БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NVMFS5C450NLWFAFT1G

    NVMFS5C450NLWFAFT1G

    MOSFET N-CH 40V 110A 5DFN

    onsemi

    1,850
    NVMFS5C450NLWFAFT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 40A, 10V 2V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 20 V - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    SIHP12N50E-BE3

    SIHP12N50E-BE3

    N-CHANNEL 500V

    Vishay Siliconix

    836
    SIHP12N50E-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 10.5A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 886 pF @ 100 V - 114W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    DMT61M5SPSW-13

    DMT61M5SPSW-13

    MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

    Diodes Incorporated

    2,181
    DMT61M5SPSW-13

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 215A (Tc) 10V 1.5mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 130.6 nC @ 10 V ±20V 8306 pF @ 30 V - 2.7W (Ta), 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI5060-8 (SWP)
    FDPF041N06BL1-F154

    FDPF041N06BL1-F154

    MOSFET N-CH 60V 77A TO220F-3

    onsemi

    772
    FDPF041N06BL1-F154

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 77A (Tc) - 4.1mOhm @ 77A, 10V 4V @ 250µA 69 nC @ 10 V ±20V 5690 pF @ 30 V - 44.1W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    NTMYS9D3N06CLTWG

    NTMYS9D3N06CLTWG

    MOSFET N-CH 60V T6 LFPAK4

    onsemi

    2,995
    NTMYS9D3N06CLTWG

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active - - - 14A (Ta), 50A (Tc) - - - - - - - - - - - Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    SIR5110DP-T1-RE3

    SIR5110DP-T1-RE3

    N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

    Vishay Siliconix

    11,972
    SIR5110DP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 13.5A (Ta), 47.6A (Tc) 7.5V, 10V 6mOhm @ 35A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 920 pF @ 50 V - 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SIR402DP-T1-GE3

    SIR402DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    3,000
    SIR402DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 6mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 15 V - 4.2W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    RH6R025BHTB1

    RH6R025BHTB1

    NCH 150V 25A, HSMT8, POWER MOSFE

    Rohm Semiconductor

    2,679
    RH6R025BHTB1

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 25A (Tc) 6V, 10V 60mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 16.7 nC @ 10 V ±20V 1010 pF @ 75 V - 59W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
    SIHA12N50E-E3

    SIHA12N50E-E3

    MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220

    Vishay Siliconix

    995
    SIHA12N50E-E3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 10.5A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V 886 pF @ 100 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
    STL125N10F8AG

    STL125N10F8AG

    AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V, 4.6

    STMicroelectronics

    956
    STL125N10F8AG

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    STL305N4F8AG

    STL305N4F8AG

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 40V,

    STMicroelectronics

    170
    STL305N4F8AG

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    IPA126N10NM3SXKSA1

    IPA126N10NM3SXKSA1

    MOSFET N-CH 100V 39A TO220

    Infineon Technologies

    231
    IPA126N10NM3SXKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 3 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 35A (Tc) 6V, 10V 12.6mOhm @ 35A, 10V 3.5V @ 45µA 35 nC @ 10 V ±20V 2500 pF @ 50 V - 33W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220 Full Pack
    TPH1400CQ5,LQ

    TPH1400CQ5,LQ

    150V UMOS 10-H SOP ADVANCE

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,975
    TPH1400CQ5,LQ

    Техническая документация

    U-MOSX-H 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 77A (Ta), 32A (Tc) 8V, 10V 14.1mOhm @ 16A, 10V 4.5V @ 600µA 31 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 75 V - 3W (Ta), 170W (Tc) 175°C - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
    NTTFS4C50NTAG

    NTTFS4C50NTAG

    MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN

    onsemi

    1,292
    NTTFS4C50NTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 19.4A (Ta) - - - - - - - - - - - Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    STL305N4LF8AG

    STL305N4LF8AG

    POWERFLAT 5X6 WF

    STMicroelectronics

    976
    STL305N4LF8AG

    Техническая документация

    STripFET™ F8 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 4.5V, 10V 1mOhm @ 60A, 10V 2V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±16V 5400 pF @ 25 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
    NTMYS4D6N04CLTWG

    NTMYS4D6N04CLTWG

    MOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4

    onsemi

    7,124
    NTMYS4D6N04CLTWG

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 21A (Ta), 78A (Tc) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 35A, 10V 2V @ 40µA 23 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    NVMJS3D0N06CTWG

    NVMJS3D0N06CTWG

    T6 60V SL LFPAK8 5X6

    onsemi

    3,000
    NVMJS3D0N06CTWG

    Техническая документация

    - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 26.9A (Ta), 139.3A (Tc) 10V 2.9mOhm @ 27A, 10V 4V @ 135µA 34 nC @ 10 V ±20V 2675 pF @ 25 V - 4.2W (Ta), 112.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
    TK12P50W,RQ

    TK12P50W,RQ

    PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA

    Toshiba Semiconductor and Storage

    1,877
    TK12P50W,RQ

    Техническая документация

    DTMOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11.5A (Ta) 10V 340mOhm @ 5.8A, 10V 3.7V @ 600µA 25 nC @ 10 V ±30V 890 pF @ 300 V - 100W (Tc) 150°C - - Surface Mount DPAK
    IPP65R420CFDXKSA2

    IPP65R420CFDXKSA2

    MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220-3

    Infineon Technologies

    488
    IPP65R420CFDXKSA2

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8.7A (Tc) 10V 420mOhm @ 3.4A, 10V 4.5V @ 300µA 31.5 nC @ 10 V ±20V 870 pF @ 100 V - 83.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    TK6Q60W,S1VQ

    TK6Q60W,S1VQ

    MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK

    Toshiba Semiconductor and Storage

    183
    TK6Q60W,S1VQ

    Техническая документация

    DTMOSIV TO-251-3 Stub Leads, IPAK Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.2A (Ta) 10V 820mOhm @ 3.1A, 10V 3.7V @ 310µA 12 nC @ 10 V ±30V 390 pF @ 300 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole IPAK
    Total 36322 Record«Prev1... 275276277278279280281282...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.