БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NVTYS014P04M8LTWG

    NVTYS014P04M8LTWG

    MV8 40V LL SINGLE PCH L

    onsemi

    3,000
    NVTYS014P04M8LTWG

    Техническая документация

    - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 10.4A (Ta), 53A (Tc) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 25A, 10V 3V @ 420µA 27 nC @ 10 V ±20V 16900 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
    PJD25N04V-AU_L2_002A1

    PJD25N04V-AU_L2_002A1

    40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    3,000
    PJD25N04V-AU_L2_002A1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 12A (Ta), 42A (Tc) 7V, 10V 11.3mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 50µA 9.5 nC @ 10 V ±20V 681 pF @ 25 V - 3W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    PJQ5574A-AU_R2_002A1

    PJQ5574A-AU_R2_002A1

    100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

    Panjit International Inc.

    3,000
    PJQ5574A-AU_R2_002A1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    PJD55N04S-AU_L2_002A1

    PJD55N04S-AU_L2_002A1

    40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    2,600
    PJD55N04S-AU_L2_002A1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 17.7A (Ta), 87A (Tc) 4.5V, 10V 5.3mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 50µA 20 nC @ 10 V ±20V 1328 pF @ 25 V - 3W (Ta), 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    DMT6004SPS-13

    DMT6004SPS-13

    MOSFET N-CH 60V 23A PWRDI5060-8

    Diodes Incorporated

    2,136
    DMT6004SPS-13

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 23A (Ta) 10V 3.1mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 95.4 nC @ 10 V ±20V 4556 pF @ 30 V - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerDI5060-8
    DMTH10H010LCTB-13

    DMTH10H010LCTB-13

    MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

    Diodes Incorporated

    790
    DMTH10H010LCTB-13

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 108A (Tc) 10V 9.5mOhm @ 13A, 10V 3.5V @ 250µA 53.7 nC @ 10 V ±20V 2592 pF @ 50 V - 2.4W (Ta), 166W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263
    ZVN4306GVTA

    ZVN4306GVTA

    MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223

    Diodes Incorporated

    1,153
    ZVN4306GVTA

    Техническая документация

    - TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 2.1A (Ta) 5V, 10V 330mOhm @ 3A, 10V 3V @ 1mA - ±20V 350 pF @ 25 V - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-223-3
    TQM043NH04LCR RLG

    TQM043NH04LCR RLG

    40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

    Taiwan Semiconductor Corporation

    5,000
    TQM043NH04LCR RLG

    Техническая документация

    PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 20A (Ta), 54A (Tc) 4.5V, 10V 4.3mOhm @ 27A, 10V 2.2V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±16V 2480 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-PDFN (5x6)
    TQM043NH04CR RLG

    TQM043NH04CR RLG

    40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

    Taiwan Semiconductor Corporation

    5,000
    TQM043NH04CR RLG

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    NVD5C464NLT4G

    NVD5C464NLT4G

    T6 40V DPAK EXPANSION AND

    onsemi

    2,500
    NVD5C464NLT4G

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - 18A (Ta), 64A (Tc) - - - - - - - - - Automotive AEC-Q101 - -
    SQR97N06-6M3L_GE3

    SQR97N06-6M3L_GE3

    MOSFET N-CH 60V 50A TO252

    Vishay Siliconix

    1,992
    SQR97N06-6M3L_GE3

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 97A (Tc) 4.5V, 10V 6.3mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 250µA 125 nC @ 10 V ±20V 6060 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    SIHFR9310TR-GE3

    SIHFR9310TR-GE3

    MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

    Vishay Siliconix

    1,638
    SIHFR9310TR-GE3

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 1.8A (Tc) 10V 7Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    R6007KND3TL1

    R6007KND3TL1

    NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S

    Rohm Semiconductor

    2,494
    R6007KND3TL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V 620mOhm @ 2.4A, 10V 5V @ 1mA 14.5 nC @ 10 V ±20V 470 pF @ 25 V - 78W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    IPD30N08S222ATMA1

    IPD30N08S222ATMA1

    MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

    Infineon Technologies

    1,773
    IPD30N08S222ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 30A (Tc) 10V 21.5mOhm @ 50A, 10V 4V @ 80µA 57 nC @ 10 V ±20V 1400 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3-11
    NVTFWS004N04CTAG

    NVTFWS004N04CTAG

    MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN

    onsemi

    1,500
    NVTFWS004N04CTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 18A (Ta), 77A (Tc) 10V 4.9mOhm @ 35A, 10V 3.5V @ 50µA 18 nC @ 10 V ±20V 1150 pF @ 25 V - 3.2W (Ta), 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    NVMFS5C673NWFT1G

    NVMFS5C673NWFT1G

    MOSFET N-CH 60V 14A/50A 5DFN

    onsemi

    1,500
    NVMFS5C673NWFT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 14A (Ta), 50A (Tc) 10V 10.7mOhm @ 7A, 10V 4V @ 35µA 9.6 nC @ 10 V ±20V 680 pF @ 30 V - 3.6W (Ta), 46W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    NVMFS4C306NT1G

    NVMFS4C306NT1G

    TRENCH 30V NCH

    onsemi

    1,500
    NVMFS4C306NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 20.6A (Ta), 71A (Tc) 4.5V, 10V 3.4mOhm @ 30A, 10V 2.1V @ 250µA 11.6 nC @ 4.5 V ±20V 1683 pF @ 15 V - 3W (Ta), 36.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    PJQ5522-AU_R2_002A1

    PJQ5522-AU_R2_002A1

    30V N-CHANNEL (LL) SGT MOSFET

    Panjit International Inc.

    3,000
    PJQ5522-AU_R2_002A1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPP029N06NXKSA1

    IPP029N06NXKSA1

    TRENCH 40<-<100V

    Infineon Technologies

    495
    IPP029N06NXKSA1

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Tc) 6V, 10V 2.9mOhm @ 100A, 10V 3.3V @ 75µA 66 nC @ 10 V ±20V 5125 pF @ 30 V - 3W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    FQD12N20LTM-F085P

    FQD12N20LTM-F085P

    MOSFET N-CH 200V 9A TO252

    onsemi

    4,798
    FQD12N20LTM-F085P

    Техническая документация

    QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 9A (Tc) 5V, 10V 280mOhm @ 4.5A, 10V 2V @ 250µA 21 nC @ 5 V ±20V 1080 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 55W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    Total 36322 Record«Prev1... 269270271272273274275276...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.