БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IPP60R160P7XKSA1

    IPP60R160P7XKSA1

    MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1

    Infineon Technologies

    496
    IPP60R160P7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ P7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 20A (Tc) 10V 160mOhm @ 6.3A, 10V 4V @ 350µA 31 nC @ 10 V ±20V 1317 pF @ 400 V - 81W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3-1
    R6015KNJTL

    R6015KNJTL

    MOSFET N-CH 600V 15A LPTS

    Rohm Semiconductor

    3,982
    R6015KNJTL

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 15A (Tc) 10V 290mOhm @ 6.5A, 10V 5V @ 1mA 37.5 nC @ 10 V ±20V 1050 pF @ 25 V - 184W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LPTS
    IPL60R185C7AUMA1

    IPL60R185C7AUMA1

    MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON

    Infineon Technologies

    2,922
    IPL60R185C7AUMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ C7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 185mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 260µA 24 nC @ 10 V ±20V 1080 pF @ 400 V - 77W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    NVD5C648NLT4G

    NVD5C648NLT4G

    MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK

    onsemi

    1,455
    NVD5C648NLT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18A (Ta), 89A (Tc) 4.5V, 10V 4.1mOhm @ 45A, 10V 2.1V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 72W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    IPB012N04NF2SATMA1

    IPB012N04NF2SATMA1

    TRENCH <= 40V

    Infineon Technologies

    795
    IPB012N04NF2SATMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 41A (Ta), 197A (Tc) 6V, 10V 1.25mOhm @ 100A, 10V 3.4V @ 189µA 239 nC @ 10 V ±20V 11300 pF @ 20 V - 3.8W (Ta), 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    RJK1055DPB-00#J5

    RJK1055DPB-00#J5

    MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    7,335
    RJK1055DPB-00#J5

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 23A (Ta) 10V 17mOhm @ 11.5A, 10V - 35 nC @ 10 V ±20V 2550 pF @ 10 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    R6524KNZ4C13

    R6524KNZ4C13

    650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

    Rohm Semiconductor

    1,010
    R6524KNZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 185mOhm @ 11.3A, 10V 5V @ 750µA 45 nC @ 10 V ±20V 1850 pF @ 25 V - 245W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    R6524ENZ4C13

    R6524ENZ4C13

    650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER

    Rohm Semiconductor

    475
    R6524ENZ4C13

    Техническая документация

    - TO-247-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 24A (Tc) 10V 185mOhm @ 11.3A, 10V 4V @ 750µA 70 nC @ 10 V ±20V 1650 pF @ 25 V - 245W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247G
    IPL60R185CFD7AUMA1

    IPL60R185CFD7AUMA1

    MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON

    Infineon Technologies

    2,973
    IPL60R185CFD7AUMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 4-PowerTSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 14A (Tc) 10V 185mOhm @ 6A, 10V 4.5V @ 300µA 28 nC @ 10 V ±20V 1199 pF @ 400 V - 85W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-VSON-4
    SIHP21N80AE-GE3

    SIHP21N80AE-GE3

    MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB

    Vishay Siliconix

    976
    SIHP21N80AE-GE3

    Техническая документация

    E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17.4A (Tc) 10V 235mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±30V 1388 pF @ 100 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    SIHP17N80AEF-GE3

    SIHP17N80AEF-GE3

    E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

    Vishay Siliconix

    928
    SIHP17N80AEF-GE3

    Техническая документация

    EF TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 15A (Tc) 10V 305mOhm @ 8.5A, 10V 4V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±30V 1300 pF @ 100 V - 179W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    IQE050N08NM5ATMA1

    IQE050N08NM5ATMA1

    TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8

    Infineon Technologies

    9,048
    IQE050N08NM5ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 16A (Ta), 101A (Tc) 6V, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 3.8V @ 49µA 43.2 nC @ 10 V ±20V 2900 pF @ 40 V - 2.5W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TSON-8-4
    RD3L07BBGTL1

    RD3L07BBGTL1

    NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF

    Rohm Semiconductor

    2,359
    RD3L07BBGTL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 70A (Tc) 4.5V, 10V 3.9mOhm @ 70A, 10V 2.5V @ 1mA 47 nC @ 10 V ±20V 2950 pF @ 30 V - 102W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    IXFP8N85X

    IXFP8N85X

    MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB

    IXYS

    278
    IXFP8N85X

    Техническая документация

    HiPerFET™, Ultra X TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850 V 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4A, 10V 5.5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±30V 654 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB (IXFP)
    TSM13ND50CI

    TSM13ND50CI

    MOSFET N-CH 500V 13A ITO220

    Taiwan Semiconductor Corporation

    3,848
    TSM13ND50CI

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 13A (Tc) 10V 480mOhm @ 3.3A, 10V 3.8V @ 250µA 39 nC @ 10 V ±30V 1877 pF @ 50 V - 57W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220
    PSMN0R7-25YLDX

    PSMN0R7-25YLDX

    MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    3,113
    PSMN0R7-25YLDX

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 300A (Tc) 4.5V, 10V 0.72mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 1mA 110.2 nC @ 10 V ±20V 8320 pF @ 12 V - 158W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56; Power-SO8
    FCPF380N60E

    FCPF380N60E

    MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F

    onsemi

    1,945
    FCPF380N60E

    Техническая документация

    SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10.2A (Tc) 10V 380mOhm @ 5A, 10V 3.5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 1770 pF @ 25 V - 31W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    DMTH6004SCTBQ-13

    DMTH6004SCTBQ-13

    MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB

    Diodes Incorporated

    467
    DMTH6004SCTBQ-13

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Tc) 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 95.4 nC @ 10 V ±20V 4556 pF @ 30 V - 4.7W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263
    PSMNR60-25YLHX

    PSMNR60-25YLHX

    MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    3,975
    PSMNR60-25YLHX

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - 300A (Tc) 4.5V, 10V 700mOhm @ 25A, 10V 2.2V @ 2mA 147 nC @ 10 V ±20V 8117 pF @ 12 V - 268W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    IRF540STRRPBF

    IRF540STRRPBF

    MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

    Vishay Siliconix

    1,476
    IRF540STRRPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 28A (Tc) 10V 77mOhm @ 17A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V 1700 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    Total 36322 Record«Prev1... 171172173174175176177178...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.