БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    NVTFS4C05NWFTAG

    NVTFS4C05NWFTAG

    MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN

    onsemi

    760
    NVTFS4C05NWFTAG

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 22A (Ta), 102A (Tc) 4.5V, 10V 3.6mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 1988 pF @ 15 V - 3.2W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
    STF12N65M2

    STF12N65M2

    MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP

    STMicroelectronics

    349
    STF12N65M2

    Техническая документация

    MDmesh™ M2 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 8A (Tc) 10V 500mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 16.5 nC @ 10 V ±25V 535 pF @ 100 V - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    RJK5033DPD-00#J2

    RJK5033DPD-00#J2

    MOSFET N-CH 500V 6A MP3A

    Renesas Electronics Corporation

    6,000
    RJK5033DPD-00#J2

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 6A (Ta) 10V 1.3Ohm @ 3A, 10V - - ±30V 600 pF @ 25 V - 65W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount MP-3A
    SI4634DY-T1-E3

    SI4634DY-T1-E3

    MOSFET N-CH 30V 24.5A 8SO

    Vishay Siliconix

    4,810
    SI4634DY-T1-E3

    Техническая документация

    TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 24.5A (Tc) 4.5V, 10V 5.2mOhm @ 15A, 10V 2.6V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±20V 3150 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    MSJU11N65A-TP

    MSJU11N65A-TP

    N-CHANNEL MOSFET, DPAK

    Micro Commercial Co

    4,203
    MSJU11N65A-TP

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 11A 10V 380mOhm @ 3.2A, 10V 4V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±30V 763 pF @ 25 V - 83.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
    NTMFS6H818NT1G

    NTMFS6H818NT1G

    MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN

    onsemi

    1,040
    NTMFS6H818NT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 20A (Ta), 123A (Tc) 6V, 10V 3.7mOhm @ 20A, 10V 4V @ 190µA 46 nC @ 10 V ±20V 3100 pF @ 40 V - 3.8W (Ta), 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    IPB055N08NF2SATMA1

    IPB055N08NF2SATMA1

    TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3

    Infineon Technologies

    449
    IPB055N08NF2SATMA1

    Техническая документация

    StrongIRFET™ 2 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 94A (Tc) 6V, 10V 5.5mOhm @ 60A, 10V 3.8V @ 55µA 54 nC @ 10 V ±20V 2500 pF @ 40 V - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3
    SIR106DP-T1-RE3

    SIR106DP-T1-RE3

    MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK

    Vishay Siliconix

    6,804
    SIR106DP-T1-RE3

    Техническая документация

    TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 16.1A (Ta), 65.8A (Tc) 7.5V, 10V 8mOhm @ 15A, 10V 3.4V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V 3610 pF @ 50 V - 3.2W (Ta), 83.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    NVD5C464NT4G

    NVD5C464NT4G

    MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK

    onsemi

    4,550
    NVD5C464NT4G

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 16A (Ta), 59A (Tc) 10V 5.8mOhm @ 30A, 10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V 1200 pF @ 25 V - 3W (Ta), 40W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    FDMS8027S

    FDMS8027S

    MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN

    onsemi

    2,965
    FDMS8027S

    Техническая документация

    PowerTrench®, SyncFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 18A (Ta), 22A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 18A, 10V 3V @ 1mA 31 nC @ 10 V ±20V 1815 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    SPD04N60C3ATMA1

    SPD04N60C3ATMA1

    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3

    Infineon Technologies

    2,494
    SPD04N60C3ATMA1

    Техническая документация

    CoolMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4.5A (Tc) 10V 950mOhm @ 2.8A, 10V 3.9V @ 200µA 25 nC @ 10 V ±20V 490 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO252-3
    NVMFS5C442NAFT1G

    NVMFS5C442NAFT1G

    MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN

    onsemi

    1,280
    NVMFS5C442NAFT1G

    Техническая документация

    - 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 29A (Ta), 140A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 50A, 10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V 2100 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
    UPA2826T1S-E2-AT

    UPA2826T1S-E2-AT

    8P HWSON

    Renesas Electronics Corporation

    9,754
    UPA2826T1S-E2-AT

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20 V 27A (Ta) 2.5V, 8V 4.3mOhm @ 13.5A, 8V 1.5V @ 1mA 37 nC @ 4 V ±12V 3610 pF @ 10 V - 20W (Ta) 150°C - - Surface Mount 8-HWSON (3.3x3.3)
    TPS1100PW

    TPS1100PW

    MOSFET P-CH 15V 1.27A 8TSSOP

    Texas Instruments

    508
    TPS1100PW

    Техническая документация

    - 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15 V 1.27A (Ta) 2.7V, 10V 180mOhm @ 1.5A, 10V 1.5V @ 250µA 5.45 nC @ 10 V +2V, -15V - - 504mW (Ta) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    TPS1100D

    TPS1100D

    MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC

    Texas Instruments

    346
    TPS1100D

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15 V 1.6A (Ta) 2.7V, 10V 180mOhm @ 1.5A, 10V 1.5V @ 250µA 5.45 nC @ 10 V +2V, -15V - - 791mW (Ta) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    NTMYS014N06CLTWG

    NTMYS014N06CLTWG

    MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK

    onsemi

    5,880
    NTMYS014N06CLTWG

    Техническая документация

    - SOT-1023, 4-LFPAK Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 12A (Ta), 36A (Tc) 4.5V, 10V 15mOhm @ 10A, 10V 2V @ 25µA 9.7 nC @ 10 V ±20V 620 pF @ 25 V - 3.8W (Ta), 37W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK4 (5x6)
    STD12N50DM2

    STD12N50DM2

    MOSFET N-CH 500V 11A DPAK

    STMicroelectronics

    1,450
    STD12N50DM2

    Техническая документация

    MDmesh™ DM2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 11A (Tc) 10V 350mOhm @ 5.5A, 10V 5V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±25V 628 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    STF5N80K5

    STF5N80K5

    MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP

    STMicroelectronics

    969
    STF5N80K5

    Техническая документация

    MDmesh™ TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 4A (Ta) 10V 1.75Ohm @ 2A, 10V 5V @ 100µA 5 nC @ 10 V ±30V 177 pF @ 100 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    FDB86102LZ

    FDB86102LZ

    MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263

    onsemi

    395
    FDB86102LZ

    Техническая документация

    PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 8.3A (Ta), 30A (Tc) 4.5V, 10V 24mOhm @ 8.3A, 10V 3V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V 1275 pF @ 50 V - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
    RJK03M1DPA-00#J5A

    RJK03M1DPA-00#J5A

    MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK

    Renesas Electronics Corporation

    8,736
    RJK03M1DPA-00#J5A

    Техническая документация

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Ta) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 25A, 10V - 25 nC @ 4.5 V ±20V 4720 pF @ 10 V - 45W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount WPAK(3F) (5x6)
    Total 36322 Record«Prev1... 154155156157158159160161...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.