БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    RS1E301GNTB1

    RS1E301GNTB1

    MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    2,380
    RS1E301GNTB1

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 30A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V 2.5V @ 1mA 39.8 nC @ 10 V ±20V 2500 pF @ 15 V - 3W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    IRFB7734PBF

    IRFB7734PBF

    MOSFET N-CH 75V 183A TO220AB

    Infineon Technologies

    6,364
    IRFB7734PBF

    Техническая документация

    HEXFET®, StrongIRFET™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75 V 183A (Tc) 6V, 10V 3.5mOhm @ 100A, 10V 3.7V @ 250µA 270 nC @ 10 V ±20V 10150 pF @ 25 V - 290W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    R6511KNXC7G

    R6511KNXC7G

    650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

    Rohm Semiconductor

    3,984
    R6511KNXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A (Ta) 10V 400mOhm @ 3.8A, 10V 5V @ 320µA 22 nC @ 10 V ±20V 760 pF @ 25 V - 53W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    R6507END3TL1

    R6507END3TL1

    650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER

    Rohm Semiconductor

    2,375
    R6507END3TL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7A (Tc) 10V 665mOhm @ 2.4A, 10V 4V @ 200µA 20 nC @ 10 V ±20V 390 pF @ 25 V - 78W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    SI4465ADY-T1-GE3

    SI4465ADY-T1-GE3

    MOSFET P-CH 8V 8SOIC

    Vishay Siliconix

    2,006
    SI4465ADY-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Last Time Buy P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8 V 13.7A (Ta), 20A (Tc) 1.8V, 4.5V 9mOhm @ 14A, 4.5V 1V @ 250µA 85 nC @ 4.5 V ±8V - - 3W (Ta), 6.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    SIR438DP-T1-GE3

    SIR438DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    261
    SIR438DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25 V 60A (Tc) 4.5V, 10V 1.8mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V 4560 pF @ 10 V - 5.4W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    STP5NK50ZFP

    STP5NK50ZFP

    MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220FP

    STMicroelectronics

    839
    STP5NK50ZFP

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-220-3 Full Pack Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.4A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 4.5V @ 50µA 28 nC @ 10 V ±30V 535 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    R6011KNX

    R6011KNX

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

    Rohm Semiconductor

    376
    R6011KNX

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Bulk Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 390mOhm @ 3.8A, 10V 5V @ 1mA 22 nC @ 10 V ±20V 740 pF @ 25 V - 53W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    IAUA120N04S5N014AUMA1

    IAUA120N04S5N014AUMA1

    MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5

    Infineon Technologies

    3,965
    IAUA120N04S5N014AUMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ 5-PowerSFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 120A (Tc) 7V, 10V 1.4mOhm @ 60A, 10V 3.4V @ 60µA 82 nC @ 10 V ±20V 4828 pF @ 25 V - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-HSOF-5-2
    NTMYS011N04CTWG

    NTMYS011N04CTWG

    MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK

    onsemi

    1,602
    NTMYS011N04CTWG

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 13A (Ta), 35A (Tc) 10V 12mOhm @ 10A, 10V 3.5V @ 20µA 7.9 nC @ 10 V ±20V 420 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    RS1G260MNTB

    RS1G260MNTB

    MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    2,288
    RS1G260MNTB

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 26A (Ta), 80A (Tc) 4.5V, 10V 3.3mOhm @ 26A, 10V 2.5V @ 1mA 44 nC @ 10 V ±20V 2988 pF @ 20 V - 3W (Ta), 35W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    SIHB21N80AE-GE3

    SIHB21N80AE-GE3

    MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK

    Vishay Siliconix

    905
    SIHB21N80AE-GE3

    Техническая документация

    E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 17.4A (Tc) 10V 235mOhm @ 11A, 10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±30V 1388 pF @ 100 V - 32W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    SI7108DN-T1-GE3

    SI7108DN-T1-GE3

    MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8

    Vishay Siliconix

    5,905
    SI7108DN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 14A (Ta) 4.5V, 10V 4.9mOhm @ 22A, 10V 2V @ 250µA 30 nC @ 4.5 V ±16V - - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    RSS070N05HZGTB

    RSS070N05HZGTB

    AUTOMOTIVE NCH 45V 7A POWER MOSF

    Rohm Semiconductor

    2,148
    RSS070N05HZGTB

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45 V 7A (Ta) 4V, 10V 25mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 16.8 nC @ 5 V ±20V 1000 pF @ 10 V - 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    IXTY44N10T

    IXTY44N10T

    MOSFET N-CH 100V 44A TO252

    Littelfuse Inc.

    298
    IXTY44N10T

    Техническая документация

    Trench TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 44A (Tc) 10V 30mOhm @ 22A, 10V 4.5V @ 25µA 33 nC @ 10 V ±30V 1262 pF @ 25 V - 130W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    RJK0652DPB-00#J5

    RJK0652DPB-00#J5

    MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK

    Renesas Electronics Corporation

    5,000
    RJK0652DPB-00#J5

    Техническая документация

    - SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 35A (Ta) 4.5V, 10V 7mOhm @ 17.5A, 10V - 29 nC @ 4.5 V ±20V 4100 pF @ 10 V - 55W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK
    IPB100N04S4H2ATMA1

    IPB100N04S4H2ATMA1

    MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

    Infineon Technologies

    4,996
    IPB100N04S4H2ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 100A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V 4V @ 70µA 90 nC @ 10 V ±20V 7180 pF @ 25 V - 115W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
    STF13N60DM2

    STF13N60DM2

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP

    STMicroelectronics

    293
    STF13N60DM2

    Техническая документация

    MDmesh™ DM2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Tc) 10V 365mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 19 nC @ 10 V ±25V 730 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    STP4NK80Z

    STP4NK80Z

    MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB

    STMicroelectronics

    928
    STP4NK80Z

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 3A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 4.5V @ 50µA 22.5 nC @ 10 V ±30V 575 pF @ 25 V - 80W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
    MCB200N06YA-TP

    MCB200N06YA-TP

    N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK

    Micro Commercial Co

    400
    MCB200N06YA-TP

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 200A 6V, 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V 3.8V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V 4165 pF @ 25 V - 260W (Tj) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    Total 36322 Record«Prev1... 158159160161162163164165...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.