БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPT65R190CFD7XTMA1

    IPT65R190CFD7XTMA1

    MOSFET N-CH 650V 8HSOF

    Infineon Technologies

    1,990
    IPT65R190CFD7XTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V - - - - - - - - - - - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
    IPB65R230CFD7AATMA1

    IPB65R230CFD7AATMA1

    AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3

    Infineon Technologies

    820
    IPB65R230CFD7AATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 230mOhm @ 5.2A, 10V 4.5V @ 260µA 23 nC @ 10 V ±20V 1044 pF @ 400 V - 63W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    MCU2D8N04YHQ-TP

    MCU2D8N04YHQ-TP

    POWER MOSFET

    Micro Commercial Co

    2,500
    MCU2D8N04YHQ-TP

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 10V 2.8mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V 3344 pF @ 25 V - 125W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252 (DPAK)
    TP65H480G4JSGB-TR

    TP65H480G4JSGB-TR

    GANFET N-CH 650V 3.6A QFN5X6

    Transphorm

    3,886
    TP65H480G4JSGB-TR

    Техническая документация

    SuperGaN® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 3.6A (Tc) 6V 560mOhm @ 3A, 6V 2.8V @ 500µA 5 nC @ 10 V ±10V 414 pF @ 400 V - 13.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    NVMJS0D8N04CLTWG

    NVMJS0D8N04CLTWG

    MOSFET N-CH 40V 56A/368A 8LFPAK

    onsemi

    2,954
    NVMJS0D8N04CLTWG

    Техническая документация

    - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 56A (Ta), 368A (Tc) 4.5V, 10V 0.72mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 162 nC @ 10 V ±20V 9600 pF @ 25 V - 4.2W (Ta), 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
    NVMJS1D4N06CLTWG

    NVMJS1D4N06CLTWG

    MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK

    onsemi

    2,725
    NVMJS1D4N06CLTWG

    Техническая документация

    - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 39A (Ta), 262A (Tc) 4.5V, 10V 1.3mOhm @ 50A, 10V 2V @ 280µA 103 nC @ 10 V ±20V 7430 pF @ 30 V - 4W (Ta), 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-LFPAK
    XP6NA1R4CXT

    XP6NA1R4CXT

    FET N-CH 60V 44.6A 100A PMPAK

    YAGEO XSEMI

    1,000
    XP6NA1R4CXT

    Техническая документация

    XP6NA1R4C 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 44.6A (Ta), 100A (Tc) 6V, 10V 1.45mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 195 nC @ 10 V ±20V 11520 pF @ 50 V - 5W (Ta), 113.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PMPAK® 5 x 6
    TK160F10N1L,LQ

    TK160F10N1L,LQ

    MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    914
    TK160F10N1L,LQ

    Техническая документация

    U-MOSVIII-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 160A (Ta) 6V, 10V 2.4mOhm @ 80A, 10V 3.5V @ 1mA 122 nC @ 10 V ±20V 10100 pF @ 10 V - 375W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-220SM(W)
    TSM60NE285CP ROG

    TSM60NE285CP ROG

    MOSFET

    Taiwan Semiconductor Corporation

    5,000
    TSM60NE285CP ROG

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V, 12V 274mOhm @ 5A, 12V 6V @ 1.4mA 22 nC @ 10 V ±30V 884 pF @ 300 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    IRFS3307ZTRRPBF

    IRFS3307ZTRRPBF

    MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

    Infineon Technologies

    1,198
    IRFS3307ZTRRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 120A (Tc) 10V 5.8mOhm @ 75A, 10V 4V @ 150µA 110 nC @ 10 V ±20V 4750 pF @ 50 V - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SIDR510EP-T1-RE3

    SIDR510EP-T1-RE3

    N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE

    Vishay Siliconix

    5,782
    SIDR510EP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen V PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 33A (Ta), 148A (Tc) 7.5V, 10V 3.6mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±20V 4980 pF @ 50 V - 7.5W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
    NVMFWS1D9N08XT1G

    NVMFWS1D9N08XT1G

    T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE

    onsemi

    1,435
    NVMFWS1D9N08XT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 201A (Tc) 10V 1.9mOhm @ 50A, 10V 3.6V @ 252µA 63 nC @ 10 V ±20V 4470 pF @ 40 V - 164W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
    RD3G07BBGTL1

    RD3G07BBGTL1

    NCH 40V 70A, TO-252, POWER MOSF

    Rohm Semiconductor

    474
    RD3G07BBGTL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 70A, 10V 2.5V @ 1mA 56 nC @ 10 V ±20V 3540 pF @ 20 V - 89W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    IPI076N12N3GAKSA1

    IPI076N12N3GAKSA1

    MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3

    Infineon Technologies

    476
    IPI076N12N3GAKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 100A (Tc) 10V 7.6mOhm @ 100A, 10V 4V @ 130µA 101 nC @ 10 V ±20V 6640 pF @ 60 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    FCPF165N65S3L1-F154

    FCPF165N65S3L1-F154

    SF3 650V 165MOHM E TO220F

    onsemi

    940
    FCPF165N65S3L1-F154

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 19A (Tj) 10V 165mOhm @ 9.5A, 10V 4.5V @ 410µA 35 nC @ 10 V ±30V 1415 pF @ 400 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    NTMFS5H600NLT3G

    NTMFS5H600NLT3G

    MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN

    onsemi

    5,000
    NTMFS5H600NLT3G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 35A (Ta), 250A (Tc) 4.5V, 10V 1.3mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 6680 pF @ 30 V - 3.3W (Ta), 160W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    TQM019NH04LCR RLG

    TQM019NH04LCR RLG

    40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE

    Taiwan Semiconductor Corporation

    4,995
    TQM019NH04LCR RLG

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    TQM019NH04CR RLG

    TQM019NH04CR RLG

    40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE

    Taiwan Semiconductor Corporation

    4,980
    TQM019NH04CR RLG

    Техническая документация

    PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 30A (Ta), 100A (Tc) 7V, 10V 1.9mOhm @ 50A, 10V 3.6V @ 250µA 134 nC @ 10 V ±20V 9044 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 8-PDFNU (4.9x5.75)
    PJD90P03E-AU_L2_006A1

    PJD90P03E-AU_L2_006A1

    30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    2,984
    PJD90P03E-AU_L2_006A1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 17A (Ta), 88A (Tc) 4.5V, 10V 6.4mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±25V 3040 pF @ 25 V - 3W (Ta), 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    NTMFS5H600NLT1G-IRH1

    NTMFS5H600NLT1G-IRH1

    T8 60V LOW COSS

    onsemi

    1,498
    NTMFS5H600NLT1G-IRH1

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 35A (Ta), 250A (Tc) 4.5V, 10V 1.3mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 6680 pF @ 30 V - 3.3W (Ta), 160W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    Total 36322 Record«Prev1... 289290291292293294295296...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.