БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    TPWR8503NL,L1Q

    TPWR8503NL,L1Q

    MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    4,674
    TPWR8503NL,L1Q

    Техническая документация

    U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 150A (Tc) 4.5V, 10V 0.85mOhm @ 50A, 10V 2.3V @ 1mA 74 nC @ 10 V ±20V 6900 pF @ 15 V - 800mW (Ta), 142W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DSOP Advance
    R6006JNJGTL

    R6006JNJGTL

    MOSFET N-CH 600V 6A LPTS

    Rohm Semiconductor

    1,098
    R6006JNJGTL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Tc) 15V 936mOhm @ 3A, 15V 7V @ 800µA 15.5 nC @ 15 V ±30V 410 pF @ 100 V - 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
    RD3L08BGNTL

    RD3L08BGNTL

    MOSFET N-CH 60V 80A TO252

    Rohm Semiconductor

    1,285
    RD3L08BGNTL

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 5.5mOhm @ 80A, 10V 2.5V @ 100µA 71 nC @ 10 V ±20V 3620 pF @ 30 V - 119W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    STP18N65M2

    STP18N65M2

    MOSFET N-CH 650V 12A TO220

    STMicroelectronics

    1,003
    STP18N65M2

    Техническая документация

    MDmesh™ M2 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tc) 10V 330mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±25V 770 pF @ 100 V - 110W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    PJMF900N60EC_T0_00001

    PJMF900N60EC_T0_00001

    600V SUPER JUNCTION MOSFET

    Panjit International Inc.

    1,986
    PJMF900N60EC_T0_00001

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.3A, 10V 4V @ 250µA 8.8 nC @ 10 V ±30V 310 pF @ 400 V - 22.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
    TPS1101D

    TPS1101D

    MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC

    Texas Instruments

    4,965
    TPS1101D

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15 V 2.3A (Ta) 2.7V, 10V 90mOhm @ 2.5A, 10V 1.5V @ 250µA 11.25 nC @ 10 V +2V, -15V - - 791mW (Ta) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NVMYS005N10MCLTWG

    NVMYS005N10MCLTWG

    PTNG 100V LL LFPAK4

    onsemi

    4,714
    NVMYS005N10MCLTWG

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 18.4A (Ta), 108A (Tc) 4.5V, 10V 5.1mOhm @ 34A, 10V 3V @ 192µA 55 nC @ 10 V ±20V 4100 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 131W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    NP89N055PUK-E1-AY

    NP89N055PUK-E1-AY

    MOSFET N-CH 55V 90A TO263-3

    Renesas Electronics Corporation

    3,175
    NP89N055PUK-E1-AY

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 90A (Tc) 10V 4mOhm @ 45A, 10V 4V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V 6000 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 147W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263-3
    RS1E350GNTB

    RS1E350GNTB

    MOSFET N-CH 30V 35A/80A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    2,500
    RS1E350GNTB

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 1mA 68 nC @ 10 V ±20V 4060 pF @ 15 V - 3W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    R6509KNXC7G

    R6509KNXC7G

    650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

    Rohm Semiconductor

    3,990
    R6509KNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 9A (Ta) 10V 585mOhm @ 2.8A, 10V 5V @ 230µA 16.5 nC @ 10 V ±20V 540 pF @ 25 V - 48W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    SIDR140DP-T1-RE3

    SIDR140DP-T1-RE3

    N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET

    Vishay Siliconix

    2,998
    SIDR140DP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 79A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 0.67mOhm @ 20A, 10V 2.1V @ 250µA 170 nC @ 10 V +20V, -16V 8150 pF @ 10 V - 6.25W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
    RS1E350BNTB1

    RS1E350BNTB1

    NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35

    Rohm Semiconductor

    2,217
    RS1E350BNTB1

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 35A, 10V 2.5V @ 1mA 185 nC @ 10 V ±20V 7900 pF @ 15 V - 3W (Ta), 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    SIHP12N60E-BE3

    SIHP12N60E-BE3

    MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

    Vishay Siliconix

    346
    SIHP12N60E-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) - 380mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±30V 937 pF @ 100 V - 147W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    RJK0854DPB-00#J5

    RJK0854DPB-00#J5

    MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    2,540
    RJK0854DPB-00#J5

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 25A (Ta) 10V 13mOhm @ 12.5A, 10V - 27 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 10 V - 55W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    R6524ENXC7G

    R6524ENXC7G

    650V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW

    Rohm Semiconductor

    990
    R6524ENXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 185mOhm @ 11.3A, 10V 4V @ 750µA 70 nC @ 10 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 74W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    R6524KNXC7G

    R6524KNXC7G

    650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

    Rohm Semiconductor

    989
    R6524KNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 185mOhm @ 11.3A, 10V 5V @ 750µA 45 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 25 V - 74W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    R6024ENXC7G

    R6024ENXC7G

    600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW

    Rohm Semiconductor

    980
    R6024ENXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 165mOhm @ 11.3A, 10V 4V @ 1mA 70 nC @ 10 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 74W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    R6024KNXC7G

    R6024KNXC7G

    600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

    Rohm Semiconductor

    970
    R6024KNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 165mOhm @ 11.3A, 10V 5V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 74W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    R8002ANJFRGTL

    R8002ANJFRGTL

    MOSFET N-CH 800V 2A LPTS

    Rohm Semiconductor

    611
    R8002ANJFRGTL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2A (Tc) 10V 4.3Ohm @ 1A, 10V 5V @ 1mA 13 nC @ 10 V ±30V 250 pF @ 25 V - 62W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LPTS
    IPA80R460CEXKSA2

    IPA80R460CEXKSA2

    MOSFET N-CH 800V 10.8A TO220

    Infineon Technologies

    500
    IPA80R460CEXKSA2

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 10.8A (Ta) 10V 460mOhm @ 7.1A, 10V 3.9V @ 680µA 64 nC @ 10 V ±20V 1600 pF @ 100 V - 34W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-31
    Total 36322 Record«Prev1... 168169170171172173174175...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.