БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 TPS54560DDAR LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 CR2016 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      EPC7004BC

      EPC7004BC

      GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

      EPC Space, LLC

      		 1,717
      Запрос на предложение
      		EPC7004BC

      Техническая документация

             		- 4-SMD, No Lead Tray Active N-Channel GaNFET (Gallium Nitride) 100 V 30A (Tc) 5V 13mOhm @ 30A, 5V 2.5V @ 7mA 7 nC @ 5 V +6V, -4V 797 pF @ 50 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
      EPC7001BC

      EPC7001BC

      GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B

      EPC Space, LLC

      		 146
      Запрос на предложение
      		EPC7001BC

      Техническая документация

             		- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
      EPC7002AC

      EPC7002AC

      GAN FET HEMT 40V 8A COTS 4FSMD-A

      EPC Space, LLC

      		 4,221
      Запрос на предложение
      		EPC7002AC

      Техническая документация

             		- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
      EPC7007BSH

      EPC7007BSH

      GAN FET HEMT 200V 18A 4UB

      EPC Space, LLC

      		 1,986
      Запрос на предложение
      		EPC7007BSH

      Техническая документация

             		eGaN®, FSMD-B 4-SMD, No Lead Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 5V 28mOhm @ 18A, 5V 2.5V @ 3mA 7 nC @ 5 V +6V, -4V 900 pF @ 100 V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 4-SMD
      EPC7001BSH

      EPC7001BSH

      GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B

      EPC Space, LLC

      		 1,172
      Запрос на предложение
      		EPC7001BSH

      Техническая документация

             		- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
      EPC7002ASH

      EPC7002ASH

      GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A

      EPC Space, LLC

      		 2,900
      Запрос на предложение
      		EPC7002ASH

      Техническая документация

             		- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
      5HP01SS-TL-E

      5HP01SS-TL-E

      MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP3

      onsemi

      		 9,530
      Запрос на предложение
      		5HP01SS-TL-E

      Техническая документация

             		- 3-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - Surface Mount 3-SSFP
      2N7002K-EVL

      2N7002K-EVL

      MOSFET Single,SOT-23,60V,300mA,N

      Venkel

      		 20,515
      Запрос на предложение
      		2N7002K-EVL

      Техническая документация

             		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 300mA (Ta) 4.5V, 10V 3Ohm @ 500mA, 10V 2.5V @ 250µA 0.8 nC @ 5 V ±20V 35 pF @ 25 V - 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
      2SK2858-T1-A

      2SK2858-T1-A

      MOSFET N-CH 30V 100MA SC70-3 SSP

      Renesas Electronics Corporation

      		 38,000
      Запрос на предложение
      		2SK2858-T1-A

      Техническая документация

             		- SC-70, SOT-323 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100mA (Ta) - 5Ohm @ 10mA, 10V 1.8V @ 10µA - - 9 pF @ 3 V - - - - - Surface Mount SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold
      NX7002BKVL

      NX7002BKVL

      MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB

      Nexperia USA Inc.

      		 5,275
      Запрос на предложение
      		NX7002BKVL

      Техническая документация

             		TrenchMOS™ TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 270mA (Ta) 5V, 10V 2.8Ohm @ 200mA, 10V 2.1V @ 250µA 1 nC @ 10 V ±20V 23.6 pF @ 10 V - 310mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-236AB
      NX138AKVL

      NX138AKVL

      MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB

      Nexperia USA Inc.

      		 3,785
      Запрос на предложение
      		NX138AKVL

      Техническая документация

             		TrenchMOS™ TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 190mA (Ta) 2.5V, 10V 4.5Ohm @ 190mA, 10V 1.5V @ 250µA 1.4 nC @ 10 V ±20V 20 pF @ 30 V - 265mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-236AB
      G3035

      G3035

      MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT-23

      Goford Semiconductor

      		 117,000
      Запрос на предложение
      		G3035

      Техническая документация

             		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 4.6A (Tc) 4.5V, 10V 59mOhm @ 4A, 10V 2V @ 250µA - ±20V - - 1.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
      G2312

      G2312

      MOSFET N-CH 20V 5A SOT-23

      Goford Semiconductor

      		 75,000
      Запрос на предложение
      		G2312

      Техническая документация

             		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 5A (Tc) 4.5V, 10V 18mOhm @ 4.2A, 10V 1V @ 250µA - ±12V - - 1.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
      3401

      3401

      MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23

      Goford Semiconductor

      		 15,000
      Запрос на предложение
      		3401

      Техническая документация

             		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 4.2A (Tc) 4.5V, 10V 55mOhm @ 4A, 10V 1.3V @ 250µA - ±12V - - 1.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
      G02P06

      G02P06

      MOSFET P-CH 60V 1.6A,SOT-23

      Goford Semiconductor

      		 45,000
      Запрос на предложение
      		G02P06

      Техническая документация

             		TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 1.6A (Tc) 4.5V, 10V 190mOhm @ 1A, 10V 2.5V @ 250µA - ±20V - - 1.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
      PMZB1200UPEYL

      PMZB1200UPEYL

      NEXPERIA PMZB1200U - 30V, P-CHAN

      NXP Semiconductors

      		 594,000
      Запрос на предложение
      		PMZB1200UPEYL

      Техническая документация

             		- 3-XFDFN Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 410mA (Ta) 1.5V, 4.5V 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V 950mV @ 250µA 1.2 nC @ 4.5 V ±8V 43.2 pF @ 15 V - 310mW (Ta), 1.67W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DFN1006B-3
      FDV301N-F169

      FDV301N-F169

      MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23

      onsemi

      		 9,099
      Запрос на предложение
      		FDV301N-F169

      Техническая документация

             		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 220mA (Ta) 2.7V, 4.5V 4Ohm @ 400mA, 4.5V 1.06V @ 250µA 0.7 nC @ 4.5 V ±8V 9.5 pF @ 10 V - 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23-3
      PMV100XPEA215

      PMV100XPEA215

      NEXPERIA PMV100 - P-CHANNEL MOSF

      NXP Semiconductors

      		 39,000
      Запрос на предложение
      		PMV100XPEA215

      Техническая документация

             		- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 2.4A (Ta) - 128mOhm @ 2.4A, 4.5V 1.25V @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±12V 386 pF @ 10 V - 463mW (Ta), 4.45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SOT-23
      BSS119NH7796

      BSS119NH7796

      SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

      Infineon Technologies

      		 10,000
      Запрос на предложение
      		BSS119NH7796

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 190mA (Ta) 4.5V, 10V 6Ohm @ 190mA, 10V 2.3V @ 13µA 0.6 nC @ 10 V ±20V 20.9 pF @ 25 V - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-SOT23-3-5
      BSS84

      BSS84

      MOSFET SOT-23 P Channel 50V

      MDD

      		 237,000
      Запрос на предложение
      		BSS84

      Техническая документация

             		SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50 V 130mA (Ta) 5V, 10V 8Ohm @ 100mA, 10V 2V @ 250µA 1.77 nC @ 10 V ±20V 30 pF @ 5 V - 225mW (Ta) -55°C ~ 150°C - - Surface Mount SOT-23-3
      Total 36322 Record«Prev1... 329330331332333334335336...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]