БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    AOM015V65X2

    AOM015V65X2

    650V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    238
    AOM015V65X2

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 96A (Tc) 15V 22mOhm @ 24A, 15V 3.5V @ 24mA 152 nC @ 15 V +15V, -5V 4880 pF @ 400 V - 312W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    AOK015V65X2

    AOK015V65X2

    650V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    238
    AOK015V65X2

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 96A (Tc) 15V 22mOhm @ 24A, 15V 3.5V @ 24mA 152 nC @ 15 V +15V, -5V 4880 pF @ 400 V - 312W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    C3M0025075K1

    C3M0025075K1

    SICFET N-CH 750V 80A TO247

    Wolfspeed, Inc.

    184
    C3M0025075K1

    Техническая документация

    - TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 80A (Ta) 15V 34mOhm @ 33.5A, 15V 3.8V @ 9.22mA 119 nC @ 15 V -8V, +19V 3055 pF @ 500 V - 262W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    NVHL025N065SC1

    NVHL025N065SC1

    SIC MOS TO247-3L 650V

    onsemi

    450
    NVHL025N065SC1

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 99A (Tc) 15V, 18V 28.5mOhm @ 45A, 18V 4.3V @ 15.5mA 164 nC @ 18 V +22V, -8V 3480 pF @ 325 V - 348W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
    NSF040120L4A0Q

    NSF040120L4A0Q

    NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L

    Nexperia USA Inc.

    432
    NSF040120L4A0Q

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 65A (Tj) 15V, 18V 60mOhm @ 40A, 15V 2.9V @ 4mA 95 nC @ 15 V +22V, -10V 2600 pF @ 800 V - 306W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247
    NVH4L025N065SC1

    NVH4L025N065SC1

    SIC MOS TO247-4L 650V

    onsemi

    882
    NVH4L025N065SC1

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 99A (Tc) 15V, 18V 28.5mOhm @ 45A, 18V 4.3V @ 15.5mA 164 nC @ 18 V +22V, -8V 3480 pF @ 325 V - 348W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    IPQC60R010S7XTMA1

    IPQC60R010S7XTMA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    750
    IPQC60R010S7XTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ S7 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 50A (Tc) 12V 10mOhm @ 50A, 12V 4.5V @ 3.08mA 318 nC @ 12 V ±20V - - 694W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22
    NTHL019N60S5F

    NTHL019N60S5F

    SUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-

    onsemi

    442
    NTHL019N60S5F

    Техническая документация

    SuperFET® V, FRFET® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 75A (Tc) 10V 19mOhm @ 37.5A,10V 4.8V @ 15.7mA 252 nC @ 10 V ±30V 13400 pF @ 400 V - 568W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    E3M0040120J2-TR

    E3M0040120J2-TR

    40m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL

    Wolfspeed, Inc.

    736
    E3M0040120J2-TR

    Техническая документация

    E TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 63A (Tc) 15V 53mOhm @ 31.9A, 15V 3.8V @ 8.77mA 91 nC @ 15 V +19V, -8V 2726 pF @ 1000 V - 294W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
    AOM020V120X2

    AOM020V120X2

    1200V SILICON CARBIDE MOSFET

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    230
    AOM020V120X2

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 89A (Tc) 15V 28mOhm @ 27A, 15V 2.8V @ 27mA 166 nC @ 15 V +18V, -8V 5180 pF @ 800 V - 348W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    S2M0016120D-1

    S2M0016120D-1

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    300
    S2M0016120D-1

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 140A (Tc) 18V, 20V 23mOhm @ 75A, 20V 3.6V @ 23mA 285 nC @ 20 V +20V, -5V 4540 pF @ 1000 V - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
    NVH4L030N120M3S

    NVH4L030N120M3S

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

    onsemi

    393
    NVH4L030N120M3S

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 73A (Tc) 18V 39mOhm @ 30A, 18V 4.4V @ 15mA 107 nC @ 18 V +22V, -10V 2430 pF @ 800 V - 313W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    S2M0016120K-1

    S2M0016120K-1

    MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

    SMC Diode Solutions

    147
    S2M0016120K-1

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 140A (Tc) 18V, 20V 23mOhm @ 75A, 20V 3.6V @ 23mA 285 nC @ 20 V +20V, -5V 4540 pF @ 1000 V - 517W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    TSG65N068CE RVG

    TSG65N068CE RVG

    650V, 30A, PDFN88, E-MODE GAN TR

    Taiwan Semiconductor Corporation

    2,962
    TSG65N068CE RVG

    Техническая документация

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    C3M0065100J-TR

    C3M0065100J-TR

    SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7

    Wolfspeed, Inc.

    788
    C3M0065100J-TR

    Техническая документация

    C3M™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1000 V 35A (Tc) 15V 78mOhm @ 20A, 15V 3.5V @ 5mA 35 nC @ 15 V +15V, -4V 660 pF @ 600 V - 113.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    G3F20MT12J-TR

    G3F20MT12J-TR

    1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE

    GeneSiC Semiconductor

    800
    G3F20MT12J-TR

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 108A (Tc) 18V 26.5mOhm @ 40A, 18V 4.3V @ 30mA 176 nC @ 18 V +22V, -10V 4317 pF @ 800 V - 448W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
    IMZA75R016M1HXKSA1

    IMZA75R016M1HXKSA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    210
    IMZA75R016M1HXKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 89A (Tj) 15V, 20V 15mOhm @ 41.5A, 20V 5.6V @ 14.9mA 81 nC @ 18 V +23V, -5V 2869 pF @ 500 V - 319W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
    AIMZA75R016M1HXKSA1

    AIMZA75R016M1HXKSA1

    SICFET N-CH 750V 89A PG-TO247-4

    Infineon Technologies

    213
    AIMZA75R016M1HXKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 89A (Tc) 15V, 20V 22mOhm @ 41.5A, 18V 5.6V @ 14.9mA 81 nC @ 18 V +23V, -5V 2869 pF @ 500 V - 319W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-4
    DIF120SIC053-AQ

    DIF120SIC053-AQ

    MOSFET TO-247-4L N 65A 1200V

    Diotec Semiconductor

    433
    DIF120SIC053-AQ

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 65A (Tc) 18V 53mOhm @ 33A, 18V 4V @ 9.5mA 121 nC @ 15 V - 2070 pF @ 1000 V - 278W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
    DIW120SIC059-AQ

    DIW120SIC059-AQ

    MOSFET TO-247-3L N 65A 1200V

    Diotec Semiconductor

    430
    DIW120SIC059-AQ

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 65A (Tc) 18V 53mOhm @ 33A, 18V 4V @ 9.5mA 121 nC @ 15 V - 2070 pF @ 1000 V - 278W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247
    Total 36322 Record«Prev1... 326327328329330331332333...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.