БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      STU8N80K5

      STU8N80K5

      MOSFET N-CH 800V 6A TO251

      STMicroelectronics

      		 1,957
      Запрос на предложение
      		STU8N80K5

      Техническая документация

             		SuperMESH5™ TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 6A (Tc) 10V 950mOhm @ 3A, 10V 5V @ 100µA 16.5 nC @ 10 V ±30V 450 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-251 (IPAK)
      BUK7M4R3-40HX

      BUK7M4R3-40HX

      MOSFET N-CH 40V 95A LFPAK33

      Nexperia USA Inc.

      		 1,500
      Запрос на предложение
      		BUK7M4R3-40HX

      Техническая документация

             		TrenchMOS™ SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 95A (Tc) 10V 4.3mOhm @ 95A, 10V - 24 nC @ 10 V +20V, -10V - - 90W (Tc) 175°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount LFPAK33
      SQ4470EY-T1_GE3

      SQ4470EY-T1_GE3

      MOSFET N-CH 60V 16A 8SO

      Vishay Siliconix

      		 956
      Запрос на предложение
      		SQ4470EY-T1_GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 16A (Tc) 6V, 10V 12mOhm @ 6A, 10V 3.5V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±20V 3165 pF @ 25 V - 7.1W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
      SQ4153EY-T1_BE3

      SQ4153EY-T1_BE3

      MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC

      Vishay Siliconix

      		 435
      Запрос на предложение
      		SQ4153EY-T1_BE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12 V 25A (Tc) 1.8V, 4.5V 8.32mOhm @ 14A, 4.5V 900mV @ 250µA 151 nC @ 4.5 V ±8V 11000 pF @ 6 V - 7.1W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOIC
      SIR846BDP-T1-RE3

      SIR846BDP-T1-RE3

      MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK

      Vishay Siliconix

      		 8,562
      Запрос на предложение
      		SIR846BDP-T1-RE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 16.1A (Ta), 65.8 (Tc) 7.5V, 10V 8mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V 2440 pF @ 50 V - 5W (Ta), 83.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PowerPAK® SO-8
      CDM7-600LR TR13 PBFREE

      CDM7-600LR TR13 PBFREE

      MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

      Central Semiconductor Corp

      		 2,239
      Запрос на предложение
      		CDM7-600LR TR13 PBFREE

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 7A (Tc) 10V 580mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 14.5 nC @ 10 V 30V 440 pF @ 100 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      PSMN1R5-30YL,115

      PSMN1R5-30YL,115

      MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

      Nexperia USA Inc.

      		 4,500
      Запрос на предложение
      		PSMN1R5-30YL,115

      Техническая документация

             		- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Tc) 4.5V, 10V 1.5mOhm @ 15A, 10V 2.15V @ 1mA 77.9 nC @ 10 V ±20V 5057 pF @ 12 V - 109W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
      TSM035NB04CZ

      TSM035NB04CZ

      MOSFET N-CH 40V 18A/157A TO220

      Taiwan Semiconductor Corporation

      		 3,617
      Запрос на предложение
      		TSM035NB04CZ

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 18A (Ta), 157A (Tc) - 3.5mOhm @ 18A, 10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V 6990 pF @ 20 V - 2W (Ta), 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
      IPA082N10NF2SXKSA1

      IPA082N10NF2SXKSA1

      TRENCH >=100V PG-TO220-3

      Infineon Technologies

      		 1,490
      Запрос на предложение
      		IPA082N10NF2SXKSA1

      Техническая документация

             		StrongIRFET™ 2 TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100 V 46A (Tc) 6V, 10V 8.2mOhm @ 30A, 10V 3.8V @ 46µA 42 nC @ 10 V ±20V 2000 pF @ 50 V - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220 Full Pack
      STD4LN80K5

      STD4LN80K5

      MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK

      STMicroelectronics

      		 2,420
      Запрос на предложение
      		STD4LN80K5

      Техническая документация

             		MDmesh™ K5 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 3A (Tc) 10V 2.6Ohm @ 1A, 10V 5V @ 100µA 3.7 nC @ 10 V ±30V 122 pF @ 100 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      STD4NK60ZT4

