БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    STP7LN80K5

    STP7LN80K5

    MOSFET N-CH 800V 5A TO220

    STMicroelectronics

    454
    STP7LN80K5

    Техническая документация

    MDmesh™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 5A (Tc) 10V 1.15Ohm @ 2.5A, 10V 5V @ 100µA 12 nC @ 10 V ±30V 270 pF @ 100 V - 85W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    IXTP100N04T2

    IXTP100N04T2

    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

    Littelfuse Inc.

    289
    IXTP100N04T2

    Техническая документация

    TrenchT2™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 7mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 25.5 nC @ 10 V ±20V 2690 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    NVTFS4C02NTAG

    NVTFS4C02NTAG

    MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,

    onsemi

    1,423
    NVTFS4C02NTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 28.3A (Ta), 162A (Tc) 4.5V, 10V 2.25mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 20 nC @ 4.5 V ±20V 2980 pF @ 15 V - 3.2W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    IRFI730GPBF

    IRFI730GPBF

    MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220-3

    Vishay Siliconix

    1,105
    IRFI730GPBF

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 3.7A (Tc) 10V 1Ohm @ 2.1A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-3
    R6013VNXC7G

    R6013VNXC7G

    600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH

    Rohm Semiconductor

    1,080
    R6013VNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8A (Tc) 10V, 15V 300mOhm @ 3A, 15V 6.5V @ 500µA 21 nC @ 10 V ±30V 900 pF @ 100 V - 54W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    AOB360A70L

    AOB360A70L

    MOSFET N-CH 700V 12A TO263

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    840
    AOB360A70L

    Техническая документация

    aMOS5™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700 V 12A (Tc) 10V 360mOhm @ 6A, 10V 4V @ 250µA 22.5 nC @ 10 V ±20V 1360 pF @ 100 V - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    XPH4R10ANB,L1XHQ

    XPH4R10ANB,L1XHQ

    MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP

    Toshiba Semiconductor and Storage

    34,035
    XPH4R10ANB,L1XHQ

    Техническая документация

    U-MOSVIII-H 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 70A (Ta) 6V, 10V 4.1mOhm @ 35A, 10V 3.5V @ 1mA 75 nC @ 10 V ±20V 4970 pF @ 10 V - 960mW (Ta), 170W (Tc) 175°C - - Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
    CMS23N06H8-HF

    CMS23N06H8-HF

    MOSFET N-CH 60V 23A/125A 8DFN

    Comchip Technology

    4,998
    CMS23N06H8-HF

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 23A (Ta), 125A (Tc) 4.5V, 10V 3.1mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 3467 pF @ 25 V - 86W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x6)
    BUK9Y8R8-60ELX

    BUK9Y8R8-60ELX

    SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM

    Nexperia USA Inc.

    2,635
    BUK9Y8R8-60ELX

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 110A (Tc) 4.5V, 10V 5.6mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 123 nC @ 10 V ±10V 6695 pF @ 25 V - 194W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    RJK0655DPB-00#J5

    RJK0655DPB-00#J5

    MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    2,500
    RJK0655DPB-00#J5

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 35A (Ta) 10V 6.7mOhm @ 17.5A, 10V - 35 nC @ 10 V ±20V 2550 pF @ 10 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    PJMP900N60EC_T0_00001

    PJMP900N60EC_T0_00001

    600V SUPER JUNCTION MOSFET

    Panjit International Inc.

    1,998
    PJMP900N60EC_T0_00001

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 5A (Tc) 10V 900mOhm @ 2.3A, 10V 4V @ 250µA 8.8 nC @ 10 V ±30V 310 pF @ 400 V - 47.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB-L
    NTMFS0D8N03CT1G

    NTMFS0D8N03CT1G

    MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,

    onsemi

    1,445
    NTMFS0D8N03CT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 54A (Ta), 337A (Tc) 4.5V, 10V 0.74mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 200µA 50 nC @ 4.5 V ±20V 7690 pF @ 15 V - 3.8W (Ta), 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    IRF9520STRLPBF

    IRF9520STRLPBF

    MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK

    Vishay Siliconix

    1,368
    IRF9520STRLPBF

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 6.8A (Tc) 10V 600mOhm @ 4.1A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    STP20N65M5

    STP20N65M5

    MOSFET N-CH 650V 18A TO220

    STMicroelectronics

    939
    STP20N65M5

    Техническая документация

    MDmesh™ V TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 18A (Tc) 10V 190mOhm @ 9A, 10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±25V 1345 pF @ 100 V - 130W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    SIR140DP-T1-RE3

    SIR140DP-T1-RE3

    MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK

    Vishay Siliconix

    11,100
    SIR140DP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 71.9A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 0.67mOhm @ 20A, 10V 2.1V @ 250µA 170 nC @ 10 V +20V, -16V 8150 pF @ 10 V - 6.25W (Ta), 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    IRF6623TRPBF

    IRF6623TRPBF

    MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

    Infineon Technologies

    8,465
    IRF6623TRPBF

    Техническая документация

    HEXFET® DirectFET™ Isometric ST Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 16A (Ta), 55A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 15A, 10V 2.2V @ 250µA 17 nC @ 4.5 V ±20V 1360 pF @ 10 V - 1.4W (Ta), 42W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DIRECTFET™ ST
    NVMYS007N10MCLTWG

    NVMYS007N10MCLTWG

    PTNG 100V LL LFPAK4

    onsemi

    2,960
    NVMYS007N10MCLTWG

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 16A (Ta), 83A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 25A, 10V 3V @ 141µA 37 nC @ 10 V ±20V 2700 pF @ 50 V - 3.8W (Ta), 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    STD15N60DM6

    STD15N60DM6

    MOSFET N-CH 600V 12A DPAK

    STMicroelectronics

    2,483
    STD15N60DM6

    Техническая документация

    MDmesh™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 12A (Tc) - 338mOhm @ 6A, 10V 4.75V @ 250µA 15.3 nC @ 10 V ±25V 607 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    PJMF990N65EC_T0_00001

    PJMF990N65EC_T0_00001

    650V SUPER JUNCTION MOSFET

    Panjit International Inc.

    2,000
    PJMF990N65EC_T0_00001

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4.7A (Tc) 10V 990mOhm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 9.7 nC @ 10 V ±30V 306 pF @ 400 V - 22.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
    SUD35N10-26P-BE3

    SUD35N10-26P-BE3

    MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK

    Vishay Siliconix

    1,504
    SUD35N10-26P-BE3

    Техническая документация

    TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 12A (Ta), 35A (Tc) 7V, 10V 26mOhm @ 12A, 10V 4.4V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 12 V - 8.3W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    Total 36322 Record«Prev1... 161162163164165166167168...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.