БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    AIMZA75R060M1HXKSA1

    AIMZA75R060M1HXKSA1

    AUTOMOTIVE_SICMOS

    Infineon Technologies

    239
    AIMZA75R060M1HXKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 32A (Tj) 15V, 20V 55mOhm @ 11.1A, 20V 5.6V @ 4mA 23 nC @ 18 V +23V, -5V 779 pF @ 500 V - 144W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-4
    SCT4045DWATL

    SCT4045DWATL

    750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    976
    SCT4045DWATL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 31A (Tc) 18V 59mOhm @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63 nC @ 18 V +21V, -4V 1460 pF @ 500 V - - 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7LA
    G3F75MT12K

    G3F75MT12K

    1200V 75M TO-247-4 G3F SIC MOSFE

    GeneSiC Semiconductor

    600
    G3F75MT12K

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 30A (Tc) 18V 100mOhm @ 12A, 18V 4.3V @ 9mA 48 nC @ 18 V +22V, -10V 988 pF @ 800 V - 127W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
    CDFG6558N TR13 PBFREE

    CDFG6558N TR13 PBFREE

    SURFACE MOUNT MOSFET

    Central Semiconductor Corp

    2,480
    CDFG6558N TR13 PBFREE

    Техническая документация

    - 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active N-Channel, Depletion Mode GaNFET (Gallium Nitride) 650 V 29A (Tc) 6V 80mOhm @ 8A, 6V 2.5V @ 30.7mA 6.2 nC @ 0 V +7V, -6V 225 pF @ 400 V - 1.1W (Ta), 188W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (8x8)
    NVMTS0D7N06CTXG

    NVMTS0D7N06CTXG

    MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW

    onsemi

    2,635
    NVMTS0D7N06CTXG

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 60.5A (Ta), 464A (Tc) 10V 0.72mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 152 nC @ 10 V ±20V 11535 pF @ 30 V - 5W (Ta), 294.6W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
    STWA60N043DM9

    STWA60N043DM9

    N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5

    STMicroelectronics

    144
    STWA60N043DM9

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 56A (Tc) 10V 43mOhm @ 28A, 10V 4.5V @ 250µA 78.6 nC @ 10 V ±30V 4675 pF @ 400 V - 312W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 Long Leads
    STW69N65M5

    STW69N65M5

    MOSFET N-CH 650V 58A TO247

    STMicroelectronics

    477
    STW69N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 58A (Tc) 10V 45mOhm @ 29A, 10V 5V @ 250µA 143 nC @ 10 V ±25V 6420 pF @ 100 V - 330W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247-3
    MXB12R600DPHFC

    MXB12R600DPHFC

    MOSFET N-CH 600V 15A

    IXYS

    243
    MXB12R600DPHFC

    Техническая документация

    - ISOPLUSi5-PAK™ Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 13A (Tc) - - - - - - - - - - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    IPDQ65R029CFD7XTMA1

    IPDQ65R029CFD7XTMA1

    HIGH POWER_NEW

    Infineon Technologies

    734
    IPDQ65R029CFD7XTMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 85A (Tc) 10V 29mOhm @ 35.8A, 10V 4.5V @ 1.79mA 139 nC @ 10 V ±20V 7149 pF @ 400 V - 463W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-HDSOP-22-1
    NVH4L095N065SC1

    NVH4L095N065SC1

    SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC

    onsemi

    445
    NVH4L095N065SC1

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 650 V 31A (Tc) 15V, 18V 105mOhm @ 12A, 18V 4.3V @ 4mA 50 nC @ 18 V +22V, -8V 956 pF @ 325 V - 129W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4L
    IMZA75R040M1HXKSA1

    IMZA75R040M1HXKSA1

    SILICON CARBIDE MOSFET

    Infineon Technologies

    235
    IMZA75R040M1HXKSA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 44A (Tj) 15V, 20V 37mOhm @ 16.6A, 20V 5.6V @ 6mA 34 nC @ 18 V +23V, -5V 1135 pF @ 500 V - 185W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO247-4
    AIMCQ120R060M1TXTMA1

    AIMCQ120R060M1TXTMA1

    SIC_DISCRETE

    Infineon Technologies

    850
    AIMCQ120R060M1TXTMA1

    Техническая документация

    CoolSiC™ 22-PowerBSOP Module Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 44A (Tc) 18V, 20V 75mOhm @ 13A, 20V 5.1V @ 4.3mA 32 nC @ 20 V +25V, -10V 880 pF @ 800 V - 259W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HDSOP-22
    G3F60MT06D

    G3F60MT06D

    650V 55M TO-247-3 G3F SIC MOSFET

    GeneSiC Semiconductor

    600
    G3F60MT06D

    Техническая документация

    - - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    SCT4062KWATL

    SCT4062KWATL

    1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    999
    SCT4062KWATL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 24A (Tc) 18V 81mOhm @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V +21V, -4V 1498 pF @ 800 V - - 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-7LA
    SCT4045DWAHRTL

    SCT4045DWAHRTL

    750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

    Rohm Semiconductor

    990
    SCT4045DWAHRTL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 750 V 31A (Tc) 18V 59mOhm @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89mA 63 nC @ 18 V +21V, -4V 1460 pF @ 500 V - - 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7LA
    SCT4062KWAHRTL

    SCT4062KWAHRTL

    1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

    Rohm Semiconductor

    956
    SCT4062KWAHRTL

    Техническая документация

    - TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 24A (Tc) 18V 81mOhm @ 12A, 18V 4.8V @ 6.45mA 64 nC @ 18 V +21V, -4V 1498 pF @ 800 V - 93W 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7LA
    MSC080SMA120SCT/R

    MSC080SMA120SCT/R

    MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM PSMT

    Microchip Technology

    1,300
    MSC080SMA120SCT/R

    Техническая документация

    - - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
    MSC080SMA120SDT/R

    MSC080SMA120SDT/R

    MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263

    Microchip Technology

    800
    MSC080SMA120SDT/R

    Техническая документация

    mSiC™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Bulk Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 1200 V 35A (Tc) 20V 100mOhm @ 15A, 20V 2.8V @ 1mA 64 nC @ 20 V +23V, -10V 838 pF @ 1000 V - 182W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-268
    G3F60MT06K

    G3F60MT06K

    650V 55M TO-247-4 G3F SIC MOSFET

    GeneSiC Semiconductor

    600
    G3F60MT06K

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 650 V 42A (Tc) 15V, 18V 75mOhm @ 15A, 18V 4.3V @ 7mA 45 nC @ 18 V +22V, -10V 1322 pF @ 400 V - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole TO-247-4
    AIMZH120R160M1TXKSA1

    AIMZH120R160M1TXKSA1

    SIC_DISCRETE

    Infineon Technologies

    207
    AIMZH120R160M1TXKSA1

    Техническая документация

    - TO-247-4 Tube Active N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) 1200 V 17A (Tc) 18V, 20V 200mOhm @ 5A, 20V 5.1V @ 1.5mA 14 nC @ 20 V +23V, -5V 350 pF @ 800 V - 109W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Through Hole PG-TO247-4-11
    Total 36322 Record«Prev1... 317318319320321322323324...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.