БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      APT4F120S

      APT4F120S

      MOSFET N-CH 1200V 4A D3PAK

      Microchip Technology

      		 128
      Запрос на предложение
      		APT4F120S

      Техническая документация

             		POWER MOS 8™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 4A (Tc) 10V 4.2Ohm @ 2A, 10V 5V @ 500µA 43 nC @ 10 V ±30V 1385 pF @ 25 V - 175W (Tc) - - - Surface Mount D3PAK
      IPTG018N08NM5ATMA1

      IPTG018N08NM5ATMA1

      TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8

      Infineon Technologies

      		 1,784
      Запрос на предложение
      		IPTG018N08NM5ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 8-PowerSMD, Gull Wing Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 32A (Ta), 253A (Tc) 6V, 10V 1.8mOhm @ 150A, 10V 3.8V @ 159µA 127 nC @ 10 V ±20V 9200 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOG-8-1
      RX3R05BBHC16

      RX3R05BBHC16

      NCH 150V 50A, TO-220AB, POWER MO

      Rohm Semiconductor

      		 500
      Запрос на предложение
      		RX3R05BBHC16

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 50A (Tc) 6V, 10V 29mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 37 nC @ 10 V ±20V 2150 pF @ 75 V - 89W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      MCTK105N60FH-TP

      MCTK105N60FH-TP

      N-CHANNEL MOSFET,TOLL-8L-KS

      Micro Commercial Co

      		 4,000
      Запрос на предложение
      		MCTK105N60FH-TP

      Техническая документация

             		- 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 17.5A (Tc) 10V 105mOhm @ 15.3A, 10V 5V @ 2.1mA 57 nC @ 10 V ±30V 2240 pF @ 100 V - 107W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TOLL-8L-KS
      R6061YNXC7G

      R6061YNXC7G

      NCH 600V 26A, TO-220FM, POWER MO

      Rohm Semiconductor

      		 970
      Запрос на предложение
      		R6061YNXC7G

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 26A (Tc) 10V, 12V 60mOhm @ 13A, 12V 6V @ 3.5mA 76 nC @ 10 V ±30V 3700 pF @ 100 V - 100W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
      ISC035N10NM5LF2ATMA1

      ISC035N10NM5LF2ATMA1

      ISC035N10NM5LF2ATMA1 MOSFET

      Infineon Technologies

      		 4,675
      Запрос на предложение
      		ISC035N10NM5LF2ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 5 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 19A (Ta), 164A (Tc) 10V 3.5mOhm @ 50A, 10V 3.9V @ 115µA 88 nC @ 10 V ±20V 7200 pF @ 50 V - 3W (Ta), 217W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8 FL
      NTMTS0D7N04CLTXG

      NTMTS0D7N04CLTXG

      MOSFET N-CH 40V 67A/433A 8DFNW

      onsemi

      		 3,000
      Запрос на предложение
      		NTMTS0D7N04CLTXG

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 67A (Ta), 433A (Tc) 4.5V, 10V 0.63mOhm @ 50A, 10V 2.5V @ 250µA 205 nC @ 10 V ±20V 12238 pF @ 25 V - 4.9W (Ta), 205W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
      IPA65R125C7XKSA1

      IPA65R125C7XKSA1

      MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP

      Infineon Technologies

      		 322
      Запрос на предложение
      		IPA65R125C7XKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ C7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 125mOhm @ 8.9A, 10V 4V @ 440µA 35 nC @ 10 V ±20V 1670 pF @ 400 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
      MSC360SMA120SCT/R

      MSC360SMA120SCT/R

      MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM PSMT

      Microchip Technology

      		 1,300
      Запрос на предложение
      		MSC360SMA120SCT/R

      Техническая документация

             		- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 11A (Tc) 20V 450mOhm @ 5A, 20V 3.14V @ 250µA 21 nC @ 20 V +23V, -10V 255 pF @ 1000 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268
      MSC360SMA120SDT/R

      MSC360SMA120SDT/R

      MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-26

      Microchip Technology

      		 795
      Запрос на предложение
      		MSC360SMA120SDT/R

      Техническая документация

             		mSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 12A (Tc) 18V, 20V 450mOhm @ 5A, 20V 5V @ 250µA 21 nC @ 20 V +23V, -10V 258 pF @ 1.2 kV - 92W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
      IPI60R165CPXKSA1

