БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    AOM065V120X2Q

    AOM065V120X2Q

    1200V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    238
    AOM065V120X2Q

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 40.3A (Tc) 15V 85mOhm @ 10A, 15V 3.5V @ 10mA 62.3 nC @ 15 V +15V, -5V 1716 pF @ 800 V - 187.5W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    S3M0040120K

    S3M0040120K

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    300
    S3M0040120K

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 65A (Tc) 18V 52mOhm @ 40A, 18V 4V @ 16mA 143 nC @ 18 V +22V, -8V 2844 pF @ 1000 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    C3M0075120K1

    C3M0075120K1

    MOSFET N-CH 1200V 32A TO247-4L

    Wolfspeed, Inc.

    345
    C3M0075120K1

    Техническая документация

    - TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 32A (Tc) 15V 97.5mOhm @ 17.9A, 15V 3.8V @ 5mA 55 nC @ 15 V +19V, -8V 1480 pF @ 1000 V - 145W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    SICW080N120Y4-BP

    SICW080N120Y4-BP

    N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4

    Micro Commercial Co

    338
    SICW080N120Y4-BP

    Техническая документация

    - TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 39A 18V 85mOhm @ 20A, 18V 3.6V @ 5mA 41 nC @ 18 V +22V, -8V 890 pF @ 1000 V - 223W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    NVH4L032N065M3S

    NVH4L032N065M3S

    SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S

    onsemi

    422
    NVH4L032N065M3S

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 50A (Tc) 15V, 18V 44mOhm @ 15A, 18V 4V @ 7.5mA 55 nC @ 18 V +22V, -8V 1410 pF @ 400 V - 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
    IMDQ75R027M1HXUMA1

    IMDQ75R027M1HXUMA1

    IMDQ75R027M1HXUMA1

    Infineon Technologies

    708
    IMDQ75R027M1HXUMA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 64A (Tj) 15V, 20V 25mOhm @ 24.5A, 20V 5.6V @ 8.8mA 49 nC @ 18 V +20V, -2V 1668 pF @ 500 V - 273W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    NVH4L070N120M3S

    NVH4L070N120M3S

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

    onsemi

    222
    NVH4L070N120M3S

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 34A (Tc) 18V 87mOhm @ 15A, 18V 4.4V @ 7mA 57 nC @ 18 V +22V, -10V 1230 pF @ 800 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    PJMK040N60EC_T0_00201

    PJMK040N60EC_T0_00201

    600V/ 40M / 71A/ EASY TO DRIVER

    Panjit International Inc.

    690
    PJMK040N60EC_T0_00201

    Техническая документация

    - - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    AOK065V65X2

    AOK065V65X2

    MOSFET N-CH 650V 40.3A TO247

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    225
    AOK065V65X2

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 40.3A (Tc) 15V 85mOhm @ 10A, 15V 3.5V @ 10mA 58.8 nC @ 15 V +15V, -5V 1762 pF @ 400 V - 187.5W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    DIW170SIC070

    DIW170SIC070

    SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 70A, 1

    Diotec Semiconductor

    150
    DIW170SIC070

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1700 V 70A (Tc) 20V 22.3mOhm @ 40A, 20V 4V @ 10mA 80 nC @ 18 V +20V, -5V 6000 pF @ 1200 V - 416W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    IPQC60R017S7XTMA1

    IPQC60R017S7XTMA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    750
    IPQC60R017S7XTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ S7 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 12V 17mOhm @ 29A, 12V 4.5V @ 1.89mA 196 nC @ 12 V ±20V 7370 pF @ 300 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22
    IPDQ60R017S7XTMA1

    IPDQ60R017S7XTMA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    695
    IPDQ60R017S7XTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ S7 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 30A (Tc) 12V 17mOhm @ 29A, 12V 4.5V @ 1.89mA 196 nC @ 12 V ±20V 7370 pF @ 300 V - 500W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    SIHG64N65E-GE3

    SIHG64N65E-GE3

    MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC

    Vishay Siliconix

    481
    SIHG64N65E-GE3

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 64A (Tc) 10V 47mOhm @ 32A, 10V 4V @ 250µA 369 nC @ 10 V ±30V 7497 pF @ 100 V - 520W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AC
    SCT4026DWATL

    SCT4026DWATL

    750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    946
    SCT4026DWATL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 51A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - - 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7LA
    AIMBG75R027M1HXTMA1

    AIMBG75R027M1HXTMA1

    AIMBG75R027M1HXTMA1

    Infineon Technologies

    1,183
    AIMBG75R027M1HXTMA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 64A (Tj) 15V, 20V 25mOhm @ 24.5A, 20V 5.6V @ 8.8mA 49 nC @ 18 V +23V, -5V 1668 pF @ 500 V - 273W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7
    AOK065V120X2Q

    AOK065V120X2Q

    1200V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    240
    AOK065V120X2Q

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 40.3A (Tc) 15V 85mOhm @ 10A, 15V 3.5V @ 10mA 62.3 nC @ 15 V +15V, -5V 1716 pF @ 800 V - 187.5W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247
    NVH4L040N65S3F

    NVH4L040N65S3F

    MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4

    onsemi

    448
    NVH4L040N65S3F

    Техническая документация

    SuperFET® III, FRFET® TO-247-4 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 65A (Tc) - 40mOhm @ 32.5A, 10V 5V @ 2.1mA 160 nC @ 10 V ±30V 5665 pF @ 400 V - 446W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    G3F40MT12J-TR

    G3F40MT12J-TR

    1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE

    GeneSiC Semiconductor

    800
    G3F40MT12J-TR

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 59A (Tc) 18V 53mOhm @ 20A, 18V 4.3V @ 16mA 86 nC @ 18 V +22V, -10V 2023 pF @ 800 V - 270W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
    E4M0045075K1

    E4M0045075K1

    MOSFETS AUTOMOTIVE 139W 3.8V NC

    Wolfspeed, Inc.

    254
    E4M0045075K1

    Техническая документация

    E TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 42A (Tc) 15V 60mOhm @ 17.6A, 15V 3.8V @ 4.84mA 65 nC @ 15 V +19V, -8V 1606 pF @ 500 V - 139W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    IMW65R026M2HXKSA1

    IMW65R026M2HXKSA1

    IMW65R026M2HXKSA1

    Infineon Technologies

    390
    IMW65R026M2HXKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 64A (Tc) 15V, 20V 24mOhm @ 34.5A, 20V 5.6V @ 7mA 42 nC @ 18 V +23V, -7V 1499 pF @ 400 V - 227W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-40
    Total 36322 Record«Prev1... 321322323324325326327328...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.