БомКей Электроникс!
    БомКей Электроникс+86-0755-83179664
      Популярные запросы CR2032 103AT-2 LM358DR 22HPM-10N 50K NAU8220WG TPS54560DDAR LQW15AN18NG00D 103AT-11 357 S-562T
      БомКей ЭлектрониксКорзина БомКей ЭлектрониксЗапрос на предложение
      Главная > Все категории  > Дискретные полупроводниковые изделия > Транзисторы > FET, MOSFET > FET, MOSFET

      FET, MOSFET

      Производитель Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка

      Сбросить всё
      Применить всё
      Результат
      Фото Парт. № производителя Наличие Цена Количество Техническая документация Серия Корпус/корпус Упаковка Состояние продукта Тип полевого транзистора Технология Напряжение сток-исток (Vdss) Ток - Непрерывный сток (Id) @ 25°C Напряжение управления (Макс. Rds On, Мин. Rds On) Rds On (Макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс.) @ Id Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs Vgs (макс.) Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds Характеристика FET Рассеиваемая мощность (макс.) Рабочая температура Марка Квалификация Тип крепления Устройство поставщика Упаковка
      NP45N06PUK-E1-AY

      NP45N06PUK-E1-AY

      MOSFET N-CH 60V 45A TO263

      Renesas Electronics Corporation

      		 6,401
      Запрос на предложение
      		NP45N06PUK-E1-AY

      Техническая документация

             		- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 45A (Tc) 10V 9.6mOhm @ 23A, 10V 4V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±20V 2540 pF @ 25 V - 1.2W (Ta), 75W (Tc) 175°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount TO-263-3
      SQD25N06-22L_GE3

      SQD25N06-22L_GE3

      MOSFET N-CH 60V 25A TO252

      Vishay Siliconix

      		 3,760
      Запрос на предложение
      		SQD25N06-22L_GE3

      Техническая документация

             		TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 25A (Tc) 4.5V, 10V 22mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V 1975 pF @ 25 V - 62W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
      CSD17576Q5BT

      CSD17576Q5BT

      MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON

      Texas Instruments

      		 477
      Запрос на предложение
      		CSD17576Q5BT

      Техническая документация

             		NexFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30 V 100A (Ta) 4.5V, 10V 2mOhm @ 25A, 10V 1.8V @ 250µA 32 nC @ 4.5 V ±20V 4430 pF @ 15 V - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSONP (5x6)
      TSM043NH04LCR RLG

      TSM043NH04LCR RLG

      40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

      Taiwan Semiconductor Corporation

      		 4,000
      Запрос на предложение
      		TSM043NH04LCR RLG

      Техническая документация

             		PerFET™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 20A (Ta), 54A (Tc) 4.5V, 10V 4.3mOhm @ 27A, 10V 2.2V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±16V 2480 pF @ 25 V - 100W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount, Wettable Flank 8-PDFNU (5x6)
      IPB80N04S404ATMA1

      IPB80N04S404ATMA1

      MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2

      Infineon Technologies

      		 1,989
      Запрос на предложение
      		IPB80N04S404ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 10V 4.2mOhm @ 80A, 10V 4V @ 35µA 43 nC @ 10 V ±20V 3440 pF @ 25 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
      STP3N80K5

      STP3N80K5

      MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220

      STMicroelectronics

      		 1,841
      Запрос на предложение
      		STP3N80K5

      Техническая документация

             		SuperMESH5™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 2.5A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 1A, 10V 5V @ 100µA 9.5 nC @ 10 V ±30V 130 pF @ 100 V - 60W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
      STD18N60M6

      STD18N60M6

      MOSFET N-CH 600V 13A DPAK

      STMicroelectronics

      		 1,612
      Запрос на предложение
      		STD18N60M6

      Техническая документация

             		MDmesh™ M6 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 13A (Tc) 10V 280mOhm @ 6.5A, 10V 4.75V @ 250µA 16.8 nC @ 10 V ±25V 650 pF @ 100 V - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
      R6504END3TL1

      R6504END3TL1

      650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER

      Rohm Semiconductor

      		 1,246
      Запрос на предложение
      		R6504END3TL1

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 4A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 130µA 15 nC @ 10 V ±20V 220 pF @ 25 V - 58W (Tc) 150°C - - Surface Mount TO-252
      SIHB6N80AE-GE3

      SIHB6N80AE-GE3

      E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-

      Vishay Siliconix

      		 1,040
      Запрос на предложение
      		SIHB6N80AE-GE3

      Техническая документация

             		E TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800 V 5A (Tc) 10V 950mOhm @ 2A, 10V 4V @ 250µA 22.5 nC @ 10 V ±30V 422 pF @ 100 V - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263 (D2PAK)
      IPB80N04S4L04ATMA1

      IPB80N04S4L04ATMA1

      MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

      Infineon Technologies

      		 661
      Запрос на предложение
      		IPB80N04S4L04ATMA1

      Техническая документация

             		OptiMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40 V 80A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 80A, 10V 2.2V @ 35µA 60 nC @ 10 V +20V, -16V 4690 pF @ 25 V - 71W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TO263-3-2
      PJMF580N60E1_T0_00001

      PJMF580N60E1_T0_00001

      600V SUPER JUNCITON MOSFET

      Panjit International Inc.