      IPI60R165CPXKSA1

      HIGH POWER_LEGACY

      Infineon Technologies

      		 500
      Запрос на предложение
      		IPI60R165CPXKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 21A (Tc) 10V 165mOhm @ 12A, 10V 3.5V @ 790µA 52 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 100 V - 192W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO262-3-1
      IPZA60R099P7XKSA1

      IPZA60R099P7XKSA1

      MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4

      Infineon Technologies

      		 240
      Запрос на предложение
      		IPZA60R099P7XKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ P7 TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 31A (Tc) 10V 99mOhm @ 10.5A, 10V 4V @ 530µA 45 nC @ 10 V ±20V 1952 pF @ 400 V - 117W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
      NVMFS5C612NT1G

      NVMFS5C612NT1G

      NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO

      onsemi

      		 1,500
      Запрос на предложение
      		NVMFS5C612NT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 34A (Ta), 225A (Tc) 10V 1.65mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±20V 4900 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
      NTPF125N65S3H

      NTPF125N65S3H

      POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

      onsemi

      		 970
      Запрос на предложение
      		NTPF125N65S3H

      Техническая документация

             		SuperFET® III TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tj) 10V 125mOhm @ 12A, 10V 4V @ 2.1mA 44 nC @ 10 V ±30V 2200 pF @ 400 V - 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
      IPBE65R145CFD7AATMA1

      IPBE65R145CFD7AATMA1

      AUTOMOTIVE PG-TO263-7

      Infineon Technologies

      		 934
      Запрос на предложение
      		IPBE65R145CFD7AATMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17A (Tc) 10V 145mOhm @ 8.5A, 10V 4.5V @ 420µA 36 nC @ 10 V ±20V 1694 pF @ 400 V - 98W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-11
      IPW65R150CFDFKSA2

      IPW65R150CFDFKSA2

      MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3

      Infineon Technologies

      		 192
      Запрос на предложение
      		IPW65R150CFDFKSA2

      Техническая документация

             		CoolMOS™ CFD2 TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 22.4A (Tc) 10V 150mOhm @ 9.3A, 10V 4.5V @ 900µA 86 nC @ 10 V ±20V 2340 pF @ 100 V - 195.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-41
      TP65H150G4LSG

      TP65H150G4LSG

      GAN FET N-CH 650V PQFN

      Transphorm

      		 2,674
      Запрос на предложение
      		TP65H150G4LSG

      Техническая документация

             		- 3-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 13A (Tc) 10V 180mOhm @ 8.5A, 10V 4.8V @ 500µA 8 nC @ 10 V ±20V 598 pF @ 400 V - 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 3-PQFN (8x8)
      IPDQ65R099CFD7AXTMA1

      IPDQ65R099CFD7AXTMA1

      AUTOMOTIVE_COOLMOS

      Infineon Technologies

      		 460
      Запрос на предложение
      		IPDQ65R099CFD7AXTMA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 29A (Tc) 10V 99mOhm @ 9.7A, 10V 4.5V @ 480µA 39 nC @ 10 V ±20V 1942 pF @ 400 V - 186W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HDSOP-22-1
      S1M1000170K

      S1M1000170K

      MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1700V

      SMC Diode Solutions

      		 300
      Запрос на предложение
      		S1M1000170K

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1700 V 5.2A (Tc) 20V 1.3Ohm @ 2A, 20V 4V @ 500µA 10 nC @ 20 V +25V, -10V 160 pF @ 1000 V - 81W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
      EPC2307

      EPC2307

      TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN

      EPC

      		 2,839
      Запрос на предложение
      		EPC2307

      Техническая документация

             		eGaN® 7-PowerWQFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 200 V 48A (Ta) 5V 10mOhm @ 16A, 5V 2.5V @ 4mA 10.6 nC @ 5 V +6V, -4V 1401 pF @ 100 V - - -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 7-QFN (3x5)
      Total 36322 Record«Prev1... 298299300301302303304305...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]