БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    STP26N65DM2

    STP26N65DM2

    MOSFET N-CH 650V 20A TO220

    STMicroelectronics

    858
    STP26N65DM2

    Техническая документация

    MDmesh™ DM2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 35.5 nC @ 10 V ±25V 1480 pF @ 100 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    NTMFSS1D5N06CL

    NTMFSS1D5N06CL

    60V T6 DIE IN 5X6 SOURCE DOWN PA

    onsemi

    11,838
    NTMFSS1D5N06CL

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 31A (Ta), 237A (Tc) 4.5V, 10V 1.5mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 102.6 nC @ 10 V ±20V 7526 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 144W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 9-TDFN (5x6)
    TSM190N08CZ C0G

    TSM190N08CZ C0G

    MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220

    Taiwan Semiconductor Corporation

    3,980
    TSM190N08CZ C0G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 190A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 8600 pF @ 30 V - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IPI111N15N3GAKSA1

    IPI111N15N3GAKSA1

    MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3

    Infineon Technologies

    500
    IPI111N15N3GAKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 83A (Tc) 8V, 10V 11.1mOhm @ 83A, 10V 4V @ 160µA 55 nC @ 10 V ±20V 3230 pF @ 75 V - 214W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3
    BUK762R6-60E,118

    BUK762R6-60E,118

    MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    4,795
    BUK762R6-60E,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 120A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 140 nC @ 10 V ±20V 10170 pF @ 25 V - 324W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    IAUMN10S5N016GAUMA1

    IAUMN10S5N016GAUMA1

    MOSFET_(75V 120V(

    Infineon Technologies

    1,965
    IAUMN10S5N016GAUMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 4-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 220A (Tj) 6V, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 230µA 190 nC @ 10 V ±20V 13570 pF @ 50 V - 325W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HSOG-4-1
    R6049YNX3C16

    R6049YNX3C16

    NCH 600V 49A, TO-220AB, POWER MO

    Rohm Semiconductor

    991
    R6049YNX3C16

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 49A (Tc) 10V, 12V 82mOhm @ 11A, 12V 6V @ 2.9mA 65 nC @ 10 V ±30V 2940 pF @ 100 V - 448W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    R6022YNZ4C13

    R6022YNZ4C13

    NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSF

    Rohm Semiconductor

    600
    R6022YNZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 22A (Tc) 10V, 12V 165mOhm @ 6.5A, 12V 6V @ 1.8mA 33 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 100 V - 205W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    IAUA210N10S5N024AUMA1

    IAUA210N10S5N024AUMA1

    MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5

    Infineon Technologies

    3,600
    IAUA210N10S5N024AUMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 210A (Tj) 6V, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 150µA 119 nC @ 10 V ±20V 8696 pF @ 50 V - 238W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-5-4
    DI280N10TL

    DI280N10TL

    MOSFET TOLL N 100V 0.002OHM 175C

    Diotec Semiconductor

    1,892
    DI280N10TL

    Техническая документация

    - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 280A (Tc) 10V 2mOhm @ 50A, 10V 4.2V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±20V 8150 pF @ 50 V - 425mW (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TOLL
    IPP039N10N5AKSA1

    IPP039N10N5AKSA1

    MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

    Infineon Technologies

    500
    IPP039N10N5AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 100A (Tc) 6V, 10V 3.9mOhm @ 50A, 10V 3.8V @ 125µA 95 nC @ 10 V ±20V 7000 pF @ 50 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    PJD75N04V-AU_L2_002A1

    PJD75N04V-AU_L2_002A1

    40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    3,000
    PJD75N04V-AU_L2_002A1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 28.2A (Ta), 181A (Tc) 7V, 10V 2.1mOhm @ 20A, 10V 3.5V @ 50µA 63 nC @ 10 V ±20V 4691 pF @ 25 V - 3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    PJD80N04S-AU_L2_002A1

    PJD80N04S-AU_L2_002A1

    40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

    Panjit International Inc.

    3,000
    PJD80N04S-AU_L2_002A1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 28A (Ta), 190A (Tc) 4.5V, 10V 2.1mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 50µA 75 nC @ 10 V ±20V 4973 pF @ 25 V - 3W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252AA
    NTMJS0D9N04CTWG

    NTMJS0D9N04CTWG

    MOSFET N-CH 40V 52A/342A 8LFPAK

    onsemi

    2,988
    NTMJS0D9N04CTWG

    Техническая документация

    - SOT-1205, 8-LFPAK56 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 52A (Ta), 342A (Tc) 10V 0.81mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 117 nC @ 10 V 20V 7400 pF @ 20 V - 4.2W (Ta), 180W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-LFPAK
    NVD5C632NLT4G

    NVD5C632NLT4G

    MOSFET N-CH 60V 29A/155A DPAK

    onsemi

    1,786
    NVD5C632NLT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 29A (Ta), 155A (Tc) 4.5V, 10V 2.5mOhm @ 50A, 10V 2.1V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 5700 pF @ 25 V - 4W (Ta), 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    GAN140-650FBEZ

    GAN140-650FBEZ

    650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE

    Nexperia USA Inc.

    2,327
    GAN140-650FBEZ

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 17A (Tc) 6V 140mOhm @ 5A, 6V 2.5V @ 17.2mA 3.5 nC @ 6 V +7V, -1.4V 125 pF @ 400 V - 113W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount, Wettable Flank DFN5060-5
    AUIRF7736M2TR

    AUIRF7736M2TR

    MOSFET N-CH 40V 22A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    3,844
    AUIRF7736M2TR

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric M4 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 22A (Ta), 108A (Tc) 10V 3mOhm @ 65A, 10V 4V @ 150µA 108 nC @ 10 V ±20V 4267 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DirectFET™ Isometric M4
    IPA90R500C3XKSA2

    IPA90R500C3XKSA2

    MOSFET N-CH 900V 11A TO220

    Infineon Technologies

    1,915
    IPA90R500C3XKSA2

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 11A (Tc) 10V 500mOhm @ 6.6A, 10V 3.5V @ 740µA 68 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 100 V - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
    TSM60NE180CIT C0G

    TSM60NE180CIT C0G

    600V, 13A, SINGLE N-CHANNEL HIGH

    Taiwan Semiconductor Corporation

    2,000
    TSM60NE180CIT C0G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V, 12V 165mOhm @ 4.3A, 12V 6V @ 1.8mA 34 nC @ 10 V ±30V 1417 pF @ 300 V - 63W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220TL
    TSM600NA25CIT C0G

    TSM600NA25CIT C0G

    250V 22A SINGLE N-CHAN

    Taiwan Semiconductor Corporation

    3,897
    TSM600NA25CIT C0G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 22A (Tc) 10V 60mOhm @ 11A, 10V 4.2V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±30V 3086 pF @ 125 V - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220TL
    Total 36322 Record«Prev1... 294295296297298299300301...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.