БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    STF10LN80K5

    STF10LN80K5

    MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP

    STMicroelectronics

    799
    STF10LN80K5

    Техническая документация

    MDmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 8A (Tc) 10V 630mOhm @ 4A, 10V 5V @ 100µA 15 nC @ 10 V ±30V 427 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IRFBC30APBF

    IRFBC30APBF

    MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB

    Vishay Siliconix

    906
    IRFBC30APBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V 4.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±30V 510 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    TSM019NH04CR RLG

    TSM019NH04CR RLG

    40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE

    Taiwan Semiconductor Corporation

    5,000
    TSM019NH04CR RLG

    Техническая документация

    PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 35A (Ta), 100A (Tc) 7V, 10V 1.9mOhm @ 50A, 10V 3.6V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±20V 6029 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFNU (5x6)
    TSM019NH04LCR RLG

    TSM019NH04LCR RLG

    40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE

    Taiwan Semiconductor Corporation

    4,965
    TSM019NH04LCR RLG

    Техническая документация

    PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 35A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.9mOhm @ 50A, 10V 2.2V @ 250µA 104 nC @ 10 V ±16V 6282 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-PDFNU (5x6)
    STD5N95K3

    STD5N95K3

    MOSFET N-CH 950V 4A DPAK

    STMicroelectronics

    2,485
    STD5N95K3

    Техническая документация

    SuperMESH3™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950 V 4A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 19 nC @ 10 V ±30V 460 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    SIHP22N60AE-BE3

    SIHP22N60AE-BE3

    N-CHANNEL 600V

    Vishay Siliconix

    1,944
    SIHP22N60AE-BE3

    Техническая документация

    E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 20A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 96 nC @ 10 V ±30V 1451 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IPF039N08NF2SATMA1

    IPF039N08NF2SATMA1

    TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7

    Infineon Technologies

    682
    IPF039N08NF2SATMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™ 2 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 126A (Tc) 6V, 10V 3.9mOhm @ 80A, 10V 3.8V @ 85µA 81 nC @ 10 V ±20V 3800 pF @ 40 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-14
    IPB80N04S2H4ATMA2

    IPB80N04S2H4ATMA2

    MOSFET N-CHANNEL_30/40V

    Infineon Technologies

    602
    IPB80N04S2H4ATMA2

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 80A, 10V 4V @ 250µA 148 nC @ 10 V ±20V 4400 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    STF12N65M5

    STF12N65M5

    MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FP

    STMicroelectronics

    128
    STF12N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-220-5 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8.5A (Tc) 10V 430mOhm @ 4.3A, 10V 5V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±25V 900 pF @ 100 V - 25W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IRF640STRRPBF

    IRF640STRRPBF

    MOSFET N-CH 200V 18A TO263

    Vishay Siliconix

    1,458
    IRF640STRRPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 18A (Tc) 10V 180mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    R6009ENXC7G

    R6009ENXC7G

    600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE

    Rohm Semiconductor

    1,000
    R6009ENXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Ta) 10V 535mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 1mA 23 nC @ 10 V ±20V 430 pF @ 25 V - 48W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    IRFZ48PBF

    IRFZ48PBF

    MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

    Vishay Siliconix

    978
    IRFZ48PBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 18mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRFZ48RPBF

    IRFZ48RPBF

    MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

    Vishay Siliconix

    948
    IRFZ48RPBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 50A (Tc) 10V 18mOhm @ 43A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 2400 pF @ 25 V - 190W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF740ALPBF

    IRF740ALPBF

    MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK

    Vishay Siliconix

    615
    IRF740ALPBF

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 10A (Tc) 10V 550mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 1030 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    IRF740ASTRLPBF

    IRF740ASTRLPBF

    MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK

    Vishay Siliconix

    550
    IRF740ASTRLPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 10A (Tc) 10V 550mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V 1030 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    R6009KNXC7G

    R6009KNXC7G

    600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

    Rohm Semiconductor

    547
    R6009KNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Ta) 10V 535mOhm @ 2.8A, 10V 5V @ 1mA 16.5 nC @ 10 V ±20V 540 pF @ 25 V - 48W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    FDMC86520DC

    FDMC86520DC

    MOSFET N-CH 60V 17A/40A DLCOOL33

    onsemi

    5,875
    FDMC86520DC

    Техническая документация

    Dual Cool™, PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 17A (Ta), 40A (Tc) 8V, 10V 6.3mOhm @ 17A, 10V 4.5V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±20V 2790 pF @ 30 V - 3W (Ta), 73W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount Dual Cool ™ 33
    RJK0853DPB-00#J5

    RJK0853DPB-00#J5

    MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    4,910
    RJK0853DPB-00#J5

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 40A (Ta) 4.5V, 10V 8mOhm @ 20A, 10V - 40 nC @ 4.5 V ±20V 6170 pF @ 10 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    SIHH240N60E-T1-GE3

    SIHH240N60E-T1-GE3

    MOSFET N-CH 600V 12A PPAK 8 X 8

    Vishay Siliconix

    2,736
    SIHH240N60E-T1-GE3

    Техническая документация

    EF 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 240mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±30V 783 pF @ 100 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
    STB100NF04T4

    STB100NF04T4

    MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

    STMicroelectronics

    1,563
    STB100NF04T4

    Техническая документация

    STripFET™ II TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 10V 4.6mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    Total 36322 Record«Prev1... 173174175176177178179180...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.