БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 TPS54560DDAR LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG LQW15AN18NG00D 357 CR2016 103AT-11
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      AOK015V75X2Q

      AOK015V75X2Q

      750V SILICON CARBIDE MOSFET

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 226
      Запрос на предложение
      		AOK015V75X2Q

      Техническая документация

             		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 96A (Tc) 15V 22mOhm @ 24A, 15V 3.5V @ 24mA 152 nC @ 15 V +15V, -5V 4880 pF @ 400 V - 312W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247
      AOM015V75X2Q

      AOM015V75X2Q

      750V SILICON CARBIDE MOSFET

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 205
      Запрос на предложение
      		AOM015V75X2Q

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 96A (Tc) 15V 22mOhm @ 24A, 15V 3.5V @ 24mA 152 nC @ 15 V +15V, -5V 4880 pF @ 400 V - 312W (Tj) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
      IMW65R010M2HXKSA1

      IMW65R010M2HXKSA1

      IMW65R010M2HXKSA1

      Infineon Technologies

      		 396
      Запрос на предложение
      		IMW65R010M2HXKSA1

      Техническая документация

             		CoolSiC™ TO-247-3 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 130A (Tc) 15V, 20V 9.1mOhm @ 92.1A, 20V 5.6V @ 18.7mA 112 nC @ 18 V +23V, -7V 4001 pF @ 400 V - 440W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-40
      G3F20MT12K

      G3F20MT12K

      1200V 20M TO-247-4 G3F SIC MOSFE

      GeneSiC Semiconductor

      		 595
      Запрос на предложение
      		G3F20MT12K

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V - - - - - - - - - - - - Through Hole TO-247-4
      NVHL070N120M3S

      NVHL070N120M3S

      SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3

      onsemi

      		 410
      Запрос на предложение
      		NVHL070N120M3S

      Техническая документация

             		- TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 34A (Tc) 18V 87mOhm @ 15A, 18V 4.4V @ 7mA 57 nC @ 18 V +22V, -10V 1230 pF @ 800 V - 160W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-3
      S3M0016120B

      S3M0016120B

      MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

      SMC Diode Solutions

      		 300
      Запрос на предложение
      		S3M0016120B

      Техническая документация

             		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 106A (Tc) 18V 23mOhm @ 75A, 18V 4V @ 30mA 287 nC @ 18 V +22V, -8V 5251 pF @ 1000 V - 576W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
      IMZA65R010M2HXKSA1

      IMZA65R010M2HXKSA1

      IMZA65R010M2HXKSA1

      Infineon Technologies

      		 400
      Запрос на предложение
      		IMZA65R010M2HXKSA1

      Техническая документация

             		CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 144A (Tc) 15V, 20V 9.1mOhm @ 92.1A, 20V 5.6V @ 18.7mA 112 nC @ 18 V +23V, -7V 4001 pF @ 400 V - 440W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-8
      E4M0025075J2-TR

      E4M0025075J2-TR

      MOSFETS 3055 PF 281W 3.8V 114 NC

      Wolfspeed, Inc.

      		 524
      Запрос на предложение
      		E4M0025075J2-TR

      Техническая документация

             		E TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 84A (Tc) 15V 34mOhm @ 33.5A, 15V 3.8V @ 9.22mA 114 nC @ 15 V +19V, -8V 3055 pF @ 500 V - 281W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
      E4M0025075K1

      E4M0025075K1

      MOSFETS AUTOMOTIVE 262W 3.8V NC

      Wolfspeed, Inc.

      		 286
      Запрос на предложение
      		E4M0025075K1

      Техническая документация

             		E TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 80A (Tc) 15V 34mOhm @ 33.5A, 15V 3.8V @ 9.22mA 119 nC @ 15 V +19V, -8V 3055 pF @ 500 V - 262W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
      AIMBG120R020M1XTMA1

      AIMBG120R020M1XTMA1

      SIC_DISCRETE

      Infineon Technologies

      		 864
      Запрос на предложение
      		AIMBG120R020M1XTMA1

      Техническая документация

             		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 104A (Tc) 18V, 20V 25mOhm @ 43A, 20V 5.1V @ 15mA 82 nC @ 20 V +23V, -5V 2667 pF @ 800 V - 468W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO263-7-12
      IMZC120R012M2HXKSA1

