ±20V 615 pF @ 100 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-313
      XP6NA3R5IT

      XP6NA3R5IT

      MOSFET N-CH 60V 72A TO220CFM

      YAGEO XSEMI

      		 1,000
      Запрос на предложение
      		XP6NA3R5IT

      Техническая документация

             		XP6NA3R5IT TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 72A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 125 nC @ 10 V ±20V 5440 pF @ 50 V - 1.92W (Ta), 32.9W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220CFM
      PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1

      PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1

      60V/ 6M / AECQ101 QUALIFIED / SO

      Panjit International Inc.

      		 5,455
      Запрос на предложение
      		PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1

      Техническая документация

             		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 68A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V 2057 pF @ 30 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN5060-8
      AONS66919

      AONS66919

      N

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 2,770
      Запрос на предложение
      		AONS66919

      Техническая документация

             		AlphaSGT™ 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Ta), 85A (Tc) 4.5V, 10V 5.9mOhm @ 20A, 10V 2.6V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 3420 pF @ 50 V - 6.2W (Ta), 113W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
      IPD85P04P4L06ATMA2

      IPD85P04P4L06ATMA2

      MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3

      Infineon Technologies

      		 3,644
      Запрос на предложение
      		IPD85P04P4L06ATMA2

      Техническая документация

             		OptiMOS™ P2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 85A (Tc) 4.5V, 10V 6.4mOhm @ 85A, 10V 2.2V @ 150µA 104 nC @ 10 V +5V, -16V 6580 pF @ 25 V - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-313
      XP50AN1K5H

      XP50AN1K5H

      MOSFET N-CH 500V 5A TO252

      YAGEO XSEMI

      		 998
      Запрос на предложение
      		XP50AN1K5H

      Техническая документация

             		XP50AN1K5 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 24.6 nC @ 10 V ±30V 800 pF @ 100 V - 2W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
      TJ40S04M3L(T6L1,NQ

      TJ40S04M3L(T6L1,NQ

      MOSFET P-CH 40V 40A DPAK

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 1,754
      Запрос на предложение
      		TJ40S04M3L(T6L1,NQ

      Техническая документация

             		U-MOSVI TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A (Ta) 6V, 10V 9.1mOhm @ 20A, 10V 3V @ 1mA 83 nC @ 10 V +10V, -20V 4140 pF @ 10 V - 68W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
      SISS5110DN-T1-GE3

      SISS5110DN-T1-GE3

      N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

      Vishay Siliconix

      		 12,000
      Запрос на предложение
      		SISS5110DN-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® 1212-8S Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 13.4A (Ta), 46.4A (Tc) 7.5V, 10V 8.9mOhm @ 10A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±25V 920 pF @ 50 V - 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
      TJ30S06M3L(T6L1,NQ

      TJ30S06M3L(T6L1,NQ

      MOSFET P-CH 60V 30A DPAK

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 4,000
      Запрос на предложение
      		TJ30S06M3L(T6L1,NQ

      Техническая документация

             		U-MOSVI TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 30A (Ta) 6V, 10V 21.8mOhm @ 15A, 10V 3V @ 1mA 80 nC @ 10 V +10V, -20V 3950 pF @ 10 V - 68W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount DPAK+
      NVMFS5C673NLWFAFT3G

      NVMFS5C673NLWFAFT3G

      MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN

      onsemi

      		 3,975
      Запрос на предложение
      		NVMFS5C673NLWFAFT3G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 9.2mOhm @ 25A, 10V 2V @ 35µA 9.5 nC @ 10 V ±20V 880 pF @ 25 V - 46W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
      PJQ5544V-AU_R2_002A1

      PJQ5544V-AU_R2_002A1

      40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

      Panjit International Inc.

      		 2,990
      Запрос на предложение
      		PJQ5544V-AU_R2_002A1

      Техническая документация

             		- 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 22.7A (Ta), 120A (Tc) 7V, 10V 3.6mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 50µA 34 nC @ 10 V ±20V 2544 pF @ 25 V - 3.3W (Ta), 94W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN5060-8
      IPD50R399CPATMA1

      IPD50R399CPATMA1

      LOW POWER_LEGACY

      Infineon Technologies

      		 2,500
      Запрос на предложение
      		IPD50R399CPATMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ CP TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 9A (Tc) 10V 399mOhm @ 4.9A, 10V 3.5V @ 330µA 23 nC @ 10 V ±20V 890 pF @ 100 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-313
      NTMFS6H824NLT1G

      NTMFS6H824NLT1G

      T8 80V LL SO8FL

      onsemi

      		 1,480
      Запрос на предложение
      		NTMFS6H824NLT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 20A (Ta), 110A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 2V @ 140µA 52 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 116W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
      TSM060NB06CZ C0G

      TSM060NB06CZ C0G

      60V, 111A, SINGLE N-CHANNEL POWE

      Taiwan Semiconductor Corporation

      		 1,000
      Запрос на предложение
      		TSM060NB06CZ C0G

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 13A (Ta), 111A (Tc) 7V, 10V 6mOhm @ 13A, 10V 4V @ 250µA 103 nC @ 10 V ±20V 6842 pF @ 30 V - 2W (Ta), 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
      STF11N60M2-EP

      STF11N60M2-EP

      MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP

      STMicroelectronics

      		 978
      Запрос на предложение
      		STF11N60M2-EP

      Техническая документация

             		MDmesh™ M2-EP TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7.5A (Tc) 10V 595mOhm @ 3.75A, 10V 4.75V @ 250µA 12.4 nC @ 10 V ±25V 390 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
      Total 36322 Record«Prev1... 267268269270271272273274...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]