БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NVMFS5C420NT1G

    NVMFS5C420NT1G

    POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL,

    onsemi

    1,500
    NVMFS5C420NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 43A (Ta), 268A (Tc) 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V 4V @ 200µA 82 nC @ 10 V ±20V 5340 pF @ 20 V - 3.8W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    AUIRFR4615TRL

    AUIRFR4615TRL

    MOSFET N-CH 150V 33A DPAK

    Infineon Technologies

    3,000
    AUIRFR4615TRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 33A (Tc) 10V 42mOhm @ 21A, 10V 5V @ 100µA 26 nC @ 10 V ±20V 1750 pF @ 50 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    R6022YNX3C16

    R6022YNX3C16

    NCH 600V 22A, TO-220AB, POWER MO

    Rohm Semiconductor

    995
    R6022YNX3C16

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V, 12V 165mOhm @ 6.5A, 12V 6V @ 1.8mA 33 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 100 V - 205W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    XP60SL115DR

    XP60SL115DR

    MOSFET N-CH 600V 28A TO262

    YAGEO XSEMI

    990
    XP60SL115DR

    Техническая документация

    XP60SL115D TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 28A (Tc) 10V 115mOhm @ 9.6A, 10V 5V @ 250µA 145 nC @ 10 V ±20V 5120 pF @ 100 V - 2W (Ta), 178W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
    IPB80N06S2H5ATMA2

    IPB80N06S2H5ATMA2

    MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

    Infineon Technologies

    875
    IPB80N06S2H5ATMA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 80A (Tc) 10V 5.2mOhm @ 80A, 10V 4V @ 230µA 155 nC @ 10 V ±20V 4400 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    IPB80N04S204ATMA2

    IPB80N04S204ATMA2

    MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

    Infineon Technologies

    6,388
    IPB80N04S204ATMA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 3.4mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 170 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    IQD016N08NM5CGATMA1

    IQD016N08NM5CGATMA1

    OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

    Infineon Technologies

    4,824
    IQD016N08NM5CGATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 9-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 31A (Ta), 323A (Tc) 6V, 10V 1.57mOhm @ 50A, 10V 3.8V @ 159µA 133 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 40 V - 3W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TTFN-9-U02
    STB9NK60ZT4

    STB9NK60ZT4

    MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK

    STMicroelectronics

    845
    STB9NK60ZT4

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V 950mOhm @ 3.5A, 10V 4.5V @ 100µA 53 nC @ 10 V ±30V 1110 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    STW25N60M2-EP

    STW25N60M2-EP

    MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247

    STMicroelectronics

    560
    STW25N60M2-EP

    Техническая документация

    MDmesh™ M2-EP TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 188mOhm @ 9A, 10V 4.75V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 1090 pF @ 100 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IQD020N10NM5CGATMA1

    IQD020N10NM5CGATMA1

    OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR

    Infineon Technologies

    4,942
    IQD020N10NM5CGATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 9-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 26A (Ta), 273A (Tc) 6V, 10V 2.05mOhm @ 50A, 10V 3.8V @ 159µA 134 nC @ 10 V ±20V 9500 pF @ 50 V - 3W (Ta), 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TTFN-9-U02
    XP8NA2R2CXT

    XP8NA2R2CXT

    MOSFET N-CH 80V 35A 168A PMPAK

    YAGEO XSEMI

    1,000
    XP8NA2R2CXT

    Техническая документация

    XP8NA2R2C 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 35A (Ta), 168A (Tc) 6V, 10V 2.2mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 179 nC @ 10 V ±20V 9328 pF @ 60 V - 5W (Ta), 113.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PMPAK® 5 x 6
    TP65H300G4LSGB-TR

    TP65H300G4LSGB-TR

    GANFET N-CH 650V 6.5A QFN8X8

    Transphorm

    2,893
    TP65H300G4LSGB-TR

    Техническая документация

    SuperGaN® 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 6.5A (Tc) 6V 312mOhm @ 6.5A, 6V 2.8V @ 500µA 8.8 nC @ 10 V ±12V 730 pF @ 400 V - 21W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (8x8)
    IPB180P04P403ATMA2

    IPB180P04P403ATMA2

    MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

    Infineon Technologies

    1,741
    IPB180P04P403ATMA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ P2 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) - 2.8mOhm @ 100A, 10V 4V @ 410µA 250 nC @ 10 V ±20V 17640 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7-3
    IPB60R145CFD7ATMA1

    IPB60R145CFD7ATMA1

    MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3-2

    Infineon Technologies

    994
    IPB60R145CFD7ATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 145mOhm @ 6.8A, 10V 4.5V @ 340µA 31 nC @ 10 V ±20V 1330 pF @ 400 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    IPB339N20NM6ATMA1

    IPB339N20NM6ATMA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    850
    IPB339N20NM6ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 6 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 6.8A (Ta), 39A (Tc) 10V, 15V 31.8mOhm @ 26A, 15V 4.5V @ 52µA 24 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 100 V - 3.8W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    MCACL220N06YHE3-TP

    MCACL220N06YHE3-TP

    MOSFET N-CH 60 220A DFN5060-C

    Micro Commercial Co

    9,800
    MCACL220N06YHE3-TP

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 220A (Tc) 4.5V, 10V 1.6mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 119 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 30 V - 147W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DFN5060-C
    AONS66612T

    AONS66612T

    60V N-CHANNEL ALPHASGT

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    5,937
    AONS66612T

    Техническая документация

    AlphaSGT™ 8-PowerSMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 48A (Ta), 100A (Tc) 6V, 10V 1.65mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 30 V - 7.5W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
    STL19N60M6

    STL19N60M6

    MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV

    STMicroelectronics

    3,000
    STL19N60M6

    Техническая документация

    MDmesh™ M6 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 308mOhm @ 6.5A, 10V 4.75V @ 250µA 16.8 nC @ 10 V ±25V 650 pF @ 100 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
    STD80N450K6

    STD80N450K6

    N-CHANNEL 800 V, 380 MOHM TYP.,

    STMicroelectronics

    2,460
    STD80N450K6

    Техническая документация

    MDmesh™ K5 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 10A (Tc) 10V 450mOhm @ 5A, 10V 4V @ 100µA 17.3 nC @ 10 V ±30V 700 pF @ 400 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    PSMN2R6-100SSFJ

    PSMN2R6-100SSFJ

    NEXTPOWER 80/100V MOSFETS

    Nexperia USA Inc.

    2,000
    PSMN2R6-100SSFJ

    Техническая документация

    - SOT-1235 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 200A (Ta) 7V, 10V 2.6mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 191 nC @ 10 V ±20V 12838 pF @ 50 V - 341W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
    Total 36322 Record«Prev1... 292293294295296297298299...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.