БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IMTA65R020M2HXTMA1

    IMTA65R020M2HXTMA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    371
    IMTA65R020M2HXTMA1

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SCT4026DWAHRTL

    SCT4026DWAHRTL

    750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    980
    SCT4026DWAHRTL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 51A (Tc) 18V 34mOhm @ 29A, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 nC @ 18 V +21V, -4V 2320 pF @ 500 V - - 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7LA
    C3M0040120K1

    C3M0040120K1

    MOSFET N-CH 1200V 57A TO247-4L

    Wolfspeed, Inc.

    283
    C3M0040120K1

    Техническая документация

    - TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 57A (Tc) 15V 53mOhm @ 31.9A, 15V 3.8V @ 8.377mA 94 nC @ 15 V +19V, -8V 2726 pF @ 1000 V - 242W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4L
    FCH029N65S3-F155

    FCH029N65S3-F155

    MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3

    onsemi

    399
    FCH029N65S3-F155

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 75A (Tc) - 29mOhm @ 37.5A, 10V 4.5V @ 7mA 201 nC @ 10 V ±30V 6340 pF @ 400 V - 463W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    IMW65R020M2HXKSA1

    IMW65R020M2HXKSA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    163
    IMW65R020M2HXKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ Gen 2 TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 83A (Tc) 15V, 20V 18mOhm @ 46.9A, 20V 5.6V @ 9.5mA 57 nC @ 18 V +23V, -7V 2038 pF @ 400 V - 273W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-3-40
    IXFX120N30P3

    IXFX120N30P3

    MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247-3

    Littelfuse Inc.

    240
    IXFX120N30P3

    Техническая документация

    HiPerFET™, Polar3™ TO-247-3 Variant Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 120A (Tc) 10V 27mOhm @ 60A, 10V 5V @ 4mA 150 nC @ 10 V ±20V 8630 pF @ 25 V - 1130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
    IMBG40R011M2HXTMA1

    IMBG40R011M2HXTMA1

    SIC-MOS

    Infineon Technologies

    1,000
    IMBG40R011M2HXTMA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 400 V 13.4A (Ta), 133A (Tc) 15V, 18V 14.4mOhm @ 37.1A, 18V 5.6V @ 13.3mA 85 nC @ 18 V +23V, -7V 3770 pF @ 200 V - 3.8W (Ta), 429W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-11
    NTH4L018N075SC1

    NTH4L018N075SC1

    SIC MOS TO247-4L 750V

    onsemi

    400
    NTH4L018N075SC1

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 140A (Tc) 15V, 18V 18mOhm @ 66A, 18V 4.3V @ 22mA 262 nC @ 18 V +22V, -8V 5010 pF @ 375 V - 500W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    NVH4L060N090SC1

    NVH4L060N090SC1

    -

    onsemi

    1,349
    NVH4L060N090SC1

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 900 V 46A (Tc) 15V, 18V 84mOhm @ 20A, 15V 4.3V @ 5mA 87 nC @ 15 V +22V, -8V 1770 pF @ 450 V - 221W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    NVH4L045N065SC1

    NVH4L045N065SC1

    SIC MOS TO247-4L 650V

    onsemi

    422
    NVH4L045N065SC1

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 55A (Tc) 15V, 18V 50mOhm @ 25A, 18V 4.3V @ 8mA 105 nC @ 18 V +22V, -8V 1870 pF @ 325 V - 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    SCTW60N120G2

    SCTW60N120G2

    DISCRETE

    STMicroelectronics

    600
    SCTW60N120G2

    Техническая документация

    - TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1200 V 60A (Tc) 18V 52mOhm @ 30A, 18V 5V @ 1mA 94 nC @ 8 V +18V, -5V 1969 pF @ 800 V - 389W (Tc) -55°C ~ 200°C (TJ) - - Through Hole HiP247™
    AIMZA75R027M1HXKSA1

    AIMZA75R027M1HXKSA1

    IGBT

    Infineon Technologies

    216
    AIMZA75R027M1HXKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 60A (Tj) 15V, 20V 25mOhm @ 24.5A, 20V 5.6V @ 8.8mA 49 nC @ 18 V +23V, -5V 1668 pF @ 500 V - 234W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-4
    IPDQ60R020CFD7XTMA1

    IPDQ60R020CFD7XTMA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    750
    IPDQ60R020CFD7XTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 112A (Tc) 10V 20mOhm @ 42.4A, 10V 4.5V @ 2.12mA 186 nC @ 10 V ±20V 7395 pF @ 400 V - 543W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    SICW025N120H-BP

    SICW025N120H-BP

    SIC MOSFET,TO-247AB

    Micro Commercial Co

    360
    SICW025N120H-BP

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 86A (Tc) 20V 33mOhm @ 40A, 20V 4.5V @ 50mA 305 nC @ 20 V +25V, -10V 4909 pF @ 800 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247AB
    IMZC120R022M2HXKSA1

    IMZC120R022M2HXKSA1

    IMZC120R022M2HXKSA1

    Infineon Technologies

    240
    IMZC120R022M2HXKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 80A (Tc) 15V, 18V 22mOhm @ 32A, 18V 5.1V @ 10.1mA 71 nC @ 18 V +23V, -7V 2330 pF @ 800 V - 329W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4-17
    SICW025N120H4-BP

    SICW025N120H4-BP

    SIC MOSFET,TO-247-4

    Micro Commercial Co

    350
    SICW025N120H4-BP

    Техническая документация

    - TO-247-4 Bulk Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 86A (Tc) 20V 33mOhm @ 40A, 20V 4.5V @ 50mA 305 nC @ 20 V +20V, -5V 4909 pF @ 800 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-247-4
    STWA65N023M9

    STWA65N023M9

    N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,

    STMicroelectronics

    626
    STWA65N023M9

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 95A (Tc) 10V 23mOhm @ 48A, 10V 4.2V @ 250µA 230 nC @ 10 V ±30V 8844 pF @ 400 V - 463W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 Long Leads
    C3M0120100J-TR

    C3M0120100J-TR

    SIC, MOSFET, 120M, 1000V, TO-263

    Wolfspeed, Inc.

    780
    C3M0120100J-TR

    Техническая документация

    C3M™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1000 V 22A (Tc) 15V 155mOhm @ 15A, 15V 3.5V @ 3mA 18 nC @ 15 V +15V, -4V 414 pF @ 600 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK-7
    E3M0075120J2-TR

    E3M0075120J2-TR

    75m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL

    Wolfspeed, Inc.

    498
    E3M0075120J2-TR

    Техническая документация

    E TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 34A (Tc) 15V 97.5mOhm @ 17.9A, 15V 3.8V @ 5mA 52 nC @ 15 V +19V, -8V 1480 pF @ 1000 V - 172W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
    C3M0060065J-TR

    C3M0060065J-TR

    SIC, MOSFET, 60M, 650V, TO-263-7

    Wolfspeed, Inc.

    409
    C3M0060065J-TR

    Техническая документация

    C3M™ TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 36A (Tc) 15V 79mOhm @ 13.2A, 15V 3.6V @ 5mA 46 nC @ 15 V +15V, -4V 1020 pF @ 600 V - 136W (Tc) -40°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7
    Total 36322 Record«Prev1... 323324325326327328329330...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.