БомКей Электроникс!

    FET, MOSFET

    Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

    Сбросить всё
    Применить всё
    Результат
    Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
    STF4LN80K5

    STF4LN80K5

    MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP

    STMicroelectronics

    1,937
    STF4LN80K5

    Техническая документация

    MDmesh™ K5 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 3A (Tc) 10V 2.6Ohm @ 1A, 10V 5V @ 100µA 3.7 nC @ 10 V ±30V 122 pF @ 100 V - 20W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FP
    IRF830APBF-BE3

    IRF830APBF-BE3

    MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB

    Vishay Siliconix

    963
    IRF830APBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 5A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 3A, 10V 4.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±30V 620 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
    R6004END3TL1

    R6004END3TL1

    MOSFET N-CH 600V 4A TO252

    Rohm Semiconductor

    6,882
    R6004END3TL1

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Tc) 10V 980mOhm @ 1.5A, 10V 4V @ 1mA 15 nC @ 10 V ±20V 250 pF @ 25 V - 59W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252
    SQJ402EP-T1_BE3

    SQJ402EP-T1_BE3

    N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

    Vishay Siliconix

    6,849
    SQJ402EP-T1_BE3

    Техническая документация

    - PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 32A (Tc) 4.5V, 10V 11mOhm @ 10.7A, 10V 2.5V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±20V 2286 pF @ 25 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    SQJ488EP-T2_BE3

    SQJ488EP-T2_BE3

    MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    5,975
    SQJ488EP-T2_BE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 42A (Tc) 4.5V, 10V 21mOhm @ 7.1A, 10V 2.5V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V 978 pF @ 50 V - 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PowerPAK® SO-8
    IRFR9310TRLPBF-BE3

    IRFR9310TRLPBF-BE3

    MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

    Vishay Siliconix

    2,754
    IRFR9310TRLPBF-BE3

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 1.8A (Tc) 10V 7Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
    SI7686DP-T1-GE3

    SI7686DP-T1-GE3

    MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

    Vishay Siliconix

    2,720
    SI7686DP-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Tc) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 13.8A, 10V 3V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V 1220 pF @ 15 V - 5W (Ta), 37.9W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
    STD5NK50ZT4

    STD5NK50ZT4

    MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK

    STMicroelectronics

    2,417
    STD5NK50ZT4

    Техническая документация

    SuperMESH™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 500 V 4.4A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 4.5V @ 50µA 28 nC @ 10 V ±30V 535 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    IRFR9310TRLPBF

    IRFR9310TRLPBF

    MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

    Vishay Siliconix

    887
    IRFR9310TRLPBF

    Техническая документация

    - TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 1.8A (Tc) 10V 7Ohm @ 1.1A, 10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
    FDMS7660AS

    FDMS7660AS

    MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN

    onsemi

    6,765
    FDMS7660AS

    Техническая документация

    PowerTrench®, SyncFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Last Time Buy N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 26A (Ta), 42A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 25A, 10V 3V @ 1mA 90 nC @ 10 V ±20V 6120 pF @ 15 V - 2.5W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    RJK0391DPA-00#J5A

    RJK0391DPA-00#J5A

    MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK

    Renesas Electronics Corporation

    6,000
    RJK0391DPA-00#J5A

    Техническая документация

    - 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 50A (Ta) 4.5V, 10V 2.9mOhm @ 25A, 10V 2.5V @ 1mA 34 nC @ 4.5 V ±20V 5600 pF @ 10 V - 50W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WPAK (3)
    R6011ENXC7G

    R6011ENXC7G

    600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW

    Rohm Semiconductor

    998
    R6011ENXC7G

    Техническая документация

    - TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 11A (Ta) 10V 390mOhm @ 3.8A, 10V 4V @ 1mA 32 nC @ 10 V ±20V 670 pF @ 25 V - 53W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220FM
    FDMS86320

    FDMS86320

    MOSFET N-CH 80V 10.5A/22A 8PQFN

    onsemi

    18,731
    FDMS86320

    Техническая документация

    PowerTrench® 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 10.5A (Ta), 22A (Tc) 8V, 10V 11.7mOhm @ 10.5A, 10V 4.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 2640 pF @ 40 V - 2.5W (Ta), 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-PQFN (5x6)
    STD80N4F6

    STD80N4F6

    MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

    STMicroelectronics

    5,000
    STD80N4F6

    Техническая документация

    DeepGATE™, STripFET™ VI TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 6mOhm @ 40A, 10V 4V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V 2150 pF @ 25 V - 70W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount DPAK
    RSS070P05HZGTB

    RSS070P05HZGTB

    PCH -45V -7A POWER MOSFET. RSS07

    Rohm Semiconductor

    4,543
    RSS070P05HZGTB

    Техническая документация

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45 V 7A (Ta) 4V, 10V 27mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 47.6 nC @ 5 V ±20V 4100 pF @ 10 V - 2W (Ta) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOP
    IRFUC20PBF

    IRFUC20PBF

    MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA

    Vishay Siliconix

    2,925
    IRFUC20PBF

    Техническая документация

    - TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 2A (Tc) 10V 4.4Ohm @ 1.2A, 10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V 350 pF @ 25 V - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251AA
    IPD90N04S402ATMA1

    IPD90N04S402ATMA1

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

    Infineon Technologies

    2,397
    IPD90N04S402ATMA1

    Техническая документация

    OptiMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 90A (Tc) 10V 2.4mOhm @ 90A, 10V 4V @ 95µA 118 nC @ 10 V ±20V 9430 pF @ 25 V - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TO252-3-313
    BUK9Y11-80EX

    BUK9Y11-80EX

    MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK56

    Nexperia USA Inc.

    953
    BUK9Y11-80EX

    Техническая документация

    TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 84A (Tc) 5V 10mOhm @ 25A, 10V 2.1V @ 1mA 44.2 nC @ 5 V ±10V 6506 pF @ 25 V - 194W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
    MCB150N06KY-TP

    MCB150N06KY-TP

    N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK

    Micro Commercial Co

    655
    MCB150N06KY-TP

    Техническая документация

    - TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 150A 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V 4650 pF @ 30 V - 147W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount D2PAK
    SIS184LDN-T1-GE3

    SIS184LDN-T1-GE3

    N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

    Vishay Siliconix

    5,662
    SIS184LDN-T1-GE3

    Техническая документация

    TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 18.7A (Ta), 69.4A (Tc) 4.5V, 10V 5.4mOhm @ 10A, 10V 3V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V 1950 pF @ 30 V - 3.7W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® 1212-8
    Total 36322 Record«Prev1... 150151152153154155156157...1817Next»
    Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
    БомКей Электроникс

    Главная

    БомКей Электроникс

    Продукты

    БомКей Электроникс

    Телефон

    БомКей Электроникс

    Пользователь

    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
    Аутентичные лицензионные товары
    Аутентичные лицензионные товары
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
    Полный ассортимент для легких покупок
    Полный ассортимент для легких покупок
    © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.