      IMZC120R012M2HXKSA1

      IMZC120R012M2HXKSA1

      Infineon Technologies

      		 215
      Запрос на предложение
      		IMZC120R012M2HXKSA1

      Техническая документация

             		CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 129A (Tc) 15V, 18V 12mOhm @ 57A, 18V 5.1V @ 17.8mA 124 nC @ 18 V +23V, -7V 4050 pF @ 800 V - 480W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-17
      APT1201R2BFLLG

      APT1201R2BFLLG

      MOSFET N-CH 1200V 12A TO247

      Microchip Technology

      		 274
      Запрос на предложение
      		APT1201R2BFLLG

      Техническая документация

             		POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 12A (Tc) - 1.25Ohm @ 6A, 10V 5V @ 1mA 100 nC @ 10 V - 2540 pF @ 25 V - - - - - Through Hole TO-247 [B]
      IXFX32N80Q3

      IXFX32N80Q3

      MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3

      Littelfuse Inc.

      		 600
      Запрос на предложение
      		IXFX32N80Q3

      Техническая документация

             		HiPerFET™, Q3 Class TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 32A (Tc) 10V 270mOhm @ 16A, 10V 6.5V @ 4mA 140 nC @ 10 V ±30V 6940 pF @ 25 V - 1000W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
      G3F18MT12J-TR

      G3F18MT12J-TR

      1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE

      GeneSiC Semiconductor

      		 800
      Запрос на предложение
      		G3F18MT12J-TR

      Техническая документация

             		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 122A (Tc) 18V 25mOhm @ 45A, 18V 4.3V @ 35mA 212 nC @ 18 V +22V, -10V 4962 pF @ 800 V - 526W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
      C3M0021120K1

      C3M0021120K1

      MOSFET N-CH 1200V 104A TO247-4L

      Wolfspeed, Inc.

      		 869
      Запрос на предложение
      		C3M0021120K1

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 104A (Tc) 15V 29mOhm @ 62.1A, 15V 3.8V @ 17.1mA 177 nC @ 15 V +19V, -8V 5100 pF @ 1000 V - 405W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
      AOM020V120X2Q

      AOM020V120X2Q

      1200V SILICON CARBIDE MOSFET

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 217
      Запрос на предложение
      		AOM020V120X2Q

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 89A (Tc) 15V 28mOhm @ 27A, 15V 2.8V @ 27mA 166 nC @ 15 V +15V, -5V 5180 pF @ 800 V - 348W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
      TW030Z120C,S1F

      TW030Z120C,S1F

      G3 1200V SIC-MOSFET TO-247-4L 3

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 105
      Запрос на предложение
      		TW030Z120C,S1F

      Техническая документация

             		- TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 60A (Tc) 18V 41mOhm @ 30A, 18V 5V @ 13mA 82 nC @ 18 V +25V, -10V 2925 pF @ 800 V - 249W (Tc) 175°C - - Through Hole TO-247-4L(X)
      G3F18MT12K

      G3F18MT12K

      1200V 18M TO-247-4 G3F SIC MOSFE

      GeneSiC Semiconductor

      		 595
      Запрос на предложение
      		G3F18MT12K

      Техническая документация

             		- - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
      E3M0032120J2-TR

      E3M0032120J2-TR

      32m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL

      Wolfspeed, Inc.

      		 729
      Запрос на предложение
      		E3M0032120J2-TR

      Техническая документация

             		E TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 74A (Tc) 15V 43mOhm @ 38.9A, 15V 3.8V @ 10.7mA 108 nC @ 15 V +19V, -8V 3460 pF @ 1000 V - 341W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
      SCTH100N65G2-7AG

      SCTH100N65G2-7AG

      SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7

      STMicroelectronics

      		 876
      Запрос на предложение
      		SCTH100N65G2-7AG

      Техническая документация

             		- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 95A (Tc) 18V 26mOhm @ 50A, 18V 5V @ 5mA 162 nC @ 18 V +22V, -10V 3315 pF @ 520 V - 360W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount H2PAK-7
      Total 36322 Record«Prev1... 327328329330331332333334...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]