БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 TPS54560DDAR LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 CR2016 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      TSG65N190CR RVG

      TSG65N190CR RVG

      650V, 11A, PDFN56, E-MODE GAN TR

      Taiwan Semiconductor Corporation

      		 2,999
      Запрос на предложение
      		TSG65N190CR RVG

      Техническая документация

             		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
      TSM60NE069PW C0G

      TSM60NE069PW C0G

      600V, 51A, SINGLE N-CHANNEL HIGH

      Taiwan Semiconductor Corporation

      		 295
      Запрос на предложение
      		TSM60NE069PW C0G

      Техническая документация

             		- TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 51A (Tc) 10V, 12V 60mOhm @ 17A, 12V 6V @ 3.5mA 86 nC @ 10 V ±30V 3566 pF @ 300 V - 417W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
      AIMDQ75R060M1HXUMA1

      AIMDQ75R060M1HXUMA1

      AUTOMOTIVE_SICMOS

      Infineon Technologies

      		 738
      Запрос на предложение
      		AIMDQ75R060M1HXUMA1

      Техническая документация

             		CoolSiC™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 34A (Tc) 15V, 20V 78mOhm @ 11.1A, 18V 5.6V @ 4mA 23 nC @ 18 V +23V, -5V 779 pF @ 500 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HDSOP-22
      E3M0160120J2-TR

      E3M0160120J2-TR

      160m 1200V SiC FET, TO-263-7 XL

      Wolfspeed, Inc.

      		 763
      Запрос на предложение
      		E3M0160120J2-TR

      Техническая документация

             		E TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 18A (Tc) 15V 208mOhm @ 8.5A, 15V 3.8V @ 2.33mA 28 nC @ 15 V +19V, -8V 730 pF @ 1000 V - 104W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
      NVHL050N65S3F

      NVHL050N65S3F

      SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247

      onsemi

      		 450
      Запрос на предложение
      		NVHL050N65S3F

      Техническая документация

             		SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 58A (Tc) 10V 50mOhm @ 29A, 10V 5V @ 1.7mA 123 nC @ 10 V ±30V 5404 pF @ 400 V - 403W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
      TSG65N195CE RVG

      TSG65N195CE RVG

      650V, 11A, PDFN88, E-MODE GAN TR

      Taiwan Semiconductor Corporation

      		 3,000
      Запрос на предложение
      		TSG65N195CE RVG

      Техническая документация

             		* - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
      IMBG120R034M2HXTMA1

      IMBG120R034M2HXTMA1

      SIC DISCRETE

      Infineon Technologies

      		 980
      Запрос на предложение
      		IMBG120R034M2HXTMA1

      Техническая документация

             		- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
      MXP120A080FW-GE3

      MXP120A080FW-GE3

      SILICON CARBIDE MOSFET

      Vishay Siliconix

      		 540
      Запрос на предложение
      		MXP120A080FW-GE3

      Техническая документация

             		MaxSiC™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 29A (Tc) 18V, 20V 100mOhm @ 20A, 20V 2.69V @ 5mA 47.3 nC @ 18 V +22V, -10V 1156 pF @ 800 V - 139W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3L
      AOM060V75X2Q

      AOM060V75X2Q

      750V SILICON CARBIDE MOSFET

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 330
      Запрос на предложение
      		AOM060V75X2Q

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 29A (Tc) 15V 80mOhm @ 6A, 15V 3.5V @ 6mA 39.4 nC @ 15 V +15V, -5V 1165 pF @ 400 V - 103W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
      AOK060V75X2Q

      AOK060V75X2Q

      750V SILICON CARBIDE MOSFET

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 240
      Запрос на предложение
      		AOK060V75X2Q

      Техническая документация

             		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 29A (Tc) 15V 80mOhm @ 6A, 15V 3.5V @ 6mA 39.4 nC @ 15 V +15V, -5V 1165 pF @ 400 V - 103W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247
      AUIRF7669L2TR