      		 1,952
      Запрос на предложение
      		PJMF580N60E1_T0_00001

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 8A (Tc) 10V 580mOhm @ 2.5A, 10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±30V 497 pF @ 400 V - 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ITO-220AB-F
      STD13N65M2

      STD13N65M2

      MOSFET N-CH 650V 10A DPAK

      STMicroelectronics

      		 1,710
      Запрос на предложение
      		STD13N65M2

      Техническая документация

             		MDmesh™ M2 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 10A (Tc) 10V 430mOhm @ 5A, 10V 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±25V 590 pF @ 100 V - 110W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      IRFR1N60ATRPBF-BE3

      IRFR1N60ATRPBF-BE3

      MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

      Vishay Siliconix

      		 1,869
      Запрос на предложение
      		IRFR1N60ATRPBF-BE3

      Техническая документация

             		- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 600 V 1.4A (Tc) - 7Ohm @ 840mA, 10V 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±30V 229 pF @ 25 V - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252AA
      IXFA36N20X3

      IXFA36N20X3

      MOSFET N-CH 200V 36A TO263AA

      IXYS

      		 185
      Запрос на предложение
      		IXFA36N20X3

      Техническая документация

             		HiPerFET™, Ultra X3 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 200 V 36A (Tc) 10V 45mOhm @ 18A, 10V 4.5V @ 500µA 21 nC @ 10 V ±20V 1425 pF @ 25 V - 176W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-263AA (IXFA)
      AOD7S65

      AOD7S65

      MOSFET N-CH 650V 7A TO252

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 2,492
      Запрос на предложение
      		AOD7S65

      Техническая документация

             		aMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7A (Tc) 10V 650mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 9.2 nC @ 10 V ±30V 434 pF @ 100 V - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-252 (DPAK)
      TK7P65W,RQ

      TK7P65W,RQ

      MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK

      Toshiba Semiconductor and Storage

      		 908
      Запрос на предложение
      		TK7P65W,RQ

      Техническая документация

             		DTMOSIV TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 6.8A (Ta) 10V 800mOhm @ 3.4A, 10V 3.5V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±30V 490 pF @ 300 V - 60W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount DPAK
      AOT7S65L

      AOT7S65L

      MOSFET N-CH 650V 7A TO220

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 373
      Запрос на предложение
      		AOT7S65L

      Техническая документация

             		aMOS™ TO-220-3 Tube Not For New Designs N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 650 V 7A (Tc) 10V 650mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 9.2 nC @ 10 V ±30V 434 pF @ 100 V - 104W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220
      NP16N06YLL-E1-AY

      NP16N06YLL-E1-AY

      ABU / MOSFET

      Renesas Electronics Corporation

      		 4,751
      Запрос на предложение
      		NP16N06YLL-E1-AY

      Техническая документация

             		- 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 60 V 16A (Tc) 4.5V, 10V 35mOhm @ 8A, 10V 2V @ 1mA 18 nC @ 10 V ±20V 600 pF @ 25 V - 1.25W (Ta), 27.3W (Tc) 175°C - - Surface Mount 8-HSON (5x5.4)
      IRF730PBF-BE3

      IRF730PBF-BE3

      MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB

      Vishay Siliconix

      		 2,982
      Запрос на предложение
      		IRF730PBF-BE3

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400 V 5.5A (Tc) 10V 1Ohm @ 3A, 10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V 700 pF @ 25 V - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220AB
      AOTF286L

      AOTF286L

      MOSFET N-CH 80V 13.5A/56A TO220

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      		 2,270
      Запрос на предложение
      		AOTF286L

      Техническая документация

             		- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80 V 13.5A (Ta), 56A (Tc) 6V, 10V 6mOhm @ 20A, 10V 3.3V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V 3142 pF @ 40 V - 2.2W (Ta), 37.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-220F
      Total 36322 Record«Prev1... 149150151152153154155156...1817Next»
      Связаться с нами Получите больше информации о продукте!
      БомКей Электроникс

      Главная

       БомКей Электроникс

      Продукты

       БомКей Электроникс

      Телефон

       БомКей Электроникс

      Пользователь
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Низкие цены каждый день, беззаботный выбор
      Аутентичные лицензионные товары
      Аутентичные лицензионные товары
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Доставка напрямую из нескольких складов, быстрая доставка
      Полный ассортимент для легких покупок
      Полный ассортимент для легких покупок
      © 2025 Bomkey Electronics. Все права защищены.
      БомКей Электроникс
      БомКей Электроникс
      [email protected]