БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 TPS54560DDAR LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 CR2016 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      G3R40MT12J-TR

      G3R40MT12J-TR

      1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE

      GeneSiC Semiconductor

      		 630
      Запрос на предложение
      		G3R40MT12J-TR

      Техническая документация

             		G3R™, LoRing™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 66A (Tc) 15V, 18V 45mOhm @ 35A, 18V 2.7V @ 18mA 88 nC @ 15 V +22V, -10V 2897 pF @ 800 V - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
      IMDQ75R020M1HXUMA1

      IMDQ75R020M1HXUMA1

      IMDQ75R020M1HXUMA1

      Infineon Technologies

      		 750
      Запрос на предложение
      		IMDQ75R020M1HXUMA1

      Техническая документация

             		CoolSiC™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 81A (Tj) 15V, 20V 18mOhm @ 32.5A, 20V 5.6V @ 11.7mA 67 nC @ 18 V +20V, -2V 2217 pF @ 500 V - 326W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
      NVBG060N090SC1

      NVBG060N090SC1

      SIC MOS N-CH 900V 5.8A D2PAK-7

      onsemi

      		 2,081
      Запрос на предложение
      		NVBG060N090SC1

      Техническая документация

             		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 900 V 5.8A (Ta), 44A (Tc) 15V 84mOhm @ 20A, 15V 4.3V @ 5mA 88 nC @ 15 V +19V, -10V 1800 pF @ 450 V - 3.6W (Ta), 211W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK-7
      NSF040120D7A0J

      NSF040120D7A0J

      NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L

      Nexperia USA Inc.

      		 800
      Запрос на предложение
      		NSF040120D7A0J

      Техническая документация

             		- - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
      AIMBG75R020M1HXTMA1

      AIMBG75R020M1HXTMA1

      AIMBG75R020M1HXTMA1

      Infineon Technologies

      		 424
      Запрос на предложение
      		AIMBG75R020M1HXTMA1

      Техническая документация

             		CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 81A (Tj) 15V, 20V 18mOhm @ 34.1A, 20V 5.6V @ 12.2mA 70 nC @ 18 V +23V, -5V 2326 pF @ 500 V - 326W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7
      AOM033V120X2Q

      AOM033V120X2Q

      1200V SILICON CARBIDE MOSFET

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 150
      Запрос на предложение
      		AOM033V120X2Q

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 68A (Tc) 15V 43mOhm @ 20A, 15V 2.8V @ 17.5mA 104 nC @ 15 V +18V, -8V 2908 pF @ 800 V - 300W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
      NVHL045N065SC1

      NVHL045N065SC1

      SIC MOS TO247-3L 650V

      onsemi

      		 442
      Запрос на предложение
      		NVHL045N065SC1

      Техническая документация

             		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 66A (Tc) 15V, 18V 50mOhm @ 25A, 18V 4.3V @ 8mA 105 nC @ 18 V +22V, -8V 1870 pF @ 325 V - 291W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
      E4M0045075J2-TR

      E4M0045075J2-TR

      MOSFETS 1606 PF 172W 3.8V 62 NC

      Wolfspeed, Inc.

      		 426
      Запрос на предложение
      		E4M0045075J2-TR

      Техническая документация

             		E TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 46A (Tc) 15V 60mOhm @ 17.6A, 15V 3.8V @ 4.84mA 62 nC @ 15 V +19V, -8V 1606 pF @ 500 V - 172W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
      IXFK420N10T

      IXFK420N10T

      MOSFET N-CH 100V 420A TO264AA

      Littelfuse Inc.

      		 224
      Запрос на предложение
      		IXFK420N10T

      Техническая документация

             		HiPerFET™, Trench TO-264-3, TO-264AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 420A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 60A, 10V 5V @ 8mA 670 nC @ 10 V ±20V 47000 pF @ 25 V - 1670W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264AA (IXFK)
      G3F34MT12J-TR

      G3F34MT12J-TR

      1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE

      GeneSiC Semiconductor

      		 800
      Запрос на предложение
      		G3F34MT12J-TR

      Техническая документация

             		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 68A (Tc) 18V 45mOhm @ 26A, 18V 4.3V @ 18mA 104 nC @ 18 V +22V, -10V 2418 pF @ 800 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
      G3F25MT06J-TR