      AUIRF7669L2TR

      MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET

      Infineon Technologies

      		 3,964
      Запрос на предложение
      		AUIRF7669L2TR

      Техническая документация

             		HEXFET® DirectFET™ Isometric L8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 19A (Ta), 114A (Tc) 10V 4.4mOhm @ 68A, 10V 5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 5660 pF @ 25 V - 3.3W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
      IMDQ75R040M1HXUMA1

      IMDQ75R040M1HXUMA1

      SILICON CARBIDE MOSFET

      Infineon Technologies

      		 674
      Запрос на предложение
      		IMDQ75R040M1HXUMA1

      Техническая документация

             		CoolSiC™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 47A (Tc) 15V, 20V 37mOhm @ 16.6A, 20V 5.6V @ 6mA 34 nC @ 18 V +23V, -5V 1135 pF @ 500 V - 211W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
      NVH050N65S3F

      NVH050N65S3F

      SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247

      onsemi

      		 443
      Запрос на предложение
      		NVH050N65S3F

      Техническая документация

             		SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 58A (Tc) 10V 50mOhm @ 29A, 10V 5V @ 1.7mA 123 nC @ 10 V ±30V 5404 pF @ 400 V - 403W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
      SCT3080ARC15

      SCT3080ARC15

      650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

      Rohm Semiconductor

      		 439
      Запрос на предложение
      		SCT3080ARC15

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 30A (Tj) 18V 104mOhm @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 48 nC @ 18 V +22V, -4V 571 pF @ 500 V - 134W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
      G3F75MT12J-TR

      G3F75MT12J-TR

      1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE

      GeneSiC Semiconductor

      		 800
      Запрос на предложение
      		G3F75MT12J-TR

      Техническая документация

             		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 31A (Tc) 18V 100mOhm @ 12A, 18V 4.3V @ 9mA 48 nC @ 18 V +22V, -10V 988 pF @ 800 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
      IXTA1N200P3HV-TRL

      IXTA1N200P3HV-TRL

      MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV

      Littelfuse Inc.

      		 789
      Запрос на предложение
      		IXTA1N200P3HV-TRL

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2000 V 1A (Tc) 10V 40Ohm @ 500mA, 10V 4V @ 250µA 23.5 nC @ 10 V ±20V 646 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263HV
      C3M0120065J-TR

      C3M0120065J-TR

      SIC, MOSFET, 120M, 650V, TO-263-

      Wolfspeed, Inc.

      		 1,590
      Запрос на предложение
      		C3M0120065J-TR

      Техническая документация

             		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 21A (Tc) 15V 157mOhm @ 6.76A, 15V 3.6V @ 1.86mA 26 nC @ 15 V +19V, -8V 640 pF @ 400 V - 86W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
      IMT65R048M1HXUMA1

      IMT65R048M1HXUMA1

      SILICON CARBIDE MOSFET

      Infineon Technologies

      		 1,942
      Запрос на предложение
      		IMT65R048M1HXUMA1

      Техническая документация

             		CoolSiC™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active - SiCFET (Silicon Carbide) 650 V - 18V - - - - - - - - - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
      SCT3080ARHRC15

      SCT3080ARHRC15

      650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

      Rohm Semiconductor

      		 816
      Запрос на предложение
      		SCT3080ARHRC15

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 18V 104mOhm @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 48 nC @ 18 V +22V, -4V 571 pF @ 500 V - 134W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
      SICW025N065H4-BP

      SICW025N065H4-BP

      SIC MOSFET,TO-247-4

      Micro Commercial Co

      		 360
      Запрос на предложение
      		SICW025N065H4-BP

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 107A (Tc) 18V 30mOhm @ 50A, 18V 4.5V @ 50mA 275 nC @ 18 V +18V, -5V 5740 pF @ 400 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
      Total 36322 Record«Prev1... 316317318319320321322323...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]