БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    STP25N60M2-EP

    STP25N60M2-EP

    MOSFET N-CH 600V 18A TO220

    STMicroelectronics

    1,006
    STP25N60M2-EP

    Техническая документация

    MDmesh™ M2-EP TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 18A (Tc) 10V 188mOhm @ 9A, 10V 4.75V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±25V 1090 pF @ 100 V - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IRF9Z34STRRPBF

    IRF9Z34STRRPBF

    MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

    Vishay Siliconix

    361
    IRF9Z34STRRPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Tc) 10V 140mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±20V 1100 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    IXFP34N65X2M

    IXFP34N65X2M

    MOSFET N-CH 650V 34A TO220

    IXYS

    275
    IXFP34N65X2M

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X2 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 34A (Tc) 10V 100mOhm @ 17A, 10V 5V @ 1.5mA 56 nC @ 10 V ±30V 3230 pF @ 25 V - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Isolated Tab
    R6535KNZC17

    R6535KNZC17

    MOSFET N-CH 650V 35A TO3

    Rohm Semiconductor

    280
    R6535KNZC17

    Техническая документация

    - TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 35A (Tc) 10V 115mOhm @ 18.1A, 10V 5V @ 1.21mA 72 nC @ 10 V ±20V 3000 pF @ 25 V - 102W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    RS3L140GNGZETB

    RS3L140GNGZETB

    NCH 60V 14A POWER MOSFET: RS3L14

    Rohm Semiconductor

    2,490
    RS3L140GNGZETB

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 6.5mOhm @ 14A, 10V 2.7V @ 500µA 58 nC @ 10 V ±20V 2980 pF @ 30 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    NP100N055PUK-E1-AY

    NP100N055PUK-E1-AY

    MOSFET N-CH 55V 100A TO263

    Renesas Electronics Corporation

    1,709
    NP100N055PUK-E1-AY

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 100A (Tc) 10V 3.25mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 7350 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 176W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    PSMNR67-30YLEX

    PSMNR67-30YLEX

    PSMNR67-30YLE/SOT1023/4 LEADS

    Nexperia USA Inc.

    1,400
    PSMNR67-30YLEX

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 365A (Tc) 7V, 10V 0.7mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 2mA 185 nC @ 10 V ±20V 12417 pF @ 15 V - 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    STP7NK80Z

    STP7NK80Z

    MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB

    STMicroelectronics

    992
    STP7NK80Z

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 5.2A (Tc) 10V 1.8Ohm @ 2.6A, 10V 4.5V @ 100µA 56 nC @ 10 V ±30V 1138 pF @ 25 V - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    STF24N60M6

    STF24N60M6

    MOSFET N-CH 600V TO220FP

    STMicroelectronics

    914
    STF24N60M6

    Техническая документация

    MDmesh™ M6 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 17A (Tj) 10V 190mOhm @ 8.5A, 10V 4.75V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±25V 960 pF @ 100 V - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IPL60R160CFD7AUMA1

    IPL60R160CFD7AUMA1

    MOSFET N CH

    Infineon Technologies

    3,039
    IPL60R160CFD7AUMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 16A (Tc) 10V 160mOhm @ 6.8A, 10V 4.5V @ 340µA 31 nC @ 10 V ±20V 1330 pF @ 400 V - 95W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4-1
    IRFSL9N60APBF

    IRFSL9N60APBF

    MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK

    Vishay Siliconix

    900
    IRFSL9N60APBF

    Техническая документация

    - TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9.2A (Tc) 10V 750mOhm @ 5.5A, 10V 4V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±30V 1400 pF @ 25 V - 170W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole I2PAK
    NVMFS5C426NLWFT1G

    NVMFS5C426NLWFT1G

    MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN

    onsemi

    1,305
    NVMFS5C426NLWFT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 41A (Ta), 237A (Tc) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V 2V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±20V 5600 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 128W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
    SIHP21N80AEF-GE3

    SIHP21N80AEF-GE3

    E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

    Vishay Siliconix

    980
    SIHP21N80AEF-GE3

    Техническая документация

    EF TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 16.3A (Tc) 10V 250mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±30V 1511 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IRF6674TRPBF

    IRF6674TRPBF

    MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    13,534
    IRF6674TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric MZ Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 13.4A (Ta), 67A (Tc) 10V 11mOhm @ 13.4A, 10V 4.9V @ 100µA 36 nC @ 10 V ±20V 1350 pF @ 25 V - 3.6W (Ta), 89W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ MZ
    NP50P04KDG-E1-AY

    NP50P04KDG-E1-AY

    MOSFET P-CH 40V 50A TO263

    Renesas Electronics Corporation

    3,057
    NP50P04KDG-E1-AY

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 50A (Tc) 4.5V, 10V 10mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 1mA 100 nC @ 10 V ±20V 5100 pF @ 10 V - 1.8W (Ta), 90W (Tc) 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263
    SUM10250E-GE3

    SUM10250E-GE3

    MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK

    Vishay Siliconix

    790
    SUM10250E-GE3

    Техническая документация

    ThunderFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 63.5A (Tc) 7.5V, 10V 31mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 88 nC @ 10 V ±20V 3002 pF @ 125 V - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    R6530KNXC7G

    R6530KNXC7G

    650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

    Rohm Semiconductor

    884
    R6530KNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 960µA 56 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 25 V - 86W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    R6530ENXC7G

    R6530ENXC7G

    650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW

    Rohm Semiconductor

    713
    R6530ENXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 960µA 90 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 86W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    NTPF450N80S3Z

    NTPF450N80S3Z

    MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3

    onsemi

    928
    NTPF450N80S3Z

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 11A (Tj) - 450mOhm @ 5.5A, 10V 3.8V @ 240µA 19.3 nC @ 10 V ±20V 885 pF @ 400 V - 29.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
    RSJ301N10TL

    RSJ301N10TL

    NCH 100V 30A POWER MOSFET : RSJ3

    Rohm Semiconductor

    466
    RSJ301N10TL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 30A (Ta) 4V, 10V 46mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 1mA 60 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 50W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263S
    Total 36322 Record«Prev1... 174175176177178179180181...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.