БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    R6530KNZC17

    R6530KNZC17

    MOSFET N-CH 650V 30A TO3

    Rohm Semiconductor

    300
    R6530KNZC17

    Техническая документация

    - TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 5V @ 960µA 56 nC @ 10 V ±20V 2350 pF @ 25 V - 86W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    R6530ENZC17

    R6530ENZC17

    MOSFET N-CH 650V 30A TO3

    Rohm Semiconductor

    300
    R6530ENZC17

    Техническая документация

    - TO-3P-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 30A (Tc) 10V 140mOhm @ 14.5A, 10V 4V @ 960µA 90 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 86W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-3PF
    RSS095N05HZGTB

    RSS095N05HZGTB

    NCH 45V 9.5A POWER MOSFET: RSS09

    Rohm Semiconductor

    2,250
    RSS095N05HZGTB

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45 V 9.5A (Ta) 4V, 10V 16mOhm @ 9.5A, 10V 2.5V @ 1mA 26.5 nC @ 5 V ±20V 1830 pF @ 10 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    PJMF390N65EC_T0_00001

    PJMF390N65EC_T0_00001

    650V SUPER JUNCTION MOSFET

    Panjit International Inc.

    1,785
    PJMF390N65EC_T0_00001

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 390mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±30V 726 pF @ 400 V - 29.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
    STP12NK30Z

    STP12NK30Z

    MOSFET N-CH 300V 9A TO220AB

    STMicroelectronics

    1,490
    STP12NK30Z

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300 V 9A (Tc) 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V 4.5V @ 50µA 35 nC @ 10 V ±30V 670 pF @ 25 V - 90W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    NVMFS4C302NT1G

    NVMFS4C302NT1G

    MOSFET N-CH 30V 43A/241A 5DFN

    onsemi

    1,455
    NVMFS4C302NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 43A (Ta), 241A (Tc) 4.5V, 10V 1.15mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±20V 5780 pF @ 15 V - 3.75W (Ta), 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    N0436N-ZK-E1-AY

    N0436N-ZK-E1-AY

    ABU / MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    5,857
    N0436N-ZK-E1-AY

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 56A (Ta) 10V 4.7mOhm @ 28A, 10V 4V @ 1mA 62 nC @ 10 V ±20V 3200 pF @ 25 V - 1W (Ta), 87.4W (Tc) 150°C - - Surface Mount TO-252
    RJK5035DPP-A0#T2

    RJK5035DPP-A0#T2

    MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP

    Renesas Electronics Corporation

    2,015
    RJK5035DPP-A0#T2

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5A (Ta) 10V 1.6Ohm @ 2.5A, 10V - 19 nC @ 10 V ±30V 600 pF @ 25 V - 29W (Ta) 150°C - - Through Hole TO-220FP
    SIHA15N80AE-GE3

    SIHA15N80AE-GE3

    MOSFET N-CH 800V 6A TO220

    Vishay Siliconix

    973
    SIHA15N80AE-GE3

    Техническая документация

    E TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6A (Tc) 10V 350mOhm @ 7.5A, 10V 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V 1093 pF @ 100 V - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220 Full Pack
    IPP60R210CFD7XKSA1

    IPP60R210CFD7XKSA1

    MOSFET N CH

    Infineon Technologies

    435
    IPP60R210CFD7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ CFD7 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 210mOhm @ 4.9A, 10V 4.5V @ 240µA 23 nC @ 10 V ±20V 1015 pF @ 400 V - 64W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-3
    FCPF1300N80Z

    FCPF1300N80Z

    MOSFET N-CH 800V 4A TO220F

    onsemi

    380
    FCPF1300N80Z

    Техническая документация

    SuperFET® II TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 2A, 10V 4.5V @ 400µA 21 nC @ 10 V ±20V 880 pF @ 100 V - 24W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220F-3
    TK1R4F04PB,LXGQ

    TK1R4F04PB,LXGQ

    MOSFET N-CH 40V 160A TO220SM

    Toshiba Semiconductor and Storage

    1,000
    TK1R4F04PB,LXGQ

    Техническая документация

    U-MOSIX-H TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 160A (Ta) 6V, 10V 1.9mOhm @ 80A, 6V 3V @ 500µA 103 nC @ 10 V ±20V 5500 pF @ 10 V - 205W (Tc) 175°C - - Surface Mount TO-220SM(W)
    IPA60R180C7XKSA1

    IPA60R180C7XKSA1

    MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP

    Infineon Technologies

    203
    IPA60R180C7XKSA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ C7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 9A (Tc) 10V 180mOhm @ 5.3A, 10V 4V @ 260µA 24 nC @ 10 V ±20V 1080 pF @ 400 V - 29W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220 Full Pack
    STD8N65M5

    STD8N65M5

    MOSFET N-CH 650V 7A DPAK

    STMicroelectronics

    4,523
    STD8N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7A (Tc) 10V 600mOhm @ 3.5A, 10V 5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±25V 690 pF @ 100 V - 70W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    STF16N60M6

    STF16N60M6

    MOSFET N-CH 600V TO220-3 FP

    STMicroelectronics

    1,174
    STF16N60M6

    Техническая документация

    UltraFASTmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) 10V 320mOhm @ 6A, 10V 4.75V @ 250µA 16.7 nC @ 10 V ±25V 575 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    HUF75639S3ST

    HUF75639S3ST

    MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

    onsemi

    735
    HUF75639S3ST

    Техническая документация

    UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 56A (Tc) 10V 25mOhm @ 56A, 10V 4V @ 250µA 130 nC @ 20 V ±20V 2000 pF @ 25 V - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SIDR608EP-T1-RE3

    SIDR608EP-T1-RE3

    N-CHANNEL 45 V (D-S) 175C MOSFET

    Vishay Siliconix

    5,990
    SIDR608EP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45 V 56A (Ta), 228A (Tc) 4.5V, 10V 1.2mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 167 nC @ 10 V +20V, -16V 8900 pF @ 20 V - 7.5W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
    STP76NF75

    STP76NF75

    MOSFET N-CH 75V 80A TO220

    STMicroelectronics

    987
    STP76NF75

    Техническая документация

    STripFET™ II TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 80A (Tc) 10V 11mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V 3700 pF @ 25 V - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IPF013N04NF2SATMA1

    IPF013N04NF2SATMA1

    TRENCH <= 40V

    Infineon Technologies

    800
    IPF013N04NF2SATMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™2 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 40A (Ta), 232A (Tc) 6V, 10V 1.35mOhm @ 100A, 10V 3.4V @ 126µA 159 nC @ 10 V ±20V 7500 pF @ 20 V - 3.8W (Ta), 188W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-7-U02
    FCP360N65S3R0

    FCP360N65S3R0

    MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3

    onsemi

    407
    FCP360N65S3R0

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 360mOhm @ 5A, 10V 4.5V @ 1mA 18 nC @ 10 V ±30V 730 pF @ 400 V - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    Total 36322 Record«Prev1... 167168169170171172173174...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.