      G3F25MT06J-TR

      650V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFET

      GeneSiC Semiconductor

      		 800
      Запрос на предложение
      		G3F25MT06J-TR

      Техническая документация

             		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 108A (Tc) 15V, 18V 27.5mOhm @ 35A, 18V 4.3V @ 15mA 108 nC @ 18 V +22V, -10V 2939 pF @ 400 V - 343W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
      SICW028N120A4-BP

      SICW028N120A4-BP

      MOSFET N-CH 1200 V 80A TO247-4

      Micro Commercial Co

      		 1,800
      Запрос на предложение
      		SICW028N120A4-BP

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 80A (Tc) 16V, 20V 30mOhm @ 40A, 20V 3V @ 15mA 168 nC @ 18 V +22V, -5V 3570 pF @ 1000 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
      G3F34MT12K

      G3F34MT12K

      1200V 34M TO-247-4 G3F SIC MOSFE

      GeneSiC Semiconductor

      		 600
      Запрос на предложение
      		G3F34MT12K

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 63A (Tc) 18V 45mOhm @ 26A, 18V 4.3V @ 18mA 104 nC @ 18 V +22V, -10V 2418 pF @ 800 V - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
      AIMDQ75R020M1HXUMA1

      AIMDQ75R020M1HXUMA1

      AIMDQ75R020M1HXUMA1

      Infineon Technologies

      		 670
      Запрос на предложение
      		AIMDQ75R020M1HXUMA1

      Техническая документация

             		CoolSiC™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 81A (Tj) 15V, 20V 18mOhm @ 32.5A, 20V 5.6V @ 11.7mA 67 nC @ 18 V +23V, -5V 2217 pF @ 500 V - 326W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HDSOP-22
      AOM033V120X2

      AOM033V120X2

      1200V SILICON CARBIDE MOSFET

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 234
      Запрос на предложение
      		AOM033V120X2

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 68A (Tc) 15V 43mOhm @ 20A, 15V 2.8V @ 17.5mA 104 nC @ 15 V +15V, -5V 2908 pF @ 800 V - 300W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
      S3M0025120K

      S3M0025120K

      MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

      SMC Diode Solutions

      		 240
      Запрос на предложение
      		S3M0025120K

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 77A (Tc) 18V 32mOhm @ 48A, 18V 4V @ 20mA 175 nC @ 18 V +22V, -8V 3519 pF @ 1000 V - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
      GAN039-650NBBHP

      GAN039-650NBBHP

      650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (

      Nexperia USA Inc.

      		 935
      Запрос на предложение
      		GAN039-650NBBHP

      Техническая документация

             		- 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 60A (Tc) 10V 39mOhm @ 32A, 10V 4.8V @ 1mA 30 nC @ 10 V ±20V 1500 pF @ 400 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount CCPAK1212
      NVH4L023N065M3S

      NVH4L023N065M3S

      SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S

      onsemi

      		 450
      Запрос на предложение
      		NVH4L023N065M3S

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 67A (Tc) 15V, 18V 33mOhm @ 20A, 18V 4V @ 10mA 69 nC @ 18 V +22V, -8V 1952 pF @ 400 V - 245W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
      IMZA75R020M1HXKSA1

      IMZA75R020M1HXKSA1

      SILICON CARBIDE MOSFET

      Infineon Technologies

      		 237
      Запрос на предложение
      		IMZA75R020M1HXKSA1

      Техническая документация

             		CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 75A (Tj) 15V, 20V 18mOhm @ 32.5A, 20V 5.6V @ 11.7mA 67 nC @ 18 V +23V, -5V 2217 pF @ 500 V - 278W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
      G3F25MT06K

      G3F25MT06K

      650V 20M TO-247-4 G3F SIC MOSFET

      GeneSiC Semiconductor

      		 595
      Запрос на предложение
      		G3F25MT06K

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 100A (Tc) 15V, 18V 27.5mOhm @ 35A, 18V 4.3V @ 15mA 108 nC @ 18 V +22V, -10V 2939 pF @ 400 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
      Total 36322 Record«Prev1... 324325326327328329330331...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]