БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    SCTWA35N65G2V-4

    SCTWA35N65G2V-4

    DISCRETE

    STMicroelectronics

    600
    SCTWA35N65G2V-4

    Техническая документация

    - TO-247-4 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 45A (Tc) 18V, 20V 67mOhm @ 20A, 20V 5V @ 1mA 73 nC @ 20 V +18V, -5V 1370 pF @ 400 V - 240W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    NTHL030N120M3S

    NTHL030N120M3S

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

    onsemi

    351
    NTHL030N120M3S

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 73A (Tc) 18V 39mOhm @ 30A, 18V 4.4V @ 15mA 107 nC @ 18 V +22V, -10V 2430 pF @ 800 V - 313W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IMW65R033M2HXKSA1

    IMW65R033M2HXKSA1

    IMW65R033M2HXKSA1

    Infineon Technologies

    369
    IMW65R033M2HXKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 53A (Tc) 15V, 20V 30mOhm @ 27.9A, 20V 5.6V @ 5.7mA 34 nC @ 18 V +23V, -7V 1214 pF @ 400 V - 194W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-40
    TSM60NE048PW C0G

    TSM60NE048PW C0G

    MOSFET

    Taiwan Semiconductor Corporation

    300
    TSM60NE048PW C0G

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 61A (Tc) 10V, 12V 44mOhm @ 20A, 12V 6V @ 4.6mA 114 nC @ 10 V ±30V 5023 pF @ 300 V - 431W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    AOM065V120X2

    AOM065V120X2

    1200V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    238
    AOM065V120X2

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 40.3A (Tc) 15V 85mOhm @ 10A, 15V 3.5V @ 10mA 62.3 nC @ 15 V +18V, -8V 1716 pF @ 800 V - 187.5W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    IMT40R015M2HXTMA1

    IMT40R015M2HXTMA1

    SIC-MOS

    Infineon Technologies

    1,942
    IMT40R015M2HXTMA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ 8-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 400 V 11.7A (Ta), 111A (Tc) 15V, 18V 19.1mOhm @ 27.1A, 18V 5.6V @ 9.7mA 62 nC @ 18 V +23V, -7V 2730 pF @ 200 V - 3.8W (Ta), 341W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-8-2
    GAN039-650NTBJ

    GAN039-650NTBJ

    GAN CASCODE FETS

    Nexperia USA Inc.

    948
    GAN039-650NTBJ

    Техническая документация

    - 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 58.5A (Ta) 10V 39mOhm @ 32A, 10V 4.6V @ 1mA 26 nC @ 10 V ±20V 1980 pF @ 400 V - 250W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount CCPAK1212i
    R6086YNZ4C13

    R6086YNZ4C13

    NCH 600V 86A, TO-247, POWER MOSF

    Rohm Semiconductor

    521
    R6086YNZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 86A (Tc) 10V, 12V 44mOhm @ 17A, 12V 6V @ 4.6mA 110 nC @ 10 V ±30V 5100 pF @ 100 V - 781W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    IPDQ60R016CM8XTMA1

    IPDQ60R016CM8XTMA1

    IPDQ60R016CM8XTMA1

    Infineon Technologies

    720
    IPDQ60R016CM8XTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 135A (Tc) 10V 16mOhm @ 62.5A, 10V 4.7V @ 1.48mA 171 nC @ 10 V ±20V 7545 pF @ 400 V - 625W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22
    SCT3080KRHRC15

    SCT3080KRHRC15

    1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    440
    SCT3080KRHRC15

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 31A (Tc) 18V 104mOhm @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 60 nC @ 18 V +22V, -4V 785 pF @ 800 V - 165W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    IPDQ60R022S7AXTMA1

    IPDQ60R022S7AXTMA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    750
    IPDQ60R022S7AXTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 12V 22mOhm @ 23A, 12V 4.5V @ 1.44mA 150 nC @ 12 V ±20V 5640 pF @ 300 V - 416W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    NVHL060N090SC1

    NVHL060N090SC1

    SICFET N-CH 900V 46A TO247-3

    onsemi

    383
    NVHL060N090SC1

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 900 V 46A (Tc) 15V 84mOhm @ 20A, 15V 4.3V @ 5mA 87 nC @ 15 V +19V, -10V 1770 pF @ 450 V - 221W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    SCT3060ARHRC15

    SCT3060ARHRC15

    650V, 39A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    446
    SCT3060ARHRC15

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 39A (Tc) 18V 78mOhm @ 13A, 18V 5.6V @ 6.67mA 58 nC @ 18 V +22V, -4V 852 pF @ 500 V - 165W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    NSF080120L4A0Q

    NSF080120L4A0Q

    NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L

    Nexperia USA Inc.

    446
    NSF080120L4A0Q

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 35A (Tc) 15V, 18V 120mOhm @ 20A, 15V 2.9V @ 2mA 52 nC @ 15 V +22V, -10V 1335 pF @ 800 V - 183W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    AIMZA75R040M1HXKSA1

    AIMZA75R040M1HXKSA1

    IGBT

    Infineon Technologies

    229
    AIMZA75R040M1HXKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 44A (Tj) 15V, 20V 37mOhm @ 16.6A, 20V 5.6V @ 6mA 34 nC @ 18 V +23V, -5V 1135 pF @ 500 V - 185W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-4
    IMZA65R033M2HXKSA1

    IMZA65R033M2HXKSA1

    IMZA65R033M2HXKSA1

    Infineon Technologies

    390
    IMZA65R033M2HXKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 53A (Tc) 15V, 20V 30mOhm @ 27.9A, 20V 5.6V @ 5.7mA 34 nC @ 18 V +23V, -7V 1214 pF @ 400 V - 194W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-8
    IMBG40R015M2HXTMA1

    IMBG40R015M2HXTMA1

    SIC-MOS

    Infineon Technologies

    939
    IMBG40R015M2HXTMA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 400 V 11.7A (Ta), 111A (Tc) 15V, 18V 19.1mOhm @ 27.1A, 18V 5.6V @ 9.7mA 62 nC @ 18 V +23V, -7V 2730 pF @ 200 V - 3.8W (Ta), 341W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-11
    SCT3060ARC15

    SCT3060ARC15

    650V, 39A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    427
    SCT3060ARC15

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 39A (Tj) 18V 78mOhm @ 13A, 18V 5.6V @ 6.67mA 58 nC @ 18 V +22V, -4V 852 pF @ 500 V - 165W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    SCT3080KRC15

    SCT3080KRC15

    1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    365
    SCT3080KRC15

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 31A (Tj) 18V 104mOhm @ 10A, 18V 5.6V @ 5mA 60 nC @ 18 V +22V, -4V 785 pF @ 800 V - 165W 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    NVHL040N65S3HF

    NVHL040N65S3HF

    SUPERFER3 FRFET AUTOMOTIVE 40MOH

    onsemi

    430
    NVHL040N65S3HF

    Техническая документация

    SuperFET® III, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 65A (Tc) 10V 40mOhm @ 32.5A, 10V 5V @ 2.1mA 157 nC @ 10 V ±30V 6655 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    Total 36322 Record«Prev1... 319320321322323324325326...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.