БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 357 103AT-11 CR2016
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      FCP190N65S3

      FCP190N65S3

      MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3

      onsemi

      		 750
      Запрос на предложение
      		FCP190N65S3

      Техническая документация

             		SuperFET® III TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 17A (Tc) 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V 4.5V @ 1.7mA 33 nC @ 10 V ±30V 1350 pF @ 400 V - 144W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
      AOB66616L

      AOB66616L

      MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 570
      Запрос на предложение
      		AOB66616L

      Техническая документация

             		AlphaSGT™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 38.5A (Ta), 140A (Tc) 6V, 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V 3.4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 2870 pF @ 30 V - 8.3W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      IRF840LCLPBF

      IRF840LCLPBF

      MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK

      Vishay Siliconix

      		 1,965
      Запрос на предложение
      		IRF840LCLPBF

      Техническая документация

             		- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
      R6020JNZC17

      R6020JNZC17

      MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

      Rohm Semiconductor

      		 296
      Запрос на предложение
      		R6020JNZC17

      Техническая документация

             		- TO-3P-3 Full Pack Bag Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 15V 234mOhm @ 10A, 15V 7V @ 3.5mA 45 nC @ 15 V ±30V 1500 pF @ 100 V - 76W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
      IPB120N04S402ATMA1

      IPB120N04S402ATMA1

      MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

      Infineon Technologies

      		 3,008
      Запрос на предложение
      		IPB120N04S402ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 100A, 10V 4V @ 110µA 134 nC @ 10 V ±20V 10740 pF @ 25 V - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
      IQE065N10NM5CGATMA1

      IQE065N10NM5CGATMA1

      TRENCH >=100V PG-TTFN-9

      Infineon Technologies

      		 9,915
      Запрос на предложение
      		IQE065N10NM5CGATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 14A (Ta), 85A (Tc) 6V, 10V 6.5mOhm @ 20A, 10V 3.8V @ 48µA 42 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 50 V - 2.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TTFN-9-1
      PJMP360N60EC_T0_00001

      PJMP360N60EC_T0_00001

      600V SUPER JUNCTION MOSFET

      Panjit International Inc.

      		 1,980
      Запрос на предложение
      		PJMP360N60EC_T0_00001

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 360mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 18.7 nC @ 10 V ±30V 735 pF @ 400 V - 87.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB-L
      IPP77N06S212AKSA2

      IPP77N06S212AKSA2

      MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3

      Infineon Technologies

      		 495
      Запрос на предложение
      		IPP77N06S212AKSA2

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 77A (Tc) 10V 12mOhm @ 38A, 10V 4V @ 93µA 60 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
      IAUA250N04S6N008AUMA1

      IAUA250N04S6N008AUMA1

      OPTIMOS POWER MOSFET

      Infineon Technologies

      		 1,950
      Запрос на предложение
      		IAUA250N04S6N008AUMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ 6 5-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 51A (Ta) 7V, 10V 0.8mOhm @ 100A, 10V 3V @ 90µA 109 nC @ 10 V ±20V 7088 pF @ 25 V - 172W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-HSOF-5-1
      IPB160N04S4H1ATMA1

      IPB160N04S4H1ATMA1

      MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

      Infineon Technologies

      		 770
      Запрос на предложение
      		IPB160N04S4H1ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Tc) 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 4V @ 110µA 137 nC @ 10 V ±20V 10920 pF @ 25 V - 167W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
      IPA057N08N3GXKSA1

      IPA057N08N3GXKSA1

      MOSFET N-CH 80V 60A TO220-FP

      Infineon Technologies

      		 440
      Запрос на предложение
      		IPA057N08N3GXKSA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 60A (Tc) 6V, 10V 5.7mOhm @ 60A, 10V 3.5V @ 90µA 69 nC @ 10 V ±20V 4750 pF @ 40 V - 39W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
      STP200NF03

      STP200NF03

      MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

      STMicroelectronics

      		 981
      Запрос на предложение
      		STP200NF03

      Техническая документация

             		STripFET™ III TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 120A (Tc) 10V 3.6mOhm @ 60A, 10V 4V @ 250µA 140 nC @ 10 V ±20V 4950 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
      STD9NM60N

      STD9NM60N

      MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK

      STMicroelectronics

      		 2,500
      Запрос на предложение
      		STD9NM60N

      Техническая документация

             		MDmesh™ II TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6.5A (Tc) 10V 745mOhm @ 3.25A, 10V 4V @ 250µA 17.4 nC @ 10 V ±25V 452 pF @ 50 V - 70W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      FDP120N10

      FDP120N10

      MOSFET N-CH 100V 74A TO220-3

      onsemi

      		 226
      Запрос на предложение
      		FDP120N10

      Техническая документация

             		PowerTrench® TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 74A (Tc) 10V 12mOhm @ 74A, 10V 4.5V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±20V 5605 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
      SIDR390DP-T1-GE3

      SIDR390DP-T1-GE3

      MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK

      Vishay Siliconix

      		 7,487
      Запрос на предложение
      		SIDR390DP-T1-GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 69.9A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 0.8mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 153 nC @ 10 V +20V, -16V 10180 pF @ 15 V - 6.25W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
      RS6R035BHTB1

      RS6R035BHTB1

      NCH 150V 35A, HSOP8, POWER MOSFE

      Rohm Semiconductor

      		 2,420
      Запрос на предложение
      		RS6R035BHTB1

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 150 V 35A (Tc) 6V, 10V 41mOhm @ 35A, 10V 4V @ 1mA 25 nC @ 10 V ±20V 1470 pF @ 75 V - 3W (Ta), 73W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
      IPF016N06NF2SATMA1

      IPF016N06NF2SATMA1

      TRENCH 40<-<100V

      Infineon Technologies

      		 989
      Запрос на предложение
      		IPF016N06NF2SATMA1

      Техническая документация

             		StrongIRFET™2 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 35A (Ta), 223A (Tc) 6V, 10V 1.7mOhm @ 100A, 10V 3.3V @ 129µA 162 nC @ 10 V ±20V 7300 pF @ 30 V - 3.8W (Ta), 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-U02
      STI6N90K5

      STI6N90K5

      MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK

      STMicroelectronics

      		 125
      Запрос на предложение
      		STI6N90K5

      Техническая документация

             		MDmesh™ K5 TO-262-3 Full Pack, I2PAK Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900 V 6A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V 5V @ 100µA - ±30V - - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
      NTMFS4C020NT1G

      NTMFS4C020NT1G

      MOSFET N-CH 30V 47A/303A 5DFN

      onsemi

      		 4,241
      Запрос на предложение
      		NTMFS4C020NT1G

      Техническая документация

             		- 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 47A (Ta), 303A (Tc) 4.5V, 10V 0.7mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 139 nC @ 10 V ±20V 10144 pF @ 15 V - 3.2W (Ta), 134W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
      SIDR402EP-T1-RE3

      SIDR402EP-T1-RE3

      N-CHANNEL 40 V (D-S) 175C MOSFET

      Vishay Siliconix

      		 5,930
      Запрос на предложение
      		SIDR402EP-T1-RE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 65.2A (Ta), 291A (Tc) 4.5V, 10V 0.88mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 165 nC @ 10 V +20V, -16V 9100 pF @ 20 V - 7.5W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
      Total 36322 Record«Prev1... 165166167168169170171172...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]