БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    RRH140P03TB1

    RRH140P03TB1

    MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    13,283
    RRH140P03TB1

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 14A (Ta) 4V, 10V 7mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 1mA 80 nC @ 5 V ±20V 8000 pF @ 10 V - 650mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    FCPF250N65S3R0L-F154

    FCPF250N65S3R0L-F154

    POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

    onsemi

    1,835
    FCPF250N65S3R0L-F154

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 12A (Tj) 10V 250mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 290µA 24 nC @ 10 V ±30V 1010 pF @ 400 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    SIHP17N80AE-GE3

    SIHP17N80AE-GE3

    MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB

    Vishay Siliconix

    899
    SIHP17N80AE-GE3

    Техническая документация

    E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±30V 1260 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    R6511END3TL1

    R6511END3TL1

    650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER

    Rohm Semiconductor

    767
    R6511END3TL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 400mOhm @ 3.8A, 10V 4V @ 320µA 32 nC @ 10 V ±20V 670 pF @ 25 V - 124W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    R6007JNJGTL

    R6007JNJGTL

    MOSFET N-CH 600V 7A LPTS

    Rohm Semiconductor

    1,080
    R6007JNJGTL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 15V 780mOhm @ 3.5A, 15V 7V @ 1mA 17.5 nC @ 15 V ±30V 475 pF @ 100 V - 96W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
    RJK1003DPP-A0#T2

    RJK1003DPP-A0#T2

    MOSFET N-CH 100V 50A TO220FPA

    Renesas Electronics Corporation

    9,463
    RJK1003DPP-A0#T2

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 50A (Ta) 10V 11mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 59 nC @ 10 V ±20V 4150 pF @ 10 V - 25W (Ta) 150°C - - Through Hole TO-220ABA
    IQE030N06NM5CGATMA1

    IQE030N06NM5CGATMA1

    TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9

    Infineon Technologies

    4,920
    IQE030N06NM5CGATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 21A (Ta), 137A (Tc) 6V, 10V 3mOhm @ 20A, 10V 3.3V @ 50µA 49 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 30 V - 2.5W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TTFN-9-1
    NVMJST1D6N04CTXG

    NVMJST1D6N04CTXG

    TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

    onsemi

    2,780
    NVMJST1D6N04CTXG

    Техническая документация

    - 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 314A (Tc) 10V 1.65mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 130µA 47 nC @ 10 V ±20V 3300 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 10-TCPAK
    DMTH41M2SPS-13

    DMTH41M2SPS-13

    MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

    Diodes Incorporated

    2,190
    DMTH41M2SPS-13

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 225A (Tc) 10V 1.2mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 138 nC @ 10 V ±20V 11085 pF @ 20 V - 3.4W (Ta), 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)
    AOTF380A60L

    AOTF380A60L

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220F

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    2,000
    AOTF380A60L

    Техническая документация

    aMOS5™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 3.8V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 955 pF @ 100 V - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    AOB190A60CL

    AOB190A60CL

    MOSFET N-CH 600V 20A TO263

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    1,725
    AOB190A60CL

    Техническая документация

    aMOS5™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 190mOhm @ 7.6A, 10V 4.6V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±30V 1935 pF @ 100 V - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    NVMFS5C628NLT1G

    NVMFS5C628NLT1G

    MOSFET N-CH 60V 5DFN

    onsemi

    1,388
    NVMFS5C628NLT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 150A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 50A, 10V 2V @ 135µA 52 nC @ 10 V ±20V 3600 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    AOTF20S60L

    AOTF20S60L

    MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3F

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    971
    AOTF20S60L

    Техническая документация

    aMOS™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 199mOhm @ 10A, 10V 4.1V @ 250µA 19.8 nC @ 10 V ±30V 1038 pF @ 100 V - 37.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
    IPB180N04S401ATMA1

    IPB180N04S401ATMA1

    MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

    Infineon Technologies

    958
    IPB180N04S401ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 180A (Tc) 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V 4V @ 140µA 176 nC @ 10 V ±20V 14000 pF @ 25 V - 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-3
    IRFBE30LPBF

    IRFBE30LPBF

    MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK

    Vishay Siliconix

    988
    IRFBE30LPBF

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4.1A (Tc) 10V 3Ohm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    IXTA60N10T-TRL

    IXTA60N10T-TRL

    MOSFET N-CH 100V 60A TO263

    Littelfuse Inc.

    758
    IXTA60N10T-TRL

    Техническая документация

    Trench TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 60A (Tc) 10V 18mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 50µA 49 nC @ 10 V ±20V 2650 pF @ 25 V - 176W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IRF840STRRPBF

    IRF840STRRPBF

    MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

    Vishay Siliconix

    691
    IRF840STRRPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    R6024KNX

    R6024KNX

    MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    291
    R6024KNX

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 24A (Tc) 10V 165mOhm @ 11.3A, 10V 5V @ 1mA 45 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    SIHJ240N60E-T1-GE3

    SIHJ240N60E-T1-GE3

    MOSFET N-CH 600V 12A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    1,100
    SIHJ240N60E-T1-GE3

    Техническая документация

    E PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 240mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±30V 783 pF @ 100 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    RJK0703DPP-A0#T2

    RJK0703DPP-A0#T2

    MOSFET N-CH 75V 70A TO220FPA

    Renesas Electronics Corporation

    8,351
    RJK0703DPP-A0#T2

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 70A (Ta) 10V 6.7mOhm @ 35A, 10V 4V @ 1mA 56 nC @ 10 V ±20V 4150 pF @ 10 V - 25W (Ta) 150°C - - Through Hole TO-220ABA
    Total 36322 Record«Prev1... 170171172173174175176177...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.