БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    IRFR9220TRLPBF

    IRFR9220TRLPBF

    MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

    Vishay Siliconix

    2,455
    IRFR9220TRLPBF

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 3.6A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 340 pF @ 25 V - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    R6511KND3TL1

    R6511KND3TL1

    HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1

    Rohm Semiconductor

    2,315
    R6511KND3TL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Tc) 10V 400mOhm @ 3.8A, 10V 5V @ 320µA 22 nC @ 10 V ±20V 760 pF @ 25 V - 124W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    BUK764R0-40E,118

    BUK764R0-40E,118

    MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    2,075
    BUK764R0-40E,118

    Техническая документация

    TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 75A (Tc) 10V 4mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 54 nC @ 10 V ±20V 4405 pF @ 25 V - 182W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount D2PAK
    STL16N65M2

    STL16N65M2

    MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT

    STMicroelectronics

    2,515
    STL16N65M2

    Техническая документация

    MDmesh™ M2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7.5A (Tc) 10V 395mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 19.5 nC @ 10 V ±25V 718 pF @ 100 V - 56W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
    DMTH6004SCTB-13

    DMTH6004SCTB-13

    MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB

    Diodes Incorporated

    780
    DMTH6004SCTB-13

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Tc) 10V 3.4mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 95.4 nC @ 10 V ±20V 4556 pF @ 30 V - 4.7W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263
    RJK1001DPP-A0#T2

    RJK1001DPP-A0#T2

    MOSFET N-CH 100V 80A TO220FPA

    Renesas Electronics Corporation

    6,988
    RJK1001DPP-A0#T2

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 80A (Ta) 10V 5.5mOhm @ 40A, 10V 4V @ 1mA 147 nC @ 10 V ±20V 10000 pF @ 10 V - 30W (Ta) 150°C - - Through Hole TO-220ABA
    R6006PND3FRATL

    R6006PND3FRATL

    600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER

    Rohm Semiconductor

    2,435
    R6006PND3FRATL

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 6A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 3A, 10V 4.5V @ 1mA 15 nC @ 10 V ±30V 460 pF @ 25 V - 87W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    NP179N055TUK-E1-AY

    NP179N055TUK-E1-AY

    P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS

    Renesas Electronics Corporation

    1,600
    NP179N055TUK-E1-AY

    Техническая документация

    - TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Tray Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55 V 180A (Tc) 10V 1.75mOhm @ 90A, 10V 4V @ 250µA 240 nC @ 10 V ±20V 13950 pF @ 25 V - 1.8W (Ta), 288W (Tc) 175°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-7
    AUIRFR8403TRL

    AUIRFR8403TRL

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

    Infineon Technologies

    2,457
    AUIRFR8403TRL

    Техническая документация

    HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 76A, 10V 3.9V @ 100µA 99 nC @ 10 V ±20V 3171 pF @ 25 V - 99W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA (DPAK)
    IRFIBE30GPBF

    IRFIBE30GPBF

    MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3

    Vishay Siliconix

    1,824
    IRFIBE30GPBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2.1A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.3A, 10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±20V 1300 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    R8003KND3TL1

    R8003KND3TL1

    HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A

    Rohm Semiconductor

    895
    R8003KND3TL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 3A (Ta) 10V 1.8Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 2mA 11.5 nC @ 10 V ±20V 300 pF @ 100 V - 45W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    FCP600N65S3R0

    FCP600N65S3R0

    MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3

    onsemi

    785
    FCP600N65S3R0

    Техническая документация

    SuperFET® III TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 6A (Tc) 10V 600mOhm @ 3A, 10V 4.5V @ 600µA 11 nC @ 10 V ±30V 465 pF @ 400 V - 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    STB11N65M5

    STB11N65M5

    MOSFET N CH 650V 9A D2PAK

    STMicroelectronics

    2,839
    STB11N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 9A (Tc) 10V 480mOhm @ 4.5A, 10V 5V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±25V 644 pF @ 100 V - 85W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STH170N8F7-2

    STH170N8F7-2

    MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2

    STMicroelectronics

    1,254
    STH170N8F7-2

    Техническая документация

    STripFET™ F7 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 120A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 60A, 10V 4.5V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±20V 8710 pF @ 40 V - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount H2PAK-2
    NTMFS008N12MCT1G

    NTMFS008N12MCT1G

    SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12

    onsemi

    696
    NTMFS008N12MCT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120 V 12A (Ta), 79A (Tc) 6V, 10V 8mOhm @ 36A, 10V 4V @ 200µA 33 nC @ 10 V ±20V 2705 pF @ 60 V - 2.7W (Ta), 102W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    IPB049N08N5ATMA1

    IPB049N08N5ATMA1

    MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK

    Infineon Technologies

    1,834
    IPB049N08N5ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 80A (Tc) 6V, 10V 4.9mOhm @ 80A, 10V 3.8V @ 66µA 53 nC @ 10 V ±20V 3770 pF @ 40 V - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    RJK6006DPP-A0#T2

    RJK6006DPP-A0#T2

    MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP

    Renesas Electronics Corporation

    1,711
    RJK6006DPP-A0#T2

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 10A (Ta) 10V 920mOhm @ 5A, 10V - 30 nC @ 10 V ±30V 1100 pF @ 25 V - 30W (Ta) 150°C - - Through Hole TO-220FP
    NVTFS002N04CLTAG

    NVTFS002N04CLTAG

    MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN

    onsemi

    280
    NVTFS002N04CLTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 28A (Ta), 142A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 50A, 10V 2V @ 90µA 49 nC @ 10 V ±20V 2940 pF @ 25 V - 3.2W (Ta), 85W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    PSMN9R5-100BS,118

    PSMN9R5-100BS,118

    MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK

    Nexperia USA Inc.

    5,456
    PSMN9R5-100BS,118

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 89A (Tc) 10V 9.6mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 82 nC @ 10 V ±20V 4454 pF @ 50 V - 211W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    R6007END3TL1

    R6007END3TL1

    MOSFET N-CH 600V 7A TO252

    Rohm Semiconductor

    2,476
    R6007END3TL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V 620mOhm @ 2.4A, 10V 4V @ 1mA 20 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 25 V - 78W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    Total 36322 Record«Prev1... 163164165166167168169170...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.