БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SIHB17N80E-GE3

    SIHB17N80E-GE3

    MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK

    Vishay Siliconix

    888
    SIHB17N80E-GE3

    Техническая документация

    E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V 2408 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    MSJP11N80A-BP

    MSJP11N80A-BP

    N-CHANNEL MOSFET, TO-220AB(H)

    Micro Commercial Co

    4,992
    MSJP11N80A-BP

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 11A (Tc) 10V 470mOhm @ 7.1A, 10V 4.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V 918 pF @ 400 V - 250W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB (H)
    SIHB11N80E-GE3

    SIHB11N80E-GE3

    MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK

    Vishay Siliconix

    4,800
    SIHB11N80E-GE3

    Техническая документация

    E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 12A (Tc) 10V 440mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 88 nC @ 10 V ±30V 1670 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    MSJW20N65A-BP

    MSJW20N65A-BP

    MOSFET N-CH TO247

    Micro Commercial Co

    5,395
    MSJW20N65A-BP

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 180mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±30V 1740 pF @ 100 V - 250W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    AONA66916

    AONA66916

    LINEAR IC

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    4,700
    AONA66916

    Техническая документация

    AlphaSGT™ 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 30A (Ta), 197A (Tc) 6V, 10V 3.4mOhm @ 20A, 10V 3.6V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V 5300 pF @ 50 V - 7.5W (Ta), 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
    IPB65R145CFD7AATMA1

    IPB65R145CFD7AATMA1

    AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3

    Infineon Technologies

    860
    IPB65R145CFD7AATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17A (Tc) 10V 145mOhm @ 8.5A, 10V 4.5V @ 420µA 36 nC @ 10 V ±20V 1694 pF @ 400 V - 98W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    IPP020N08N5AKSA1

    IPP020N08N5AKSA1

    MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

    Infineon Technologies

    562
    IPP020N08N5AKSA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 6V, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 280µA 223 nC @ 10 V ±20V 16900 pF @ 40 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    RX3P07BBHC16

    RX3P07BBHC16

    NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER MO

    Rohm Semiconductor

    968
    RX3P07BBHC16

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Tc) 6V, 10V 8.4mOhm @ 70A, 10V 4V @ 1mA 38 nC @ 10 V ±20V 2410 pF @ 50 V - 89W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IPP100N06S2L05AKSA2

    IPP100N06S2L05AKSA2

    MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3

    Infineon Technologies

    456
    IPP100N06S2L05AKSA2

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 4.7mOhm @ 80A, 10V 2V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±20V 5660 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    AUIRFS8407-7TRL

    AUIRFS8407-7TRL

    MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

    Infineon Technologies

    791
    AUIRFS8407-7TRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V 3.9V @ 150µA 225 nC @ 10 V ±20V 7437 pF @ 25 V - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK (7-Lead)
    NVB125N65S3

    NVB125N65S3

    SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO

    onsemi

    648
    NVB125N65S3

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 4.5V @ 590µA 46 nC @ 10 V ±30V 1940 pF @ 400 V - 181W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    FDMS86150A

    FDMS86150A

    FET 100V 4.85 MOHM PQFN56

    onsemi

    2,950
    FDMS86150A

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 16A (Ta), 60A (Tc) 6V, 10V 4.85mOhm @ 16A, 10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V 4665 pF @ 50 V - 2.7W (Ta), 113W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Power56
    TSM60NE145CIT C0G

    TSM60NE145CIT C0G

    MOSFET

    Taiwan Semiconductor Corporation

    2,000
    TSM60NE145CIT C0G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14.5A (Tc) 10V, 12V 135mOhm @ 4.8A, 12V 6V @ 2mA 40 nC @ 10 V ±30V 1661 pF @ 300 V - 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220TL
    IAUMN08S5N012GAUMA1

    IAUMN08S5N012GAUMA1

    MOSFET_(75V 120V(

    Infineon Technologies

    1,901
    IAUMN08S5N012GAUMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5 4-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 300A (Tj) 6V, 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V 3.8V @ 232µA 194 nC @ 10 V ±20V 13550 pF @ 40 V - 325W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HSOG-4-1
    IPB50R140CPATMA1

    IPB50R140CPATMA1

    MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3

    Infineon Technologies

    1,000
    IPB50R140CPATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 550 V 23A (Tc) 10V 140mOhm @ 14A, 10V 3.5V @ 930µA 64 nC @ 10 V ±20V 2540 pF @ 100 V - 192W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    NVMJST2D6N08HTXG

    NVMJST2D6N08HTXG

    TRENCH 8 80V LFPAK 5X7

    onsemi

    5,950
    NVMJST2D6N08HTXG

    Техническая документация

    - 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 28A (Ta), 131.5A (Tc) 10V 2.8mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±20V 4405 pF @ 40 V - 5.3W (Ta), 116W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 10-TCPAK
    IPB240N04S4R9ATMA1

    IPB240N04S4R9ATMA1

    MOSFET N-CH 40V 240A TO263-7

    Infineon Technologies

    943
    IPB240N04S4R9ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 240A (Tc) 10V 0.87mOhm @ 100A, 10V 4V @ 230µA 290 nC @ 10 V ±20V 23000 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7-3
    STW8NK80Z

    STW8NK80Z

    MOSFET N-CH 800V 6.2A TO247-3

    STMicroelectronics

    618
    STW8NK80Z

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6.2A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 3.1A, 10V 4.5V @ 100µA 46 nC @ 10 V ±30V 1320 pF @ 25 V - 140W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    MCW240N10Y-BP

    MCW240N10Y-BP

    POWER MOSFET

    Micro Commercial Co

    293
    MCW240N10Y-BP

    Техническая документация

    - TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 240A (Tc) 10V 1.85mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 256 nC @ 10 V ±20V 16232 pF @ 50 V - 312.5W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    MCTL295N06Y-TP

    MCTL295N06Y-TP

    N-CHANNEL MOSFET, TOLL-8L

    Micro Commercial Co

    3,895
    MCTL295N06Y-TP

    Техническая документация

    - 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 295A (Tc) 6V, 10V 2mOhm @ 20A, 10V 4V @ 250µA 108 nC @ 10 V ±20V 8350 pF @ 30 V - 313W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TOLL-8L
    Total 36322 Record«Prev1... 297298299300301302303304...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.