      STD4NK60ZT4

      MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

      STMicroelectronics

      		 2,204
      Запрос на предложение
      		STD4NK60ZT4

      Техническая документация

             		SuperMESH™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 4A (Tc) 10V 2Ohm @ 2A, 10V 4.5V @ 50µA 26 nC @ 10 V ±30V 510 pF @ 25 V - 70W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      NVTFWS005N04CTAG

      NVTFWS005N04CTAG

      MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN

      onsemi

      		 1,500
      Запрос на предложение
      		NVTFWS005N04CTAG

      Техническая документация

             		- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 17A (Ta), 69A (Tc) 10V 5.6mOhm @ 35A, 10V 3.5V @ 40µA 16 nC @ 10 V ±20V 1000 pF @ 25 V - 3.1W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank 8-WDFN (3.3x3.3)
      STP4LN80K5

      STP4LN80K5

      MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220

      STMicroelectronics

      		 978
      Запрос на предложение
      		STP4LN80K5

      Техническая документация

             		MDmesh™ K5 TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 3A (Tc) 10V 2.6Ohm @ 1A, 10V 5V @ 100µA 3.7 nC @ 10 V ±30V 122 pF @ 100 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
      IRF9Z14SPBF

      IRF9Z14SPBF

      MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK

      Vishay Siliconix

      		 638
      Запрос на предложение
      		IRF9Z14SPBF

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 6.7A (Tc) 10V 500mOhm @ 4A, 10V 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V 270 pF @ 25 V - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      NVTFS4C05NTAG

      NVTFS4C05NTAG

      MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN

      onsemi

      		 1,500
      Запрос на предложение
      		NVTFS4C05NTAG

      Техническая документация

             		- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 22A (Ta), 102A (Tc) 4.5V, 10V 3.6mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V 1988 pF @ 15 V - 3.2W (Ta), 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
      N0603N-S23-AY

      N0603N-S23-AY

      MOSFET N-CH 60V 100A TO262

      Renesas Electronics Corporation

      		 1,470
      Запрос на предложение
      		N0603N-S23-AY

      Техническая документация

             		- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 100A (Ta) 10V 4.6mOhm @ 50A, 10V - 133 nC @ 10 V ±20V 7730 pF @ 25 V - 1.5W (Ta), 156W (Tc) 150°C (TJ) - - Through Hole TO-262
      RD3U041AAFRATL

      RD3U041AAFRATL

      MOSFET N-CH 250V 4A TO252

      Rohm Semiconductor

      		 1,302
      Запрос на предложение
      		RD3U041AAFRATL

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 250 V 4A (Tc) 10V 1.3Ohm @ 2A, 10V 5.5V @ 1mA 8.5 nC @ 10 V ±30V 350 pF @ 25 V - 29W (Tc) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-252
      SIHP6N80AE-GE3

      SIHP6N80AE-GE3

      MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB

      Vishay Siliconix

      		 961
      Запрос на предложение
      		SIHP6N80AE-GE3

      Техническая документация

             		E TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 5A (Tc) - 950mOhm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 22.5 nC @ 10 V ±30V 422 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      IPA80R750P7XKSA1

      IPA80R750P7XKSA1

      MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220

      Infineon Technologies

      		 500
      Запрос на предложение
      		IPA80R750P7XKSA1

      Техническая документация

             		CoolMOS™ P7 TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 7A (Tc) 10V 750mOhm @ 2.7A, 10V 3.5V @ 140µA 17 nC @ 10 V ±20V 460 pF @ 500 V - 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole PG-TO220-FP
      RJK0353DPA-01#J0B

      RJK0353DPA-01#J0B

      MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK

      Renesas Electronics Corporation

      		 10,000
      Запрос на предложение
      		RJK0353DPA-01#J0B

      Техническая документация

             		- 8-PowerWDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 35A (Ta) 4.5V, 10V 5.2mOhm @ 17.5A, 10V 2.5V @ 1mA 14 nC @ 4.5 V ±20V 2180 pF @ 10 V - 40W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-WPAK
      Total 36322 Record«Prev1... 148149150151152153154155...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]